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公开(公告)号：CN105137620A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201510603240.5
申请日：2015-09-21
Applicant: 西安工程大学
IPC: G02F1/015
CPC classification number: G02F1/015 , G02F2001/0151
Abstract: 本发明公开的一种波状PIN电光调制器结构，包括有N-Sub型衬底，N-Sub型衬底的上部设置有SiO2埋层，SiO2埋层上部的两侧各设置分别设置有波状P+阱区、波状N+阱区，SiO2埋层上部的波状P+阱区、波状N+阱区之间设置有本征N型调制区，波状P+阱区的上部配设有第一电极，波状N+阱区的上部配设有第二电极，第一电极、本征N型调制区及第二电极的上部覆盖有SiO2覆盖层。本发明的波状PIN电光调制器结构，不仅有效降低PIN电光调制器的发热，抑制热光效应对PIN电光调制器的影响，还能高载流子注入，增强等离子色散效应。
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公开(公告)号：CN111254414B
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202010071226.6
申请日：2020-01-21
Applicant: 西安工程大学
Abstract: 本发明公开了一种柔性石墨烯基硅纳米线异质结的制备与转移方法，将石墨烯湿法转移至SiO2/Si上，采用金属催化VLS机制的CVD法(化学气相沉积法)，利用2nm厚Au作为催化剂，在石墨烯上直接生长Si纳米线。生长温度为500℃，源气体SiH4流量为10sccm，生长压力1.33×104Pa，生长时间10分钟。生长结束后，关闭SiH4气体阀门，在氩气保护下，CVD炉自然冷却后得到石墨烯基硅纳米线异质结。然后，将制备好的石墨烯基硅纳米线异质结，旋涂PMMA/PDMS双支撑膜，利用NaOH溶液刻蚀掉SiO2，实现石墨烯基硅纳米线异质结的整体转移，得到柔性、可移植的石墨烯基硅纳米线异质结。
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公开(公告)号：CN107579129B
公开(公告)日：2019-03-26
申请号：CN201710803903.7
申请日：2017-09-04
Applicant: 西安工程大学
IPC: H01L31/0392 , H01L31/028 , H01L31/109 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开一种碳化硅/晶体‑锗/石墨烯异质结光电器件及其制造方法，该光电器件包括两电极，两电极之间从上往下依次连接有石墨烯层、晶体锗薄膜层、单晶碳化硅衬底，所述石墨烯层为单原子层厚或者多原子层厚，晶体锗薄膜层的厚度为0.5‑5微米，单晶碳化硅衬底的厚度为100‑400微米。本发明利用石墨烯的高透过率和高载流子迁移率，Ge对近红外光的高敏感度，与SiC形成新型的SiC基Ge/石墨烯异质结，得到了一种可应用于大功率、高温环境的高速、高响应的近红外光控器件。
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公开(公告)号：CN107579129A
公开(公告)日：2018-01-12
申请号：CN201710803903.7
申请日：2017-09-04
Applicant: 西安工程大学
IPC: H01L31/0392 , H01L31/028 , H01L31/109 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开一种碳化硅/晶体-锗/石墨烯异质结光电器件及其制造方法，该光电器件包括两电极，两电极之间从上往下依次连接有石墨烯层、晶体锗薄膜层、单晶碳化硅衬底，所述石墨烯层为单原子层厚或者多原子层厚，晶体锗薄膜层的厚度为0.5-5微米，单晶碳化硅衬底的厚度为100-400微米。本发明利用石墨烯的高透过率和高载流子迁移率，Ge对近红外光的高敏感度，与SiC形成新型的SiC基Ge/石墨烯异质结，得到了一种可应用于大功率、高温环境的高速、高响应的近红外光控器件。
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公开(公告)号：CN105093569B
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201510562937.2
申请日：2015-09-07
Applicant: 西安工程大学
IPC: G02F1/015
Abstract: 本发明公开了一种双异质结PIN电光调制器结构，包括有N‑Sub型衬底，N‑Sub型衬底的上部设置有SiO2埋层，SiO2埋层上部的两侧分别设置有P+阱区、N+阱区，P+阱区、N+阱区之间设置有本征N型锗硅调制区，P+阱区的上部设置有第一电极，N+阱区的上部设置有第二电极，第一电极、本征N型锗硅调制区及第二电极的上部覆盖有SiO2覆盖层。本发明的双异质结PIN电光调制器结构是一种高载流子注入，低调制功耗的PIN电光调制器，可代替常规硅基PIN电光调制器结构，在电光调制时能够获得更小的调制功耗，提升了光电转换效率，减小了光电集成中电学元件的比重，便于光电集成向更小尺寸的发展。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106057929B
公开(公告)日：2018-03-23
申请号：CN201610378283.2
申请日：2016-05-31
Applicant: 西安工程大学
