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公开(公告)号：CN104051584A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201410289596.1
申请日：2014-06-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: H01L33/0066 , B24B1/00 , H01L33/0075 , H01L33/20
Abstract: 一种蓝宝石图形衬底制备方法，包括如下步骤：步骤1：对蓝宝石切割片进行双面研磨，形成蓝宝石粗磨晶片；步骤2：对所述蓝宝石粗磨晶片进行单面精密研磨，形成蓝宝石精磨晶片；步骤3：在所述未经精抛的蓝宝石精磨晶片上直接形成刻蚀图形化结构，所述刻蚀图形化结构与蓝宝石精磨晶片上的粗化表面共同提高蓝宝石图形衬底光提取效率。本方法的制备工艺及设备和传统的蓝宝石图形化衬底片的制备工艺及设备完全兼容，易于实现。使用本发明制备的蓝宝石图形化衬底片和传统的蓝宝石图形化衬底片相比，成本降低百分之十以上。
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公开(公告)号：CN103943739A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201410185391.9
申请日：2014-05-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/46 , H01L33/0066 , H01L33/0075 , H01L33/14 , H01L2933/0025
Abstract: 一种提高光提取效率发光二极管的制备方法，包括：在一具有蓝宝石衬底的氮化镓LED外延片上表面的P型氮化镓层上制作一单层紧密排列的聚苯乙烯球；在聚苯乙烯球间隙填充二氧化硅凝胶；高温加热，形成二氧化硅碗状阵列；将二氧化硅碗状阵列的一部分覆盖光刻胶进行保护；将未保护的二氧化硅去除干净，然后在用去膜剂去除光刻胶；在剩余二氧化硅碗状阵列和P型氮化镓层的表面蒸镀反光金属薄膜，选用酸性硫酸铜电镀液在导电薄膜的上表面电镀金属铜；采用激光剥离技术去除外延片中的蓝宝石衬底，露出P型氮化镓层另一面的N型氮化镓层的表面；通过光刻技术、电子束蒸发技术和金属剥离技术在N型氮化镓层的表面沉积金属薄膜，作为N电极，位置刚好对应于下方的二氧化硅碗状阵列，完成制备。
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公开(公告)号：CN103943738A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201410184117.X
申请日：2014-05-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/46
Abstract: 一种抑制电极光吸收的发光二极管的制备方法，包括：在一具有蓝宝石衬底的氮化镓LED外延片上表面的P型氮化镓层上沉积SiO2层并制作图形；在图形上制作一单层微纳米球，形成基片；将基片加热，使得微纳米球坍塌为半球型并固定在SiO2图形的上表面上；去除图形中的SiO2层的部分；在SiO2层的上表面蒸镀反光金属薄膜，并电镀金属铜；采用激光剥离技术去除外延片中的蓝宝石衬底，露出P型氮化镓层另一面的N型氮化镓层的表面；在N型氮化镓层的表面沉积金属薄膜，作为N电极，位置刚好对应于下方微纳米半球形成的曲面，完成制备。本发明是在金属电极正下方的特定区域制作反光曲面抑制电极对光的吸收，可以提高器件的出光效率。
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公开(公告)号：CN103646923A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201310706420.7
申请日：2013-12-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76877 , C25D7/12 , H01L21/76873 , H01L21/76883
Abstract: 本发明公开了一种晶圆级基板微通孔电镀方法，包括：化学清洗并高温酸洗带微通孔的基板；其中基板上带有通孔，高温酸洗后过PI和无水乙醇；晶圆级基板一面蒸镀金属引导层；金属引导层表面粘贴绝缘层；外电源阳极与金属引导层相连接后，将所述基板放入硫酸铜溶液，直到基板背面通孔顶部冒出为止；去掉绝缘层，并将去掉绝缘层的面与陶瓷盘固定，减薄机抛光突出部分；去除陶瓷盘，完成微通孔电镀。
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公开(公告)号：CN103528802A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201310529305.7
申请日：2013-10-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01M11/02
