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公开(公告)号：CN119995529A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202510118293.1
申请日：2025-01-24
Applicant: 西安工程大学
Abstract: 本发明公开了具有宽调谐范围的可变增益超宽带低噪声放大器，包括连接在一起的可调谐输入匹配电路和LNA核心放大电路，所述可调谐输入匹配电路用于输入阻抗和噪声匹配，所述LNA核心放大电路用于增益调谐，所述LNA核心放大电路包括两级级联的共源共栅电路，信号由所述可调谐输入匹配电路进入到LNA核心放大电路，经过第一级共源共栅放大器放大后，再经过第二级共源共栅放大器对信号进一步放大，最后由输出端输出。本发明解决了传统的VG‑LNA在宽带应用中增益调谐时，输入阻抗不稳定、增益调谐范围小和增益变化步长不一致的问题。
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公开(公告)号：CN108516541A
公开(公告)日：2018-09-11
申请号：CN201810320411.7
申请日：2018-04-02
IPC: C01B32/194 , C01B32/186
Abstract: 本发明公开了一种新型CVD石墨烯干法转移方法，在石墨烯/铜箔上依次旋涂配置的PVP胶和PVA胶，烘箱烘干；将所得的PVA/PVP/石墨烯/铜箔取出，剥离PVA/PVP/石墨烯薄膜，然后将剥离的薄膜转移至两片透明载玻片中间，预热，使薄膜自然舒展后，浸入温热的无水乙醇中5s后取出，粘附在清洗过后的衬底上，待自然晾干后，置于75℃的水蒸气中10min，置于烘箱烘干；将PVA/PVP/石墨烯/衬底取出，置于75℃的去离子水中，清除PVA/PVP胶体后，去离子水清洗5次，烘箱烘干。本发明具有保护胶残留较少，无重金属残留，有机溶剂残留少、转移石墨烯用时少、成本低，转移墨烯质量较高等优点。
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公开(公告)号：CN106057929A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610378283.2
申请日：2016-05-31
Applicant: 西安工程大学
IPC: H01L31/028 , H01L31/105 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/105 , H01L31/028 , H01L31/1808 , H01L31/1812
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅基PIN结构近红外光电二极管，本发明还公开了碳化硅基PIN结构近红外光电二极管的制备方法，首先对N型单晶碳化硅衬底进行清洗，清洗后用氮气吹干待用，然后对N型单晶碳化硅衬底进行沉积，沉积出本征晶体锗薄膜；其次对得到的本征晶体锗薄膜再次进行沉积，沉积出P型重掺杂晶体锗薄膜，再次对得到的带有P型重掺杂晶体锗薄膜的样品在N型单晶碳化硅面沉积ITO电极，接下来对得到的样品在P型重掺杂晶体锗薄膜上沉积ITO电极，最后进行退火以形成欧姆接触，然后利用网版印刷法于正背面将银导线与ITO电极连接形成引出电极，本发明解决了现有技术中存在的由于碳化硅材料禁带宽而使只能受控于紫外光源而不能近红外通信光源的问题。
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公开(公告)号：CN105552121A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201610083760.2
申请日：2016-02-14
Applicant: 西安工程大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/08 , H01L29/16
CPC classification number: H01L29/739 , H01L29/0821 , H01L29/161
Abstract: 本发明公开的基于锗硅集电区的IGBT结构，包括有P+锗硅集电区，P+锗硅集电区的下部设有第一电极，P+锗硅集电区的上部设有复合区，复合区的上部靠近边缘处对称的设置有两个SiO2栅氧层，两个SiO2栅氧层之间的复合区上部设有第三电极，每个SiO2栅氧层的上部依次设有多晶硅栅及第二电极；复合区包括紧贴P+锗硅集电区设置的N-漂移区，N-漂移区的上部内嵌有P基区，P基区内靠近顶部处内嵌有两个N+发射区。本发明的IGBT结构具有集电极电流大及关断时间短的优点，改善了IGBT的电流传输能力，以及关断特性，提升了IGBT芯片面积的使用率，减小了IGBT的关断损耗，便于IGBT向尺寸小、功耗低的方向发展。
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公开(公告)号：CN118437398A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410525875.7
申请日：2024-04-29
Applicant: 西安工程大学
Abstract: 本发明公开了一种三元多种催化协同光触媒压电薄膜的制备方法，该方法包括：CeO2粉体和CeO2纳米管(CeNT)/g‑C3N4复合材料的制备、二元g‑C3N4/PVDF光触媒压电薄膜的制备以及三元CeNT/g‑C3N4/PVDF光触媒压电薄膜的制备等步骤。该方法引入了柔性压电材料PVDF薄膜，通过复合g‑C3N4与CeNT/g‑C3N4异质结光催化剂，促进PVDF薄膜压电性能卓越的β相的生成，并利用柔性薄膜负载光催化剂的方式，提高整体循环利用性。通过压电增强型—光催化协同反应机理，利用异质结内建电场和叠加压电极化场的协同作用，提高了光催化反应效率。通过本申请制备得到的三元CeNT/g‑C3N4/PVDF光触媒压电薄膜解决了现有技术中存在的印染废水处理效率低、材料难以回收的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116626467B
