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公开(公告)号：CN103088318A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201310009608.6
申请日：2013-01-10
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C23C16/44 , C23C16/455
Abstract: 一种MOCVD设备反应室进气的气体混合与隔离装置，包括：一第一气体入口；一第一气体出口；一第一直通阀门的一端与第一气体入口连通，该第一直通阀门的另一端与第一气体出口连通；一第一旁通阀门的一端与第一直通阀门的一端连接；一第二旁通阀门的一端与第一直通阀门的另一端连接；一第二气体入口；一第二气体出口；一第二直通阀门的一端与第二气体入口连通，该第二直通阀门的另一端与第二气体出口连通；一第三旁通阀门的一端与第二直通阀门的一端连接，该第三旁通阀门的另一端与第一旁通阀门的另一端连接；一第四旁通阀门的一端与第二直通阀门的另一端连接，该第四旁通阀门的另一端与第二旁通阀门的另一端连接；一气体混合器位于第一旁通阀门及第二旁通阀门之间并与之连通。
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公开(公告)号：CN101819925B
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN201010162506.4
申请日：2010-04-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/205
Abstract: 本发明公开了一种化学气相沉积装置，该装置包括多个独立的生长室，该多个独立的生长室位于一箱体之内，使用机械臂进行样品的传递，分别用于n型层外延材料的生长、多量子阱有源层的生长，以及p型层外延材料等不同生长工艺的材料生长。利用本发明，解决了现有化学气相沉积尤其是MOCVD装置单反应室一次生长结构材料导致的化学气相沉积装置复杂、沉积工艺复杂，受到影响因素较多，工艺可重复性差，可推广性差，同时工艺周期长，生产效率低下等问题。
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公开(公告)号：CN102534559A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210029175.6
申请日：2012-02-10
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C23C16/455
Abstract: 一种用于金属有机气相沉积设备的进气喷头，包括：多个进气管路；一上层板，该上层板为圆盘状；一外壳体，该外壳体为圆筒状，位于上层板的下面；一下层板，该下层板为圆盘状，位于外壳体的下面；气体分配管路，位于下层板上面、外壳体内部，多个进气管路穿过上层板与气体分配管路相连通。本发明具有混合均匀，减少预沉积，提高外延片的晶体均匀性；与常规MOCVD进气喷头相比，可以降低制作加工难度，减少维护次数；这种进气喷头结构容易扩展进气面积，从而提高MOCVD的每炉产能，降低生产成本。
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公开(公告)号：CN101914762A
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN201010269018.3
申请日：2010-08-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C23C16/455 , C23C16/18
Abstract: 本发明公开了一种用于金属有机物化学气相沉积设备的进气喷头结构，该结构包括进气顶盘法兰和水冷匀气板，该进气顶盘法兰为一圆形金属盘状结构，中间为圆形凹坑，沿圆形凹坑径向用板条隔开，分为2n个扇形区，n为大于1的整数；该水冷匀气板分为有机源水冷匀气板和氢化物气体水冷匀气板，每一个扇形区对应一个水冷匀气板。利用本发明，可以使反应气体均匀的进入反应室内，使反应室内气体达到均匀生长的气流模式。
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公开(公告)号：CN117802578A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202311865314.3
申请日：2023-12-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C30B25/14
Abstract: 本公开提供了一种用于半导体外延设备尾气系统的气体运输结构，包括第一管路组件，用于将生长室所输出的气体输入至过滤罐中；第二管路组件，用于将过滤罐所输出的气体输入至真空泵中；第三管路组件，用于将真空泵处理后的气体输出至并联双磷阱中；第四管路组件，用于将并联双磷阱处理后的气体输出至外部，其中，第一管路组件、第二管路组件、第三管路组件和第四管路组件包括多段排气管道和多个排气阀门，多段排气管道中与气体接触的管道内壁的通径大小一致，并且与多个选定规格排气阀门中与气体接触的阀门内壁的通径大小相同；以及管路加热结构，包括电阻加热包，覆盖在多段排气管道和多个排气阀门的外表面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117771842A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311864524.0