Abstract: 本发明公开了一种测量氮化物LED内量子效率的方法，包括如下步骤：制作多个氮化物LED测试样品，使之自下至上依次为衬底、n型层、有源区、p型层和ITO层；从各测试样品表面到n型层刻蚀出一个台面，在该台面上蒸镀上n电极，在ITO层表面蒸镀p电极，在除电极外四周其它区域蒸镀一层光吸收抑制层，在各测试样品表面中心位置光刻出一定孔径的出光孔；计算测试样品的光提取效率；利用积分球测量各测试样品，获得在不同电流密度下的不同孔径内的光功率；通过光功率计算测试样品的外量子效率，并通过所得到的光提取效率计算内量子效率。本发明能够消除光致发光谱测量内量子效率带来的负面影响。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103219437A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201310141878.2
申请日：2013-04-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明公开了一种蓝宝石图形衬底的制备方法，其包括如下步骤：步骤1：在蓝宝石衬底表面形成掩膜层；步骤2：将掩膜层图形化，形成掩膜图形；步骤3：利用干法刻蚀具有掩膜图形的蓝宝石衬底，并形成与所述掩膜图形对应的原始凸起；步骤4：利用湿法修饰所述原始凸起的表面，使其表面粗化形成最终的凸起图形。该制备方法利用干法刻蚀技术制备出图形形貌可控，均匀性、稳定性好的图形衬底中间产品，后续使用湿法腐蚀去除物理损伤改善表面反射率，进一步提高LED出光效率。
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公开(公告)号：CN103943738B
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201410184117.X
申请日：2014-05-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种抑制电极光吸收的发光二极管的制备方法，包括：在一具有蓝宝石衬底的氮化镓LED外延片上表面的P型氮化镓层上沉积SiO2层并制作图形；在图形上制作一单层微纳米球，形成基片；将基片加热，使得微纳米球坍塌为半球型并固定在SiO2图形的上表面上；去除图形中的SiO2层的部分；在SiO2层的上表面蒸镀反光金属薄膜，并电镀金属铜；采用激光剥离技术去除外延片中的蓝宝石衬底，露出P型氮化镓层另一面的N型氮化镓层的表面；在N型氮化镓层的表面沉积金属薄膜，作为N电极，位置刚好对应于下方微纳米半球形成的曲面，完成制备。本发明是在N电极正下方的特定区域制作反光曲面抑制电极对光的吸收，可以提高器件的出光效率。
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公开(公告)号：CN103528802B
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201310529305.7
申请日：2013-10-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01M11/02
Abstract: 本发明公开了一种测量氮化物LED内量子效率的方法，包括如下步骤：制作多个氮化物LED测试样品，使之自下至上依次为衬底、n型层、有源区、p型层和ITO层；从各测试样品表面到n型层刻蚀出一个台面，在该台面上蒸镀上n电极，在ITO层表面蒸镀p电极，在除电极外四周其它区域蒸镀一层光吸收抑制层，在各测试样品表面中心位置光刻出一定孔径的出光孔；计算测试样品的光提取效率；利用积分球测量各测试样品，获得在不同电流密度下的不同孔径内的光功率；通过光功率计算测试样品的外量子效率，并通过所得到的光提取效率计算内量子效率。本发明能够消除光致发光谱测量内量子效率带来的负面影响。
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公开(公告)号：CN103579467A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310585537.4
申请日：2013-11-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/58
CPC classification number: H01L33/58 , G03F7/0002 , H01L2933/0058
Abstract: 一种晶圆级微透镜压印成型方法，包括以下步骤：步骤1：将半导体发光二极管芯粒固定在晶圆级基板上；步骤2：在晶圆级基板和芯粒上方涂覆均匀的光敏胶；步骤3：将晶圆级基板、芯粒及涂覆有光敏胶一起固化；步骤4：固化完成后，在光敏胶的表面光刻、曝光，形成掩膜图形；步骤5：显影、刻蚀，将光敏胶刻蚀成半球形透镜，完成制备。本发明可以大大提高出光效率，使得发光二极管外量子效率提升，特别适合大规模的产业化制作微透镜。
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