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公开(公告)号：CN118550106A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202410508692.4
申请日：2024-04-26
Applicant: 西安工程大学
Abstract: 本发明公开了中红外双异质结PIN电光调制器，包括最底部的N‑Sub型衬底，N‑Sub型衬底上部设置有SiO2埋氧层，SiO2埋氧层上部设置有本征P型锗硅调制区，本征P型锗硅调制区一侧由内向外设置有p+过渡区和P++阱区、另一侧由内向外设置有n+过渡区和N++阱区，P++阱区的上部设置有第一电极，N++阱的上部设置有第二电极，P++阱区、p+过渡区、N++阱区、n+过渡区及本征P型锗硅调制区的上部覆盖有Si3N4覆盖层，本发明还公开了上述电光调制器的制造工艺，本发明的电光调制器及其制造工艺，通过增大锗硅材料与硅材料的异质结接触面积，提高了调制器中调制区的载流子浓度，有效降低调制器的调制功耗。
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公开(公告)号：CN116865691A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202310877262.5
申请日：2023-07-17
Applicant: 西安工程大学
Abstract: 本发明公开了具有带宽可重构技术的超宽带低噪声放大器，包括输入匹配级电路、增益放大级电路、第一级可调负载网络、第二级可调并联峰化负载网络以及输出缓冲级电路；信号从输入匹配级电路流入、经并联反馈网络拓展带宽、经第一级可调负载网络流入增益放大级、经增益放大级电路的进一步放大、经第二级可调并联峰化负载后到达输出缓冲级输出。本发明超宽带低噪声放大器采用的带宽可重构技术通过在负载端引入开关控制低频阻抗谐振点与增益极点实现频带切换，减小了芯片面积，控制了成本，实现了宽带与宽带之间的频率切换，保证了不同频带内的增益平坦度性能，减少了开关的插损对电路整体的噪声贡献。
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公开(公告)号：CN114978155A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210758516.7
申请日：2022-06-30
Applicant: 西安工程大学
IPC: H03L7/08
Abstract: 本发明公开了一种具有优化相位噪声的锁相环系统，包括构成一个闭环系统的时间数字转换器、数字环路滤波器、数模转换器、压控振荡器以及分频器；时间数字转换器的一个输入基准信号是R、另一个输入信号是D，时间数字转换器的输出信号DI为数字环路滤波器的输入信号，数字环路滤波器的输出信号FDI为数模转换器的输入信号，数模转换器的输出信号VI为压控振荡器的输入信号，压控振荡器的输出信号P为分频器的输入信号，分频器的输出信号为时间数字转换器的另一个输入信号D。本发明利用数模转换器级联压控振荡器代替数控振荡器降低相位噪声，利用高精度的时间数字转换器和精度较高的数模转换器改善相位噪声。
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公开(公告)号：CN114793093A
公开(公告)日：2022-07-26
申请号：CN202210456811.7
申请日：2022-04-28
Applicant: 西安工程大学
Abstract: 本发明公开了一种具有抗干扰功能的超宽带协议低噪声放大器，包括匹配电路、LNA主电路、第一级陷波滤波器以及第二陷滤波电路，其中：匹配电路包括电容Cpad1和Cs以及电感Lp和Ls；LNA主电路包括N型MOS管M1、M2和M3，可变并联反馈电阻R1和隔直电容C2、C3，负载电感L2、L3以及负载电阻R2；第一级陷波滤波器包括电感L1、电容C1和可调电容Cp1；第二级陷波滤波器包括电感L4和可调电容C4以及电容Cpad2和其对应的补偿电感Lout。本发明实现了低噪声并且强化了滤波性能；有效减少了LC并联谐振电路的噪声贡献；在保证滤波深度的同时补偿了滤波器对低噪声放大器通带的增益抑制。
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公开(公告)号：CN108516541B
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN201810320411.7
申请日：2018-04-02
IPC: C01B32/194 , C01B32/186
Abstract: 本发明公开了一种CVD石墨烯干法转移方法，在石墨烯/铜箔上依次旋涂配置的PVP胶和PVA胶，烘箱烘干；将所得的PVA/PVP/石墨烯/铜箔取出，剥离PVA/PVP/石墨烯薄膜，然后将剥离的薄膜转移至两片透明载玻片中间，预热，使薄膜自然舒展后，浸入温热的无水乙醇中5s后取出，粘附在清洗过后的衬底上，待自然晾干后，置于75℃的水蒸气中10min，置于烘箱烘干；将PVA/PVP/石墨烯/衬底取出，置于75℃的去离子水中，清除PVA/PVP胶体后，去离子水清洗5次，烘箱烘干。本发明具有保护胶残留较少，无重金属残留，有机溶剂残留少、转移石墨烯用时少、成本低，转移墨烯质量较高等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105137620B
