-
公开(公告)号：CN108516541B
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN201810320411.7
申请日：2018-04-02
IPC: C01B32/194 , C01B32/186
Abstract: 本发明公开了一种CVD石墨烯干法转移方法，在石墨烯/铜箔上依次旋涂配置的PVP胶和PVA胶，烘箱烘干；将所得的PVA/PVP/石墨烯/铜箔取出，剥离PVA/PVP/石墨烯薄膜，然后将剥离的薄膜转移至两片透明载玻片中间，预热，使薄膜自然舒展后，浸入温热的无水乙醇中5s后取出，粘附在清洗过后的衬底上，待自然晾干后，置于75℃的水蒸气中10min，置于烘箱烘干；将PVA/PVP/石墨烯/衬底取出，置于75℃的去离子水中，清除PVA/PVP胶体后，去离子水清洗5次，烘箱烘干。本发明具有保护胶残留较少，无重金属残留，有机溶剂残留少、转移石墨烯用时少、成本低，转移墨烯质量较高等优点。
-
公开(公告)号：CN111254414A
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN202010071226.6
申请日：2020-01-21
Applicant: 西安工程大学
Abstract: 本发明公开了一种柔性石墨烯基硅纳米线异质结的制备与转移方法，将石墨烯湿法转移至SiO2/Si上，采用金属催化VLS机制的CVD法(化学气相沉积法)，利用2nm厚Au作为催化剂，在石墨烯上直接生长Si纳米线。生长温度为500℃，源气体SiH4流量为10sccm，生长压力1.33×104Pa，生长时间10分钟。生长结束后，关闭SiH4气体阀门，在氩气保护下，CVD炉自然冷却后得到石墨烯基硅纳米线异质结。然后，将制备好的石墨烯基硅纳米线异质结，旋涂PMMA/PDMS双支撑膜，利用NaOH溶液刻蚀掉SiO2，实现石墨烯基硅纳米线异质结的整体转移，得到柔性、可移植的石墨烯基硅纳米线异质结。
-
公开(公告)号：CN111254414B
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202010071226.6
申请日：2020-01-21
Applicant: 西安工程大学
Abstract: 本发明公开了一种柔性石墨烯基硅纳米线异质结的制备与转移方法，将石墨烯湿法转移至SiO2/Si上，采用金属催化VLS机制的CVD法(化学气相沉积法)，利用2nm厚Au作为催化剂，在石墨烯上直接生长Si纳米线。生长温度为500℃，源气体SiH4流量为10sccm，生长压力1.33×104Pa，生长时间10分钟。生长结束后，关闭SiH4气体阀门，在氩气保护下，CVD炉自然冷却后得到石墨烯基硅纳米线异质结。然后，将制备好的石墨烯基硅纳米线异质结，旋涂PMMA/PDMS双支撑膜，利用NaOH溶液刻蚀掉SiO2，实现石墨烯基硅纳米线异质结的整体转移，得到柔性、可移植的石墨烯基硅纳米线异质结。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107579129A
公开(公告)日：2018-01-12
申请号：CN201710803903.7
申请日：2017-09-04
Applicant: 西安工程大学
IPC: H01L31/0392 , H01L31/028 , H01L31/109 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开一种碳化硅/晶体-锗/石墨烯异质结光电器件及其制造方法，该光电器件包括两电极，两电极之间从上往下依次连接有石墨烯层、晶体锗薄膜层、单晶碳化硅衬底，所述石墨烯层为单原子层厚或者多原子层厚，晶体锗薄膜层的厚度为0.5-5微米，单晶碳化硅衬底的厚度为100-400微米。本发明利用石墨烯的高透过率和高载流子迁移率，Ge对近红外光的高敏感度，与SiC形成新型的SiC基Ge/石墨烯异质结，得到了一种可应用于大功率、高温环境的高速、高响应的近红外光控器件。
-
公开(公告)号：CN109116589A
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：CN201811185140.5
申请日：2018-10-11
Applicant: 西安工程大学
