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公开(公告)号：CN105552121A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201610083760.2
申请日：2016-02-14
Applicant: 西安工程大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/08 , H01L29/16
CPC classification number: H01L29/739 , H01L29/0821 , H01L29/161
Abstract: 本发明公开的基于锗硅集电区的IGBT结构，包括有P+锗硅集电区，P+锗硅集电区的下部设有第一电极，P+锗硅集电区的上部设有复合区，复合区的上部靠近边缘处对称的设置有两个SiO2栅氧层，两个SiO2栅氧层之间的复合区上部设有第三电极，每个SiO2栅氧层的上部依次设有多晶硅栅及第二电极；复合区包括紧贴P+锗硅集电区设置的N-漂移区，N-漂移区的上部内嵌有P基区，P基区内靠近顶部处内嵌有两个N+发射区。本发明的IGBT结构具有集电极电流大及关断时间短的优点，改善了IGBT的电流传输能力，以及关断特性，提升了IGBT芯片面积的使用率，减小了IGBT的关断损耗，便于IGBT向尺寸小、功耗低的方向发展。
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公开(公告)号：CN112099137A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN202011059619.1
申请日：2020-09-30
Applicant: 西安工程大学
Abstract: 本发明的目的是提供一种条形中红外波导结构，包括Si衬底层，Si衬底层的顶部设置有相互间隔的条形SiO2埋氧层，条形SiO2埋氧层顶部中间位置处设置有条形Si波导层，条形Si波导层与条形SiO2埋氧层均垂直设置。本发明结构通过刻蚀部分埋氧层，从而形成以空气为部分下包层的中红外低损耗悬浮条形波导结构，有效减小了其SiO2埋氧层与条形Si波导层的接触面积，可以有效减小SiO2埋氧层的吸收损耗，从而降低波导的整体传输损耗，而且通过调节Si波导下方的条形SiO2埋氧层间距，可以对条形Si波导进行良好的支撑，防止波导塌陷。
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公开(公告)号：CN105137620A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201510603240.5
申请日：2015-09-21
Applicant: 西安工程大学
IPC: G02F1/015
CPC classification number: G02F1/015 , G02F2001/0151
Abstract: 本发明公开的一种波状PIN电光调制器结构，包括有N-Sub型衬底，N-Sub型衬底的上部设置有SiO2埋层，SiO2埋层上部的两侧各设置分别设置有波状P+阱区、波状N+阱区，SiO2埋层上部的波状P+阱区、波状N+阱区之间设置有本征N型调制区，波状P+阱区的上部配设有第一电极，波状N+阱区的上部配设有第二电极，第一电极、本征N型调制区及第二电极的上部覆盖有SiO2覆盖层。本发明的波状PIN电光调制器结构，不仅有效降低PIN电光调制器的发热，抑制热光效应对PIN电光调制器的影响，还能高载流子注入，增强等离子色散效应。
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公开(公告)号：CN112099138A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN202011059671.7
申请日：2020-09-30
Applicant: 西安工程大学
Abstract: 本发明的公开了一种脊型中红外波导结构，包括Si衬底层，Si衬底层顶部间隔设置有条形SiO2埋氧层，条形SiO2埋氧层中间位置的顶部设置有条形Si波导层，条形Si波导层与间隔设置的条形SiO2埋氧层均垂直，条形SiO2埋氧层剩余顶部位置上还设置有平板Si波导层，位于整块条形SiO2埋氧层的两端的两块平板Si波导层与条形Si波导层形成夹持关系，条形Si波导层与平板Si波导层共同构成脊型Si波导结构。该结构通过刻蚀部分埋氧层，从而形成以空气为部分下包层的中红外低损耗悬浮脊型波导结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109116589A
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：CN201811185140.5
申请日：2018-10-11
Applicant: 西安工程大学
IPC: G02F1/015