IPC: H01L31/028 , H01L31/105 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅基PIN结构近红外光电二极管，本发明还公开了碳化硅基PIN结构近红外光电二极管的制备方法，首先对N型单晶碳化硅衬底进行清洗，清洗后用氮气吹干待用，然后对N型单晶碳化硅衬底进行沉积，沉积出本征晶体锗薄膜；其次对得到的本征晶体锗薄膜再次进行沉积，沉积出P型重掺杂晶体锗薄膜，再次对得到的带有P型重掺杂晶体锗薄膜的样品在N型单晶碳化硅面沉积ITO电极，接下来对得到的样品在P型重掺杂晶体锗薄膜上沉积ITO电极，最后进行退火以形成欧姆接触，然后利用网版印刷法于正背面将银导线与ITO电极连接形成引出电极，本发明解决了现有技术中存在的由于碳化硅材料禁带宽而使只能受控于紫外光源而不能近红外通信光源的问题。
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公开(公告)号：CN108516541A
公开(公告)日：2018-09-11
申请号：CN201810320411.7
申请日：2018-04-02
IPC: C01B32/194 , C01B32/186
Abstract: 本发明公开了一种新型CVD石墨烯干法转移方法，在石墨烯/铜箔上依次旋涂配置的PVP胶和PVA胶，烘箱烘干；将所得的PVA/PVP/石墨烯/铜箔取出，剥离PVA/PVP/石墨烯薄膜，然后将剥离的薄膜转移至两片透明载玻片中间，预热，使薄膜自然舒展后，浸入温热的无水乙醇中5s后取出，粘附在清洗过后的衬底上，待自然晾干后，置于75℃的水蒸气中10min，置于烘箱烘干；将PVA/PVP/石墨烯/衬底取出，置于75℃的去离子水中，清除PVA/PVP胶体后，去离子水清洗5次，烘箱烘干。本发明具有保护胶残留较少，无重金属残留，有机溶剂残留少、转移石墨烯用时少、成本低，转移墨烯质量较高等优点。
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公开(公告)号：CN106057929A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610378283.2
申请日：2016-05-31
Applicant: 西安工程大学
IPC: H01L31/028 , H01L31/105 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/105 , H01L31/028 , H01L31/1808 , H01L31/1812
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅基PIN结构近红外光电二极管，本发明还公开了碳化硅基PIN结构近红外光电二极管的制备方法，首先对N型单晶碳化硅衬底进行清洗，清洗后用氮气吹干待用，然后对N型单晶碳化硅衬底进行沉积，沉积出本征晶体锗薄膜；其次对得到的本征晶体锗薄膜再次进行沉积，沉积出P型重掺杂晶体锗薄膜，再次对得到的带有P型重掺杂晶体锗薄膜的样品在N型单晶碳化硅面沉积ITO电极，接下来对得到的样品在P型重掺杂晶体锗薄膜上沉积ITO电极，最后进行退火以形成欧姆接触，然后利用网版印刷法于正背面将银导线与ITO电极连接形成引出电极，本发明解决了现有技术中存在的由于碳化硅材料禁带宽而使只能受控于紫外光源而不能近红外通信光源的问题。
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公开(公告)号：CN105552121A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201610083760.2
申请日：2016-02-14
Applicant: 西安工程大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/08 , H01L29/16
CPC classification number: H01L29/739 , H01L29/0821 , H01L29/161
Abstract: 本发明公开的基于锗硅集电区的IGBT结构，包括有P+锗硅集电区，P+锗硅集电区的下部设有第一电极，P+锗硅集电区的上部设有复合区，复合区的上部靠近边缘处对称的设置有两个SiO2栅氧层，两个SiO2栅氧层之间的复合区上部设有第三电极，每个SiO2栅氧层的上部依次设有多晶硅栅及第二电极；复合区包括紧贴P+锗硅集电区设置的N-漂移区，N-漂移区的上部内嵌有P基区，P基区内靠近顶部处内嵌有两个N+发射区。本发明的IGBT结构具有集电极电流大及关断时间短的优点，改善了IGBT的电流传输能力，以及关断特性，提升了IGBT芯片面积的使用率，减小了IGBT的关断损耗，便于IGBT向尺寸小、功耗低的方向发展。
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公开(公告)号：CN115881839A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202211473690.3
申请日：2022-11-22
Applicant: 西安工程大学
IPC: H01L31/028 , H01L31/109 , H01L31/18 , C23C14/18 , C23C14/28
Abstract: 本发明公开了柔性石墨烯/锗异质结的制备方法，以高纯Ge作为靶材，铜箔石墨烯作为衬底，激光作为粒子激发源，采用PLD法在铜箔石墨烯上沉积锗薄膜。本发明还公开了柔性石墨烯/锗异质结的转移方法，给制备好的柔性石墨烯/锗异质结旋涂PMMA支撑膜，然后用CuSO4溶液刻蚀掉铜箔，实现柔性石墨烯/锗异质结的整体转移。本发明提供的柔性石墨烯/锗异质结的制备方法及转移方法解决了石墨烯由于光吸收率低，导致石墨烯探测器的光响应度较低，石墨烯自身的光生载流子寿命短的问题，可以制备出近红外高响应、高速度的石墨烯基异质结。
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