公开(公告)号：CN106463566A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201580024560.3

申请日：2015-03-10

Applicant: 科锐安先进科技有限公司

Inventor： 托马斯·贝尔-约恩斯 ,  张仪 ,  迈克尔·J·霍赫贝格 ,  阿里·诺瓦克

IPC: H01L31/107 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/028

CPC classification number: H01L31/0352 ,  H01L27/14638 ,  H01L27/14649 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/14698 ,  H01L31/0256 ,  H01L31/028 ,  H01L31/105 ,  H01L31/107 ,  H01L31/1808 ,  Y02E10/547

Abstract: 说明了被构造为不掺杂锗和不用金属来接触锗的硅上锗光电探测器。尽管简化了制造工艺，但是器件的响应度为1.24A/W，对应的量子效率是99.2％。在-4V反向偏置电压的情况下，暗电流为40nA。3-dB带宽是30GHz。

公开(公告)号：CN106057642A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201610366294.9

申请日：2016-05-27

Applicant: 清华大学

Inventor： 王子巍 ,  肖磊 ,  王敬 ,  梁仁荣 ,  许军

IPC: H01L21/02 ,  H01L31/18 ,  H01L33/00 ,  H01L33/16 ,  H01L31/0392

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02444 ,  H01L21/02483 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/02631 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/1808 ,  H01L33/0054 ,  H01L33/16

Abstract: 本发明公开了半导体结构以及制备半导体结构的方法。该方法包括：(1)提供衬底；(2)在所述衬底上表面形成石墨烯层；(3)在所述石墨烯层的上表面通过溅射沉积，形成稀土氧化物层；(4)在所述稀土氧化物类单晶层远离所述衬底的一侧形成半导体层，其中，所述稀土氧化物层以及所述半导体层具有晶体择优取向。由此，可以降低制备成本，简化制备工艺，并获得具有晶体择优取向的稀土氧化物结构。石墨烯层以及适当的溅射条件能够诱导稀土氧化物层形成晶体的择优取向，并且，具有晶体择优取向的稀土氧化物层能够诱导半导体层的形成，使形成的半导体层中的晶格排列也具有择优取向性。

公开(公告)号：CN105122469A

公开(公告)日：2015-12-02

申请号：CN201380075744.3

申请日：2013-04-19

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 奥村滋一

IPC: H01L31/105

CPC classification number: H01L31/105 ,  G02B6/1228 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/028 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/109 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1808 ,  H01L31/1864 ,  H04J14/02

Abstract: 本发明涉及半导体受光元件及其制造方法，兼得在较宽的波长带的动作和较高的高速响应以及较高的响应效率。在表面是单晶Si层的基板上形成依次层叠有第一导电型Si层、未掺杂Ge层、以及第二导电型Ge层的PIN型光电二极管，在该周围的至少一部分设置Ge电流阻挡机构。

公开(公告)号：CN102832117B

公开(公告)日：2015-07-22

申请号：CN201210195820.1

申请日：2012-06-14

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： S·W·贝德尔 ,  D·A·萨达纳 ,  D·沙杰迪

IPC: H01L21/304 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/076

CPC classification number: H01L31/074 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02535 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/304 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/0312 ,  H01L31/0687 ,  H01L31/06875 ,  H01L31/0725 ,  H01L31/0745 ,  H01L31/075 ,  H01L31/076 ,  H01L31/1808 ,  H01L31/1852 ,  H01L31/1892 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明公开涉及用于形成多结光生伏打结构的剥离方法和光生伏打器件。具体地，提供了一种包括设置具有锗和锡合金层的锗基板的切割半导体材料的方法。应力体层被沉积于锗基板的表面上。来自应力体层的应力被施加到锗基板，其中，应力切割锗基板以提供切割表面。然后对于锗基板的锗和锡合金层选择锗基板的切割表面。在另一实施例中，锗和锡合金层可用作剥离方法中的断裂面。

公开(公告)号：CN104282794A

公开(公告)日：2015-01-14

申请号：CN201410331190.5

申请日：2014-07-11

Applicant: 新加坡商格罗方德半导体私人有限公司

Inventor： P·R·维尔马 ,  洪家伟

IPC: H01L31/113 ,  H01L31/18

CPC classification number: G02B6/12004 ,  G02B6/132 ,  G02B6/134 ,  G02B6/136 ,  H01L31/105 ,  H01L31/1808

Abstract: 本发明涉及包含整合于波导上的光侦测器的半导体设备及其制造方法，也就是提供一种半导体设备及用于制造半导体设备的方法。在一个实施例中，用于制造半导体设备的方法包括在半导体基底的侦测器区域中蚀刻波导层以形成凹陷式波导层区段。脊部结构锗(Ge)光侦测器覆于凹陷式波导层区段的一部分上而形成。

