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公开(公告)号：CN115881839A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202211473690.3
申请日：2022-11-22
Applicant: 西安工程大学
IPC: H01L31/028 , H01L31/109 , H01L31/18 , C23C14/18 , C23C14/28
Abstract: 本发明公开了柔性石墨烯/锗异质结的制备方法，以高纯Ge作为靶材，铜箔石墨烯作为衬底，激光作为粒子激发源，采用PLD法在铜箔石墨烯上沉积锗薄膜。本发明还公开了柔性石墨烯/锗异质结的转移方法，给制备好的柔性石墨烯/锗异质结旋涂PMMA支撑膜，然后用CuSO4溶液刻蚀掉铜箔，实现柔性石墨烯/锗异质结的整体转移。本发明提供的柔性石墨烯/锗异质结的制备方法及转移方法解决了石墨烯由于光吸收率低，导致石墨烯探测器的光响应度较低，石墨烯自身的光生载流子寿命短的问题，可以制备出近红外高响应、高速度的石墨烯基异质结。
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公开(公告)号：CN108516541B
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN201810320411.7
申请日：2018-04-02
IPC: C01B32/194 , C01B32/186
Abstract: 本发明公开了一种CVD石墨烯干法转移方法，在石墨烯/铜箔上依次旋涂配置的PVP胶和PVA胶，烘箱烘干；将所得的PVA/PVP/石墨烯/铜箔取出，剥离PVA/PVP/石墨烯薄膜，然后将剥离的薄膜转移至两片透明载玻片中间，预热，使薄膜自然舒展后，浸入温热的无水乙醇中5s后取出，粘附在清洗过后的衬底上，待自然晾干后，置于75℃的水蒸气中10min，置于烘箱烘干；将PVA/PVP/石墨烯/衬底取出，置于75℃的去离子水中，清除PVA/PVP胶体后，去离子水清洗5次，烘箱烘干。本发明具有保护胶残留较少，无重金属残留，有机溶剂残留少、转移石墨烯用时少、成本低，转移墨烯质量较高等优点。
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公开(公告)号：CN111254414A
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN202010071226.6
申请日：2020-01-21
Applicant: 西安工程大学
Abstract: 本发明公开了一种柔性石墨烯基硅纳米线异质结的制备与转移方法，将石墨烯湿法转移至SiO2/Si上，采用金属催化VLS机制的CVD法(化学气相沉积法)，利用2nm厚Au作为催化剂，在石墨烯上直接生长Si纳米线。生长温度为500℃，源气体SiH4流量为10sccm，生长压力1.33×104Pa，生长时间10分钟。生长结束后，关闭SiH4气体阀门，在氩气保护下，CVD炉自然冷却后得到石墨烯基硅纳米线异质结。然后，将制备好的石墨烯基硅纳米线异质结，旋涂PMMA/PDMS双支撑膜，利用NaOH溶液刻蚀掉SiO2，实现石墨烯基硅纳米线异质结的整体转移，得到柔性、可移植的石墨烯基硅纳米线异质结。
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公开(公告)号：CN111254414B
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202010071226.6
申请日：2020-01-21
Applicant: 西安工程大学
Abstract: 本发明公开了一种柔性石墨烯基硅纳米线异质结的制备与转移方法，将石墨烯湿法转移至SiO2/Si上，采用金属催化VLS机制的CVD法(化学气相沉积法)，利用2nm厚Au作为催化剂，在石墨烯上直接生长Si纳米线。生长温度为500℃，源气体SiH4流量为10sccm，生长压力1.33×104Pa，生长时间10分钟。生长结束后，关闭SiH4气体阀门，在氩气保护下，CVD炉自然冷却后得到石墨烯基硅纳米线异质结。然后，将制备好的石墨烯基硅纳米线异质结，旋涂PMMA/PDMS双支撑膜，利用NaOH溶液刻蚀掉SiO2，实现石墨烯基硅纳米线异质结的整体转移，得到柔性、可移植的石墨烯基硅纳米线异质结。
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公开(公告)号：CN107579129B
公开(公告)日：2019-03-26
申请号：CN201710803903.7
申请日：2017-09-04
Applicant: 西安工程大学
IPC: H01L31/0392 , H01L31/028 , H01L31/109 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开一种碳化硅/晶体‑锗/石墨烯异质结光电器件及其制造方法，该光电器件包括两电极，两电极之间从上往下依次连接有石墨烯层、晶体锗薄膜层、单晶碳化硅衬底，所述石墨烯层为单原子层厚或者多原子层厚，晶体锗薄膜层的厚度为0.5‑5微米，单晶碳化硅衬底的厚度为100‑400微米。本发明利用石墨烯的高透过率和高载流子迁移率，Ge对近红外光的高敏感度，与SiC形成新型的SiC基Ge/石墨烯异质结，得到了一种可应用于大功率、高温环境的高速、高响应的近红外光控器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107579129A
公开(公告)日：2018-01-12
申请号：CN201710803903.7
申请日：2017-09-04