公开(公告)日：2018-05-18
申请号：CN201510603240.5
申请日：2015-09-21
Applicant: 西安工程大学
IPC: G02F1/015
Abstract: 本发明公开的一种波状PIN电光调制器结构，包括有N‑Sub型衬底，N‑Sub型衬底的上部设置有SiO2埋层，SiO2埋层上部的两侧各设置分别设置有波状P+阱区、波状N+阱区，SiO2埋层上部的波状P+阱区、波状N+阱区之间设置有本征N型调制区，波状P+阱区的上部配设有第一电极，波状N+阱区的上部配设有第二电极，第一电极、本征N型调制区及第二电极的上部覆盖有SiO2覆盖层。本发明的波状PIN电光调制器结构，不仅有效降低PIN电光调制器的发热，抑制热光效应对PIN电光调制器的影响，还能高载流子注入，增强等离子色散效应。
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公开(公告)号：CN106950646A
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201710119536.9
申请日：2017-03-02
Applicant: 西安工程大学
CPC classification number: G02B6/12007 , G02B6/122
Abstract: 本发明公开的一种内外双微环谐振器结构，包括有N‑Sub型衬底，N‑Sub型衬底的顶部设置有SiO2埋层，SiO2埋层顶部的两侧分别设置有上侧直波导和下侧直波导，SiO2埋层顶部的中间分别设置有外环形波导和内环形波导。本发明一种内外双微环谐振器结构具有谐振峰平坦和自由光谱范围大的优点，在不增加芯片面积和工艺成本的情况下，改善了微环谐振器的谐振特性，便于微环谐振器结构向高速、低功耗的方向发展。
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公开(公告)号：CN105093569A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201510562937.2
申请日：2015-09-07
Applicant: 西安工程大学
IPC: G02F1/015
Abstract: 本发明公开了一种双异质结PIN电光调制器结构，包括有N-Sub型衬底，N-Sub型衬底的上部设置有SiO2埋层，SiO2埋层上部的两侧分别设置有P+阱区、N+阱区，P+阱区、N+阱区之间设置有本征N型锗硅调制区，P+阱区的上部设置有第一电极，N+阱区的上部设置有第二电极，第一电极、本征N型锗硅调制区及第二电极的上部覆盖有SiO2覆盖层。本发明的双异质结PIN电光调制器结构是一种高载流子注入，低调制功耗的PIN电光调制器，可代替常规硅基PIN电光调制器结构，在电光调制时能够获得更小的调制功耗，提升了光电转换效率，减小了光电集成中电学元件的比重，便于光电集成向更小尺寸的发展。
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公开(公告)号：CN107579129B
公开(公告)日：2019-03-26
申请号：CN201710803903.7
申请日：2017-09-04
Applicant: 西安工程大学
IPC: H01L31/0392 , H01L31/028 , H01L31/109 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开一种碳化硅/晶体‑锗/石墨烯异质结光电器件及其制造方法，该光电器件包括两电极，两电极之间从上往下依次连接有石墨烯层、晶体锗薄膜层、单晶碳化硅衬底，所述石墨烯层为单原子层厚或者多原子层厚，晶体锗薄膜层的厚度为0.5‑5微米，单晶碳化硅衬底的厚度为100‑400微米。本发明利用石墨烯的高透过率和高载流子迁移率，Ge对近红外光的高敏感度，与SiC形成新型的SiC基Ge/石墨烯异质结，得到了一种可应用于大功率、高温环境的高速、高响应的近红外光控器件。
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公开(公告)号：CN114911081B
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202210734456.5
申请日：2022-06-27
Applicant: 西安工程大学
Abstract: 本发明公开了顶注入电光调制结构，顶注入电光调制结构，包括SiO2埋氧层，SiO2埋氧层，SiO2埋氧层上覆盖两个N++阱区、Si平板层，两个N++阱区分居Si平板层两侧，Si平板层上中部覆盖波导区，波导区上部覆盖P++阱区，每个N++阱区上均连接阴极电极，N++阱区上覆盖阴极电极以外的区域、阴极电极、P++阱区、Si平板层上覆盖波导区以外的区域上均覆盖SiO2覆盖层；通过在脊形顶部P型重掺杂，平板层N型重掺杂，从而形成顶注入新型p‑i‑n电光调制结构，提高载流子注入，增强等离子色散效应。
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