Abstract: 本发明公开了一种新型PIN电光调制器结构，包括N-Sub层，N-Sub层的顶部设置有SiO2埋层，SiO2埋层顶部的两侧分别设置有P+阱区、N+阱区，P+阱区、N+阱区之间设置有本征N型锗硅调制区，本征N型锗硅调制区与P+阱区、N+阱区接触位置处呈锯齿状配合接触形成横向双异质结，本征N型锗硅调制区呈脊型凸起状，P+阱区的顶部设置有第一电极，N+阱区的顶部设置有第二电极，第一电极、本征N型锗硅调制区及第二电极的上部均覆盖有SiO2覆盖层，本发明不仅能提高载流子浓度，增强等离子色散效应，而且可以抑制温升，削弱热光效应，提高调制效率。
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公开(公告)号：CN105093569B
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201510562937.2
申请日：2015-09-07
Applicant: 西安工程大学
IPC: G02F1/015
Abstract: 本发明公开了一种双异质结PIN电光调制器结构，包括有N‑Sub型衬底，N‑Sub型衬底的上部设置有SiO2埋层，SiO2埋层上部的两侧分别设置有P+阱区、N+阱区，P+阱区、N+阱区之间设置有本征N型锗硅调制区，P+阱区的上部设置有第一电极，N+阱区的上部设置有第二电极，第一电极、本征N型锗硅调制区及第二电极的上部覆盖有SiO2覆盖层。本发明的双异质结PIN电光调制器结构是一种高载流子注入，低调制功耗的PIN电光调制器，可代替常规硅基PIN电光调制器结构，在电光调制时能够获得更小的调制功耗，提升了光电转换效率，减小了光电集成中电学元件的比重，便于光电集成向更小尺寸的发展。
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公开(公告)号：CN105137620B
公开(公告)日：2018-05-18
申请号：CN201510603240.5
申请日：2015-09-21
Applicant: 西安工程大学
IPC: G02F1/015
Abstract: 本发明公开的一种波状PIN电光调制器结构，包括有N‑Sub型衬底，N‑Sub型衬底的上部设置有SiO2埋层，SiO2埋层上部的两侧各设置分别设置有波状P+阱区、波状N+阱区，SiO2埋层上部的波状P+阱区、波状N+阱区之间设置有本征N型调制区，波状P+阱区的上部配设有第一电极，波状N+阱区的上部配设有第二电极，第一电极、本征N型调制区及第二电极的上部覆盖有SiO2覆盖层。本发明的波状PIN电光调制器结构，不仅有效降低PIN电光调制器的发热，抑制热光效应对PIN电光调制器的影响，还能高载流子注入，增强等离子色散效应。
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公开(公告)号：CN106950646A
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201710119536.9
申请日：2017-03-02
Applicant: 西安工程大学
CPC classification number: G02B6/12007 , G02B6/122
Abstract: 本发明公开的一种内外双微环谐振器结构，包括有N‑Sub型衬底，N‑Sub型衬底的顶部设置有SiO2埋层，SiO2埋层顶部的两侧分别设置有上侧直波导和下侧直波导，SiO2埋层顶部的中间分别设置有外环形波导和内环形波导。本发明一种内外双微环谐振器结构具有谐振峰平坦和自由光谱范围大的优点，在不增加芯片面积和工艺成本的情况下，改善了微环谐振器的谐振特性，便于微环谐振器结构向高速、低功耗的方向发展。
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公开(公告)号：CN105093569A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201510562937.2
申请日：2015-09-07
Applicant: 西安工程大学
IPC: G02F1/015
Abstract: 本发明公开了一种双异质结PIN电光调制器结构，包括有N-Sub型衬底，N-Sub型衬底的上部设置有SiO2埋层，SiO2埋层上部的两侧分别设置有P+阱区、N+阱区，P+阱区、N+阱区之间设置有本征N型锗硅调制区，P+阱区的上部设置有第一电极，N+阱区的上部设置有第二电极，第一电极、本征N型锗硅调制区及第二电极的上部覆盖有SiO2覆盖层。本发明的双异质结PIN电光调制器结构是一种高载流子注入，低调制功耗的PIN电光调制器，可代替常规硅基PIN电光调制器结构，在电光调制时能够获得更小的调制功耗，提升了光电转换效率，减小了光电集成中电学元件的比重，便于光电集成向更小尺寸的发展。
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