申请日：2023-12-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供了一种用于半导体外延设备尾气系统的气体处理结构，包括尾气过滤罐，包括第一罐体和第二罐体，第一罐体包括尾气入口、锥形端盖、制冷介质进出口、冷却盘管、中心管和外筒体；尾气入口和制冷介质进出口分别设置在锥形端盖上；冷却盘管设置在外筒体内，中心管设置在冷却盘管内；第二罐体包括滤芯、尾气输出管道和外筒体，滤芯设置在外筒体内，尾气输出管道设置在外筒体上；双磷阱包括：尾气输入管道、制冷介质进出口、双磷阱、捕集盘管、磷阱罐体和尾气输出管道，尾气输入管道与尾气输出管道通过尾气传输管道连接，双磷阱设置在磷阱罐体内且彼此并联设置，制冷介质进出口与第一磷阱和第二磷阱连接，尾气输出管道设置在磷阱罐体上。
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公开(公告)号：CN103074674B
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201310010357.3
申请日：2013-01-10
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C30B25/14 , C30B25/08 , C23C16/455
Abstract: 一种用于金属有机化学气相沉积设备的反应室进气装置，包括：一筒体；一水冷匀气板，该水冷匀气板制作在筒体内；一上盖板，该上盖板固定在筒体上，该上盖板与水冷匀气板之间形成一进气腔室；一气体隔离装置，该气体隔离装置固定在上盖板上，该气体隔离装置是将进气腔室隔离成至少两个进气腔室或使之连通。本发明可实现MOCVD反应室进气方式的多样性和灵活性，提高组份混合均匀性并可以避免严重的预反应。
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公开(公告)号：CN103074674A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201310010357.3
申请日：2013-01-10
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C30B25/14 , C30B25/08 , C23C16/455
Abstract: 一种用于金属有机化学气相沉积设备的反应室进气装置，包括：一筒体；一水冷匀气板，该水冷匀气板制作在筒体内；一上盖板，该上盖板固定在筒体上，该上盖板与水冷匀气板之间形成一进气腔室；一气体隔离装置，该气体隔离装置固定在上盖板上，该气体隔离装置是将进气腔室隔离成至少两个进气腔室或使之连通。本发明可实现MOCVD反应室进气方式的多样性和灵活性，提高组份混合均匀性并可以避免严重的预反应。
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公开(公告)号：CN101819925A
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN201010162506.4
申请日：2010-04-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/205
Abstract: 本发明公开了一种化学气相沉积装置，该装置包括多个独立的生长室，该多个独立的生长室位于一箱体之内，使用机械臂进行样品的传递，分别用于n型层外延材料的生长、多量子阱有源层的生长，以及p型层外延材料等不同生长工艺的材料生长。利用本发明，解决了现有化学气相沉积尤其是MOCVD装置单反应室一次生长结构材料导致的化学气相沉积装置复杂、沉积工艺复杂，受到影响因素较多，工艺可重复性差，可推广性差，同时工艺周期长，生产效率低下等问题。
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公开(公告)号：CN117802475A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202311864384.7
申请日：2023-12-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C23C16/18 , C23C16/30 , C23C16/455
Abstract: 本发明提供了一种用于半导体外延设备的高效尾气处理系统，外延设备包括生长室部件、尾气抽气系统与其他部件，外延设备用于在生长室部件外延生长镓砷系化合物半导体材料，其特征在于，尾气处理系统包括：管路组件，包括第一管路、第二管路、第三管路与第四管路；尾气处理功能组件，包括过滤罐、真空泵与双磷阱；真空泵，生长室部件、第一管路、过滤罐、第二管路、真空泵、双磷阱与第四管路依次相连；其中，生长室部件输出的尾气经管路组件输送至尾气处理功能组件，尾气处理功能组件对尾气进行冷凝析出和过滤，以及对磷化物进行处理。
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