公开(公告)号：CN102969410A

公开(公告)日：2013-03-13

申请号：CN201210505214.5

申请日：2012-11-30

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 羊建坤 ,  魏同波 ,  胡强 ,  霍自强 ,  段瑞飞 ,  王军喜

IPC: H01L33/00

Abstract: 本发明提供了一种制备GaN厚膜垂直结构LED的方法。该方法包括：在衬底的抛光面制备掩模图形，该掩模图形将衬底的抛光面分割为若干个分离的区域，得到图形化的衬底；在图像化的衬底上沉积n型掺杂的GaN厚膜，该GaN厚膜的厚度应当大于掩膜图形的厚度；以及在GaN厚膜上外延生长多周期量子阱LED。本发明通过GaN厚膜分块生长，释放了由晶格失配和热失配引起的应力，解决了二次外延中衬底开裂问题，降低了衬底的翘曲度，有利于后续的激光剥离衬底和芯片制作工艺。

公开(公告)号：CN104112662A

公开(公告)日：2014-10-22

申请号：CN201410360667.2

申请日：2014-07-25

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 段瑞飞 ,  霍自强 ,  羊建坤 ,  魏同波

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02046 ,  H01L21/67069

Abstract: 本发明公开了一种气相外延(VPE)在线清洗装置，包括：反应腔室，反应气体入口，清洗气体入口，排气口，衬底，衬底托，旋转装置，还包括在线清洗装置，用以去除残留在反应腔室内壁及各部件上造成污染的寄生氮化物。本发明针对VPE生长氮化物存在较强的寄生反应问题，添加额外的清洗装置，主要指在VPE设备中增加HCl或者氯气等刻蚀性气体供应，发展出刻蚀性气体清洗寄生GaN等氮化物膜的方法，实现VPE设备内部由于寄生反应在管壁、进出气口等处寄生产物的清理，保证设备的稳定性、重复性和长期使用性，从而降低维护成本，提高生产效率。

公开(公告)号：CN103647008A

公开(公告)日：2014-03-19

申请号：CN201310750779.4

申请日：2013-12-31

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 羊建坤 ,  魏同波 ,  霍自强 ,  张勇辉 ,  胡强 ,  段瑞飞 ,  王军喜

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/0075

Abstract: 本发明提供了一种生长半极性GaN厚膜的方法。该方法包括：步骤A，在衬底上外延半极性GaN模板层；步骤B，在GaN模板层上制备纳米级网状结构的TiN掩膜层；步骤C，在TiN掩膜层上制备自组装纳米球阵列掩膜层；以及步骤D，在依次沉积半极性GaN模板层、TiN掩膜层和自组装纳米球阵列掩膜层的衬底上继续外延生长半极性GaN厚膜。本发明的方法可以有效释放半极性GaN厚膜中的应力，实现高质量、大面积半极性GaN厚膜异质外延。

公开(公告)号：CN103647008B

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201310750779.4

申请日：2013-12-31

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 羊建坤 ,  魏同波 ,  霍自强 ,  张勇辉 ,  胡强 ,  段瑞飞 ,  王军喜

IPC: H01L33/00

Abstract: 本发明提供了一种生长半极性GaN厚膜的方法。该方法包括：步骤A，在衬底上外延半极性GaN模板层；步骤B，在GaN模板层上制备纳米级网状结构的TiN掩膜层；步骤C，在TiN掩膜层上制备自组装纳米球阵列掩膜层；以及步骤D，在依次沉积半极性GaN模板层、TiN掩膜层和自组装纳米球阵列掩膜层的衬底上继续外延生长半极性GaN厚膜。本发明的方法可以有效释放半极性GaN厚膜中的应力，实现高质量、大面积半极性GaN厚膜异质外延。

公开(公告)号：CN101819925A

公开(公告)日：2010-09-01

申请号：CN201010162506.4

申请日：2010-04-28

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 段瑞飞 ,  曾一平 ,  王军喜 ,  冉军学 ,  胡国新 ,  羊建坤 ,  梁勇 ,  路红喜 ,  李晋闽

IPC: H01L21/205

Abstract: 本发明公开了一种化学气相沉积装置，该装置包括多个独立的生长室，该多个独立的生长室位于一箱体之内，使用机械臂进行样品的传递，分别用于n型层外延材料的生长、多量子阱有源层的生长，以及p型层外延材料等不同生长工艺的材料生长。利用本发明，解决了现有化学气相沉积尤其是MOCVD装置单反应室一次生长结构材料导致的化学气相沉积装置复杂、沉积工艺复杂，受到影响因素较多，工艺可重复性差，可推广性差，同时工艺周期长，生产效率低下等问题。

公开(公告)号：CN119852163A

公开(公告)日：2025-04-18

申请号：CN202311344621.7

申请日：2023-10-17

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 魏同波 ,  多亦威 ,  羊建坤 ,  王军喜

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/683 ,  C23C16/34 ,  C23C16/02 ,  C23C16/52

Abstract: 本公开提供一种大尺寸可剥离六方氮化硼的制备方法及其剥离方法，该制备方法包括：S1，对c面蓝宝石衬底(3)的表面进行氮化处理，形成AlON层(2)；S2，采用化学气相沉积法，利用脉冲生长模式，通入硼化物和氨气使其在AlON层的表面发生反应，通过调控生长时间，得到不同厚度的大尺寸可剥离的六方氮化硼(1)。该剥离方法包括：对六方氮化硼进行机械剥离。其中，不同厚度的六方氮化硼展现出不同的剥离特性，从薄到厚依次为不可剥离、可采用胶带对生长出的大尺寸六方氮化硼进行剥离、大尺寸六方氮化硼可自剥离。

公开(公告)号：CN101819925B

公开(公告)日：2013-01-23

申请号：CN201010162506.4

申请日：2010-04-28

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 段瑞飞 ,  曾一平 ,  王军喜 ,  冉军学 ,  胡国新 ,  羊建坤 ,  梁勇 ,  路红喜 ,  李晋闽

IPC: H01L21/205

Abstract: 本发明公开了一种化学气相沉积装置，该装置包括多个独立的生长室，该多个独立的生长室位于一箱体之内，使用机械臂进行样品的传递，分别用于n型层外延材料的生长、多量子阱有源层的生长，以及p型层外延材料等不同生长工艺的材料生长。利用本发明，解决了现有化学气相沉积尤其是MOCVD装置单反应室一次生长结构材料导致的化学气相沉积装置复杂、沉积工艺复杂，受到影响因素较多，工艺可重复性差，可推广性差，同时工艺周期长，生产效率低下等问题。

公开(公告)号：CN103276444A

公开(公告)日：2013-09-04

申请号：CN201310179053.X

申请日：2013-05-15

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 胡强 ,  魏同波 ,  羊建坤 ,  霍自强 ,  王军喜 ,  曾一平 ,  李晋闽

IPC: C30B25/10

Abstract: 本发明公开了一种双加热氢化物气相外延生长系统(HVPE)，包括：水平或竖直放置的外延生长室；双加热装置，其包括外加热器和内加热器；样品台，其上放置样品；金属源反应物放置器，其内部放置有金属源；喷淋器，其位于所述样品台正上方，其与所述外延生长室外部的第二进气孔相连；所述喷淋器用于将从第二进气孔输入的反应气体和从金属源反应物放置器进入的金属化合物喷洒在所述样品表面，以进行材料生长。本发明通过双加热装置提高HVPE反应系统的生长温度，在石英反应腔内得到1500以上的高温区，从而可以实现AlN等材料的外延生长。且本发明提出的双加热氢化物气相外延生长系统(HVPE)能够降低能耗，提高控温精度。