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公开(公告)号：CN113445130B
公开(公告)日：2023-02-24
申请号：CN202110716151.7
申请日：2021-06-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供一种AlGaN基紫外激光器的生长方法，通过原位热处理的方法粗化AlGaN赝晶层的表面，来缓解AlGaN厚膜的应力，显著改善晶体质量；由于表面粗化结构尺寸更小，后续AlGaN厚膜生长过程更容易合并，形成原子级平整表面，进而生长得到高质量的紫外激光器结构。
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公开(公告)号：CN111341648B
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN201811559236.3
申请日：2018-12-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/205 , H01L33/00 , H01L33/32
Abstract: 本发明提供了一种在图形衬底生长氮化物薄膜结构及其方法，其方法包括：在图形衬底的凹洞图形区域内生长石墨烯；在生长有石墨烯的图形衬底上生长具有空气孔隙的III族氮化物薄膜；其中，空气孔隙形成于所述图形衬底与所述III族氮化物薄膜之间，所述石墨烯上方。本发明在外延生长前，先插入了一层选区生长的表面完整度良好的单层石墨烯插入层，并且利用金属原子在无缺陷石墨烯上表面吸附率极低的特点，诱导氮化物只在平面区域成核并以三维模式生长，最终生长成在氮化物与图形衬底有极大空气孔隙的平滑薄膜，该实施工艺简单，适合在氮化物薄膜生长及光电器件和电子器件制造领域应用。
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公开(公告)号：CN113451457A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202110715860.3
申请日：2021-06-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供一种AlN薄膜的制备方法，包括以下步骤：提供一衬底；在所述衬底上溅射沉积一层底层AlN薄膜层，得到一初始薄膜；多次对所述初始薄膜进行热处理制层处理，在所述初始薄膜上形成多层次层AlN薄膜层，直至所述衬底上的AlN薄膜层的总厚度达到目标值，得到AlN薄膜。在本发明提供的技术方案中，通过溅射沉积形成AlN薄膜，并通过重复进行热处理制层处理，形成AlN薄膜，获得更高晶体质量和更低应力的AlN模板，且制备工艺简单有效稳定，成本低，便于产业化应用。
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公开(公告)号：CN111710765A
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN202010600418.1
申请日：2020-06-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种提高LED倒装芯片光提取效率的方法，包括以下步骤：提供具有第一表面和第二表面的一透明衬底；采用Al靶材磁控溅射技术，在不含氧的以氮气为主要溅射气氛条件下，在所述衬底的第二表面沉积一层AlN薄膜，形成AlN模板；将制得的AlN模板放入高温退火设备中进行退火处理，退火温度为1500-2000℃，退火气氛为氮气或含氮气的混合气氛，退火时间为0.5-10小时；将退火后的衬底和AlN模板清洗后，放入生长设备中，在所述衬底的第一表面上外延LED全结构并制作至少一个LED芯片单元；在所述LED表面覆盖保护层；将所述衬底第二表面的AlN模板浸入碱性溶液中进行腐蚀，其表面腐蚀形成微纳米结构；除去所述LED表面的保护层；进行芯片划裂，形成分立的LED倒装芯片。
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公开(公告)号：CN111710762A
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN202010600335.2
申请日：2020-06-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种III族氮化物的p型层的极化掺杂结构，其特征在于，所述p型层通过组分渐变引入的极化诱导产生一定浓度的空穴；所述p型层中含有p型掺杂剂，且所述p型掺杂剂浓度在所述p型层内呈调制分布。本发明通过Mg受主的调制掺杂，降低外延层中Mg的平均掺杂浓度，改善材料的晶体质量、提高空穴浓度和空穴迁移率，减少光吸收损耗，最终提升使用此p型掺杂方法的光电子器件的光电性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111542152A
公开(公告)日：2020-08-14
申请号：CN202010445746.9
申请日：2020-05-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种带有光强自动反馈校正功能的紫外光源系统及其应用，该紫外光源系统包括功率变换器；电流采集器；紫外光源；光敏传感器；外环控制器，将光敏传感器反馈的电信号和设定光强经运算后输出给内环控制器；以及内环控制器，将电流采集器反馈的电信号和外环控制器输出的信号处理后控制功率变换器输出的电流值。本发明的使用双环控制紫外LED，能够时时反馈系统电流和光强的变化，控制器对功率变换器控制端做出有效的调节，消除紫外LED自身光衰和电源电流变化的影响，保证紫外LED输出光功率恒定，确保紫外光源使用的有效性。
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公开(公告)号：CN108091646B
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201711453233.7
申请日：2017-12-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种紫外LED抗静电硅基板的封装结构，包括：一硅基板，该硅基板是用间隔槽隔离出正极、负极和自由极，所述正极位于硅基板上面的一侧，所述负极和自由极位于硅基板上面的另一侧；一稳压二极管，其制作在正极部分的硅基板上；一紫外LED芯片，其倒装在硅基板，并与正极、负极和自由极连接；一陶瓷管壳，所述硅基板制作在陶瓷管壳上，所述基板的正极与陶瓷管壳的正极连接，所述硅基板的负极与陶瓷管壳的负极连接；一盖片，其封盖在陶瓷管壳上。本发明可提高自身抗静电能力，有效的保护紫外LED，结构简化，降低成本。
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公开(公告)号：CN110657545A
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201911093998.3
申请日：2019-11-08
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种基于紫外LED杀菌新风系统及应用，该杀菌新风系统包括进风口；紫外LED模组，其将空气杀菌；灰尘过滤器，用于过滤空气中的灰尘；风扇，将空气从所述进风口引入杀菌新风系统内；挡板，用于关闭系统后，阻挡冷空气进入室内；以及出风口，用于排出干净空气。本发明利用紫外LED发出紫外线杀菌功能，迅速杀死进入室内的病毒和细菌，达到安全通风效果；可根据季节不同，细菌含量不同，在紫外LED模组扩展槽上增减紫外LED模组，更有效的杀灭病毒和细菌。
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公开(公告)号：CN107068826A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201710037478.5
申请日：2017-01-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种高光出射效率的LED芯片及其制备方法，涉及半导体制备技术领域。本发明提出的LED芯片包括发光台、以及相邻发光台之间的多个刻蚀槽，可有效增大光线的出射面，改变LED芯片外延层中波导光的传播方向，增加光线的出射效率；另外，在刻蚀槽的底部或侧壁覆盖以反射层，可将外延层中的波导光反射到芯片底部，适用于背面出射的LED芯片，如倒装芯片和垂直芯片，满足了对多种类型LED芯片的适用。本发明还提出了相应LED芯片的制备方法，制备工艺简单易行成本低廉，有利于该种LED芯片的制备和产业化应用。
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公开(公告)号：CN104241352A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201410505205.5
申请日：2014-09-26
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/778 , H01L29/06 , H01L21/335
CPC classification number: H01L29/7783 , H01L21/02436 , H01L29/0684 , H01L29/66462
Abstract: 本发明公开了一种GaN基HEMT外延结构及其生长方法，该外延结构沿外延生长方向依次包括：衬底、缓冲层、高阻层、沟道层和势垒层，其中：缓冲层外延生长在衬底上；高阻层外延生长在缓冲层上，其中，高阻层为极化诱导掺杂；沟道层外延生长在高阻层上；势垒层外延生长在沟道层上。本发明通过极化诱导掺杂实现无掺杂杂质的高阻层，从而降低器件缓冲层漏电，缓解由于缓冲层掺杂而加剧的电流崩塌，实现提高器件击穿电压、改善器件动态导通电阻可靠性的目的。
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