Applicant: 西安工程大学
IPC: H01L31/0392 , H01L31/028 , H01L31/109 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开一种碳化硅/晶体-锗/石墨烯异质结光电器件及其制造方法，该光电器件包括两电极，两电极之间从上往下依次连接有石墨烯层、晶体锗薄膜层、单晶碳化硅衬底，所述石墨烯层为单原子层厚或者多原子层厚，晶体锗薄膜层的厚度为0.5-5微米，单晶碳化硅衬底的厚度为100-400微米。本发明利用石墨烯的高透过率和高载流子迁移率，Ge对近红外光的高敏感度，与SiC形成新型的SiC基Ge/石墨烯异质结，得到了一种可应用于大功率、高温环境的高速、高响应的近红外光控器件。
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公开(公告)号：CN108516541A
公开(公告)日：2018-09-11
申请号：CN201810320411.7
申请日：2018-04-02
IPC: C01B32/194 , C01B32/186
Abstract: 本发明公开了一种新型CVD石墨烯干法转移方法，在石墨烯/铜箔上依次旋涂配置的PVP胶和PVA胶，烘箱烘干；将所得的PVA/PVP/石墨烯/铜箔取出，剥离PVA/PVP/石墨烯薄膜，然后将剥离的薄膜转移至两片透明载玻片中间，预热，使薄膜自然舒展后，浸入温热的无水乙醇中5s后取出，粘附在清洗过后的衬底上，待自然晾干后，置于75℃的水蒸气中10min，置于烘箱烘干；将PVA/PVP/石墨烯/衬底取出，置于75℃的去离子水中，清除PVA/PVP胶体后，去离子水清洗5次，烘箱烘干。本发明具有保护胶残留较少，无重金属残留，有机溶剂残留少、转移石墨烯用时少、成本低，转移墨烯质量较高等优点。
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公开(公告)号：CN106057929A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610378283.2
申请日：2016-05-31
Applicant: 西安工程大学
IPC: H01L31/028 , H01L31/105 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/105 , H01L31/028 , H01L31/1808 , H01L31/1812
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅基PIN结构近红外光电二极管，本发明还公开了碳化硅基PIN结构近红外光电二极管的制备方法，首先对N型单晶碳化硅衬底进行清洗，清洗后用氮气吹干待用，然后对N型单晶碳化硅衬底进行沉积，沉积出本征晶体锗薄膜；其次对得到的本征晶体锗薄膜再次进行沉积，沉积出P型重掺杂晶体锗薄膜，再次对得到的带有P型重掺杂晶体锗薄膜的样品在N型单晶碳化硅面沉积ITO电极，接下来对得到的样品在P型重掺杂晶体锗薄膜上沉积ITO电极，最后进行退火以形成欧姆接触，然后利用网版印刷法于正背面将银导线与ITO电极连接形成引出电极，本发明解决了现有技术中存在的由于碳化硅材料禁带宽而使只能受控于紫外光源而不能近红外通信光源的问题。
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公开(公告)号：CN115752218A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211463364.4
申请日：2022-11-22
Applicant: 西安工程大学
IPC: G01B7/16 , C01B32/184 , A61B5/0205
Abstract: 本发明公开了三维石墨烯柔性应变传感器的制备方法，通过填充法制备多孔结构的柔性材料聚二甲基硅氧烷，然后将氧化石墨烯溶液装载到多孔聚二甲基硅氧烷上，干燥后将氧化石墨烯还原，最后使用导电银浆在三维石墨烯上印刷图形化电极，即得三维石墨烯柔性应变传感器。本发明提供的三维石墨烯柔性应变传感器的制备方法能制备出制备成本低廉、高灵敏度的可穿戴柔性石墨烯应变传感器，结合石墨烯的高柔韧性、载流子迁移率高、超宽的光谱响应以及其对微小应变的高敏感性实现对人体的生命特征的实时监测例如心跳、脉搏、呼吸等，本发明制备方法简便，成本低廉，可以大面积制备，更加适合工业化生产。
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公开(公告)号：CN106057929B
公开(公告)日：2018-03-23
申请号：CN201610378283.2
申请日：2016-05-31
Applicant: 西安工程大学
IPC: H01L31/028 , H01L31/105 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅基PIN结构近红外光电二极管，本发明还公开了碳化硅基PIN结构近红外光电二极管的制备方法，首先对N型单晶碳化硅衬底进行清洗，清洗后用氮气吹干待用，然后对N型单晶碳化硅衬底进行沉积，沉积出本征晶体锗薄膜；其次对得到的本征晶体锗薄膜再次进行沉积，沉积出P型重掺杂晶体锗薄膜，再次对得到的带有P型重掺杂晶体锗薄膜的样品在N型单晶碳化硅面沉积ITO电极，接下来对得到的样品在P型重掺杂晶体锗薄膜上沉积ITO电极，最后进行退火以形成欧姆接触，然后利用网版印刷法于正背面将银导线与ITO电极连接形成引出电极，本发明解决了现有技术中存在的由于碳化硅材料禁带宽而使只能受控于紫外光源而不能近红外通信光源的问题。
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