快速检出硅光电倍增管芯片次品的检测方法

    公开(公告)号:CN116626467A

    公开(公告)日:2023-08-22

    申请号:CN202310630327.6

    申请日:2023-05-31

    Abstract: 本发明公开的快速检出硅光电倍增管芯片次品的检测方法,利用半导体精密参数分析仪与探针台测量SiPM芯片的伏安特性曲线,芯片无需切片封装,可以直接通过肉眼观察SiPM芯片的反向伏安特性曲线是否有两个凹拐点判断SiPM芯片是否能够正常工作,如果反向伏安特性曲线没有两个凹拐点,则可以判定为次品。本发明提出的检测方法也可以通过人工智能图像识别判断SiPM芯片的反向伏安(I‑V)特性曲线是否有两个凹拐点,进而判定待测SiPM芯片是否为次品,还可以通过本发明提出的算法利用计算机自动检出SiPM芯片中的次品。

    快速检出硅光电倍增管芯片次品的检测方法

    公开(公告)号:CN116626467B

    公开(公告)日:2024-01-05

    申请号:CN202310630327.6

    申请日:2023-05-31

    Abstract: 本发明公开的快速检出硅光电倍增管芯片次品的检测方法,利用半导体精密参数分析仪与探针台测量SiPM芯片的伏安特性曲线,芯片无需切片封装,可以直接通过肉眼观察SiPM芯片的反向伏安特性曲线是否有两个凹拐点判断SiPM芯片是否能够正常工作,如果反向伏安特性曲线没有两个凹拐点,则可以判定为次品。本发明提出的检测方法也可以通过人工智能图像识别判断SiPM芯片的反向伏安(I‑V)特性曲线是否有两个凹拐点,进而判定待测SiPM芯片是否为次品,还可以通过本发明提出的算法利用计算机自动检出SiPM芯片中的次品。

    G-APD单元增益一致性高的硅光电倍增管及制造方法

    公开(公告)号:CN117525091A

    公开(公告)日:2024-02-06

    申请号:CN202311395821.5

    申请日:2023-10-25

    Abstract: 本发明公开的G‑APD单元增益一致性高的硅光电倍增管及制造方法,包括若干G‑APD单元阵列而成的硅光电倍增管本体,硅光电倍增管本体顶部位于G‑APD单元光敏区的间隔区域沉积有金属网格。本发明的G‑APD单元增益一致性高的硅光电倍增管,通过在硅光电倍增管高浓度离子掺杂层表面,G‑APD单元的间隔区域布满金属网格,使得位于中央区域的G‑APD单元与边缘区域的单元两端有一致的偏压,提高了单元间的增益一致性,进一步可提高硅光电倍增管的光子数分辩能力;本发明的制造方法工艺简单,适用于工业化批量生产。

    一种后置式喷雾加湿风机

    公开(公告)号:CN201191054Y

    公开(公告)日:2009-02-04

    申请号:CN200820028724.7

    申请日:2008-04-02

    Abstract: 本实用新型公开的后置式喷雾加湿风机,包括风筒,风筒内,按进风方向依次设置有电机、叶轮以及挡水板,风筒内,叶轮和挡水板之间还设置有喷雾装置,喷雾装置包括一环形喷水管,喷水管通过进水管与风筒外部的高压水泵相连接,环形喷水管的圆周上均布有多个喷嘴,喷嘴与喷水管相通并且其喷射方向朝向叶轮。本实用新型的喷雾加湿风机,将送风和空调加湿技术有机的结合,比传统喷水室和喷雾加湿风机具有更高的热湿交换效率,且结构简单,具有节水、节电、节能的特点。

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