IPC: G02F1/015
Abstract: 本发明公开了一种新型PIN电光调制器结构，包括N-Sub层，N-Sub层的顶部设置有SiO2埋层，SiO2埋层顶部的两侧分别设置有P+阱区、N+阱区，P+阱区、N+阱区之间设置有本征N型锗硅调制区，本征N型锗硅调制区与P+阱区、N+阱区接触位置处呈锯齿状配合接触形成横向双异质结，本征N型锗硅调制区呈脊型凸起状，P+阱区的顶部设置有第一电极，N+阱区的顶部设置有第二电极，第一电极、本征N型锗硅调制区及第二电极的上部均覆盖有SiO2覆盖层，本发明不仅能提高载流子浓度，增强等离子色散效应，而且可以抑制温升，削弱热光效应，提高调制效率。
-
公开(公告)号：CN106057929B
公开(公告)日：2018-03-23
申请号：CN201610378283.2
申请日：2016-05-31
Applicant: 西安工程大学
IPC: H01L31/028 , H01L31/105 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅基PIN结构近红外光电二极管，本发明还公开了碳化硅基PIN结构近红外光电二极管的制备方法，首先对N型单晶碳化硅衬底进行清洗，清洗后用氮气吹干待用，然后对N型单晶碳化硅衬底进行沉积，沉积出本征晶体锗薄膜；其次对得到的本征晶体锗薄膜再次进行沉积，沉积出P型重掺杂晶体锗薄膜，再次对得到的带有P型重掺杂晶体锗薄膜的样品在N型单晶碳化硅面沉积ITO电极，接下来对得到的样品在P型重掺杂晶体锗薄膜上沉积ITO电极，最后进行退火以形成欧姆接触，然后利用网版印刷法于正背面将银导线与ITO电极连接形成引出电极，本发明解决了现有技术中存在的由于碳化硅材料禁带宽而使只能受控于紫外光源而不能近红外通信光源的问题。
-
公开(公告)号：CN108516541A
公开(公告)日：2018-09-11
申请号：CN201810320411.7
申请日：2018-04-02
IPC: C01B32/194 , C01B32/186
Abstract: 本发明公开了一种新型CVD石墨烯干法转移方法，在石墨烯/铜箔上依次旋涂配置的PVP胶和PVA胶，烘箱烘干；将所得的PVA/PVP/石墨烯/铜箔取出，剥离PVA/PVP/石墨烯薄膜，然后将剥离的薄膜转移至两片透明载玻片中间，预热，使薄膜自然舒展后，浸入温热的无水乙醇中5s后取出，粘附在清洗过后的衬底上，待自然晾干后，置于75℃的水蒸气中10min，置于烘箱烘干；将PVA/PVP/石墨烯/衬底取出，置于75℃的去离子水中，清除PVA/PVP胶体后，去离子水清洗5次，烘箱烘干。本发明具有保护胶残留较少，无重金属残留，有机溶剂残留少、转移石墨烯用时少、成本低，转移墨烯质量较高等优点。
-
公开(公告)号：CN106057929A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610378283.2
申请日：2016-05-31
Applicant: 西安工程大学
IPC: H01L31/028 , H01L31/105 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/105 , H01L31/028 , H01L31/1808 , H01L31/1812
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅基PIN结构近红外光电二极管，本发明还公开了碳化硅基PIN结构近红外光电二极管的制备方法，首先对N型单晶碳化硅衬底进行清洗，清洗后用氮气吹干待用，然后对N型单晶碳化硅衬底进行沉积，沉积出本征晶体锗薄膜；其次对得到的本征晶体锗薄膜再次进行沉积，沉积出P型重掺杂晶体锗薄膜，再次对得到的带有P型重掺杂晶体锗薄膜的样品在N型单晶碳化硅面沉积ITO电极，接下来对得到的样品在P型重掺杂晶体锗薄膜上沉积ITO电极，最后进行退火以形成欧姆接触，然后利用网版印刷法于正背面将银导线与ITO电极连接形成引出电极，本发明解决了现有技术中存在的由于碳化硅材料禁带宽而使只能受控于紫外光源而不能近红外通信光源的问题。
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
8
records
(took 0.018 seconds)