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202310630327.6
申请日：2023-05-31
Applicant: 西安工程大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开的快速检出硅光电倍增管芯片次品的检测方法，利用半导体精密参数分析仪与探针台测量SiPM芯片的伏安特性曲线，芯片无需切片封装，可以直接通过肉眼观察SiPM芯片的反向伏安特性曲线是否有两个凹拐点判断SiPM芯片是否能够正常工作，如果反向伏安特性曲线没有两个凹拐点，则可以判定为次品。本发明提出的检测方法也可以通过人工智能图像识别判断SiPM芯片的反向伏安(I‑V)特性曲线是否有两个凹拐点，进而判定待测SiPM芯片是否为次品，还可以通过本发明提出的算法利用计算机自动检出SiPM芯片中的次品。
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公开(公告)号：CN111254414B
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202010071226.6
申请日：2020-01-21
Applicant: 西安工程大学
Abstract: 本发明公开了一种柔性石墨烯基硅纳米线异质结的制备与转移方法，将石墨烯湿法转移至SiO2/Si上，采用金属催化VLS机制的CVD法(化学气相沉积法)，利用2nm厚Au作为催化剂，在石墨烯上直接生长Si纳米线。生长温度为500℃，源气体SiH4流量为10sccm，生长压力1.33×104Pa，生长时间10分钟。生长结束后，关闭SiH4气体阀门，在氩气保护下，CVD炉自然冷却后得到石墨烯基硅纳米线异质结。然后，将制备好的石墨烯基硅纳米线异质结，旋涂PMMA/PDMS双支撑膜，利用NaOH溶液刻蚀掉SiO2，实现石墨烯基硅纳米线异质结的整体转移，得到柔性、可移植的石墨烯基硅纳米线异质结。
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公开(公告)号：CN107579129B
公开(公告)日：2019-03-26
申请号：CN201710803903.7
申请日：2017-09-04
Applicant: 西安工程大学
IPC: H01L31/0392 , H01L31/028 , H01L31/109 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开一种碳化硅/晶体‑锗/石墨烯异质结光电器件及其制造方法，该光电器件包括两电极，两电极之间从上往下依次连接有石墨烯层、晶体锗薄膜层、单晶碳化硅衬底，所述石墨烯层为单原子层厚或者多原子层厚，晶体锗薄膜层的厚度为0.5‑5微米，单晶碳化硅衬底的厚度为100‑400微米。本发明利用石墨烯的高透过率和高载流子迁移率，Ge对近红外光的高敏感度，与SiC形成新型的SiC基Ge/石墨烯异质结，得到了一种可应用于大功率、高温环境的高速、高响应的近红外光控器件。
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公开(公告)号：CN107579129A
公开(公告)日：2018-01-12
申请号：CN201710803903.7
申请日：2017-09-04
Applicant: 西安工程大学
IPC: H01L31/0392 , H01L31/028 , H01L31/109 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开一种碳化硅/晶体-锗/石墨烯异质结光电器件及其制造方法，该光电器件包括两电极，两电极之间从上往下依次连接有石墨烯层、晶体锗薄膜层、单晶碳化硅衬底，所述石墨烯层为单原子层厚或者多原子层厚，晶体锗薄膜层的厚度为0.5-5微米，单晶碳化硅衬底的厚度为100-400微米。本发明利用石墨烯的高透过率和高载流子迁移率，Ge对近红外光的高敏感度，与SiC形成新型的SiC基Ge/石墨烯异质结，得到了一种可应用于大功率、高温环境的高速、高响应的近红外光控器件。
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公开(公告)号：CN114978155B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202210758516.7
申请日：2022-06-30
Applicant: 西安工程大学
IPC: H03L7/08
Abstract: 本发明公开了一种具有优化相位噪声的锁相环系统，包括构成一个闭环系统的时间数字转换器、数字环路滤波器、数模转换器、压控振荡器以及分频器；时间数字转换器的一个输入基准信号是R、另一个输入信号是D，时间数字转换器的输出信号DI为数字环路滤波器的输入信号，数字环路滤波器的输出信号FDI为数模转换器的输入信号，数模转换器的输出信号VI为压控振荡器的输入信号，压控振荡器的输出信号P为分频器的输入信号，分频器的输出信号为时间数字转换器的另一个输入信号D。本发明利用数模转换器级联压控振荡器代替数控振荡器降低相位噪声，利用高精度的时间数字转换器和精度较高的数模转换器改善相位噪声。
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