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公开(公告)号：CN106057929B
公开(公告)日：2018-03-23
申请号：CN201610378283.2
申请日：2016-05-31
Applicant: 西安工程大学
IPC: H01L31/028 , H01L31/105 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅基PIN结构近红外光电二极管，本发明还公开了碳化硅基PIN结构近红外光电二极管的制备方法，首先对N型单晶碳化硅衬底进行清洗，清洗后用氮气吹干待用，然后对N型单晶碳化硅衬底进行沉积，沉积出本征晶体锗薄膜；其次对得到的本征晶体锗薄膜再次进行沉积，沉积出P型重掺杂晶体锗薄膜，再次对得到的带有P型重掺杂晶体锗薄膜的样品在N型单晶碳化硅面沉积ITO电极，接下来对得到的样品在P型重掺杂晶体锗薄膜上沉积ITO电极，最后进行退火以形成欧姆接触，然后利用网版印刷法于正背面将银导线与ITO电极连接形成引出电极，本发明解决了现有技术中存在的由于碳化硅材料禁带宽而使只能受控于紫外光源而不能近红外通信光源的问题。
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公开(公告)号：CN106057929A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610378283.2
申请日：2016-05-31
Applicant: 西安工程大学
IPC: H01L31/028 , H01L31/105 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/105 , H01L31/028 , H01L31/1808 , H01L31/1812
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅基PIN结构近红外光电二极管，本发明还公开了碳化硅基PIN结构近红外光电二极管的制备方法，首先对N型单晶碳化硅衬底进行清洗，清洗后用氮气吹干待用，然后对N型单晶碳化硅衬底进行沉积，沉积出本征晶体锗薄膜；其次对得到的本征晶体锗薄膜再次进行沉积，沉积出P型重掺杂晶体锗薄膜，再次对得到的带有P型重掺杂晶体锗薄膜的样品在N型单晶碳化硅面沉积ITO电极，接下来对得到的样品在P型重掺杂晶体锗薄膜上沉积ITO电极，最后进行退火以形成欧姆接触，然后利用网版印刷法于正背面将银导线与ITO电极连接形成引出电极，本发明解决了现有技术中存在的由于碳化硅材料禁带宽而使只能受控于紫外光源而不能近红外通信光源的问题。
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公开(公告)号：CN107579129B
公开(公告)日：2019-03-26
申请号：CN201710803903.7
申请日：2017-09-04
Applicant: 西安工程大学
IPC: H01L31/0392 , H01L31/028 , H01L31/109 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开一种碳化硅/晶体‑锗/石墨烯异质结光电器件及其制造方法，该光电器件包括两电极，两电极之间从上往下依次连接有石墨烯层、晶体锗薄膜层、单晶碳化硅衬底，所述石墨烯层为单原子层厚或者多原子层厚，晶体锗薄膜层的厚度为0.5‑5微米，单晶碳化硅衬底的厚度为100‑400微米。本发明利用石墨烯的高透过率和高载流子迁移率，Ge对近红外光的高敏感度，与SiC形成新型的SiC基Ge/石墨烯异质结，得到了一种可应用于大功率、高温环境的高速、高响应的近红外光控器件。
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公开(公告)号：CN107579129A
公开(公告)日：2018-01-12
申请号：CN201710803903.7
申请日：2017-09-04
Applicant: 西安工程大学
IPC: H01L31/0392 , H01L31/028 , H01L31/109 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开一种碳化硅/晶体-锗/石墨烯异质结光电器件及其制造方法，该光电器件包括两电极，两电极之间从上往下依次连接有石墨烯层、晶体锗薄膜层、单晶碳化硅衬底，所述石墨烯层为单原子层厚或者多原子层厚，晶体锗薄膜层的厚度为0.5-5微米，单晶碳化硅衬底的厚度为100-400微米。本发明利用石墨烯的高透过率和高载流子迁移率，Ge对近红外光的高敏感度，与SiC形成新型的SiC基Ge/石墨烯异质结，得到了一种可应用于大功率、高温环境的高速、高响应的近红外光控器件。
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