公开(公告)号：CN102428569B

公开(公告)日：2014-10-15

申请号：CN201080021163.8

申请日：2010-05-10

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： S·W·贝德尔 ,  N·索萨·考特斯 ,  K·E·佛格尔 ,  D·萨达纳 ,  K·L·萨恩格 ,  D·沙杰迪

IPC: H01L31/0352

CPC classification number: H01L31/0735 ,  H01L21/02002 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/0725 ,  H01L31/1808 ,  H01L31/184 ,  H01L31/1844 ,  H01L31/1892 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种用于制造多结光伏(PV)电池的方法包括：在衬底上形成包括多个结的堆，所述多个结中的每一个都具有相应的能带隙，其中所述多个结从具有最大能带隙的结位于所述衬底上到具有最小能带隙的结位于所述堆的顶部来排序；在所述具有最小能带隙的结之上形成金属层，该金属层具有拉伸应力；将柔性衬底粘附到所述金属层；及在所述衬底中的裂缝处从所述衬底剥离半导体层，其中所述裂缝是响应于所述金属层中的拉伸应力而形成的。

公开(公告)号：CN102696113A

公开(公告)日：2012-09-26

申请号：CN201080050030.3

申请日：2010-08-25

Applicant: 科途嘉光电公司

Inventor： 廖世蓉 ,  郑大卫 ,  龚正致 ,  M.阿斯哈里

IPC: H01L31/0232

CPC classification number: H01L31/1808 ,  G02B6/12004 ,  G02B6/1228 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/105 ,  H01L31/1812 ,  Y02E10/50

Abstract: 该装置包括在基底上的光学波导。该波导被配置为引导光信号穿过光透射介质。光传感器也定位于基底上。光传感器包括从平板区域延伸的脊。平板区域定位于脊的相对侧上。光吸收介质被定位成从包括于波导中的光透射介质接收光信号的至少一部分。光吸收介质包括于脊中且也在平板区域中。光吸收介质包括掺杂区域，掺杂区域被定位成使得跨越整个掺杂区域上施加反向偏压在包括于该脊中的光吸收介质中形成电场。

公开(公告)号：CN102160145A

公开(公告)日：2011-08-17

申请号：CN200980136547.1

申请日：2009-09-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 詹姆斯·费兰札 ,  安东尼·罗特费尔德 ,  白杰 ,  朴志洙 ,  珍妮佛·海翠克 ,  李继忠 ,  陈志源

IPC: H01L21/20 ,  H01L31/042

CPC classification number: H01L21/02538 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02461 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  H01L29/205 ,  H01L31/0687 ,  H01L31/06875 ,  H01L31/1808 ,  H01L31/1852 ,  H01L31/1892 ,  Y02E10/544

Abstract: 本发明提供了用于通过使用深宽比捕捉(ART)与外延侧向成长(ELO)技术在包括如晶格失配材料的基板上形成如太阳能电池的装置的方法与结构。一般地，在一第一方面中，本发明的实施例可包括一种形成结构的方法。该方法包括在设置于包括一第一半导体材料的一基板上方的一掩模层内形成一第一开口。在该第一开口内形成包括晶格失配于该第一半导体材料的一第二半导体材料的一第一膜层。该第一膜层具有足够延伸至高于该掩模层的一顶面的一厚度。在该第一膜层上以及该掩模层的至少一部分上方形成包括该第二半导体材料的一第二膜层。该第一膜层的垂直成长速率高于该第一膜层的一侧向成长速率，而该第二膜层的一侧向成长速率高于该第二膜层的一垂直成长速率。

公开(公告)号：CN107170842B

公开(公告)日：2019-07-02

申请号：CN201710438883.8

申请日：2017-06-12

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司

Inventor： 马占洁

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/108 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/022408 ,  H01L31/035272 ,  H01L31/03529 ,  H01L31/1085 ,  H01L31/1808 ,  H01L31/202 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种光电探测结构及其制作方法、光电探测器。该光电探测结构包括：衬底基板；电极条，设置在衬底基板上；半导体层，设置在衬底基板面向电极条的一侧；绝缘层，设置在电极条与半导体层之间，其中，绝缘层包括厚度增加部，厚度增加部位于电极条的至少一个边缘处。采用该光电探测结构可以降低电极条边缘处对应的半导体光电转化层中的电场强度，一方面降低了暗电流，另一方面可以通过减小电极条的宽度来提升光电探测器的性能。

公开(公告)号：CN107112335A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201580062982.X

申请日：2015-11-23

Applicant: 光澄科技股份有限公司

Inventor： 郑斯璘 ,  陈书履

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/20 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8234 ,  H01L23/522 ,  H01L27/06 ,  H01L31/10 ,  H04N5/369

CPC classification number: H01L31/02019 ,  H01L21/70 ,  H01L21/77 ,  H01L21/823475 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53271 ,  H01L27/1443 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14687 ,  H01L27/14689 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/78 ,  H01L31/02005 ,  H01L31/02161 ,  H01L31/022408 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/028 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/105 ,  H01L31/18 ,  H01L31/1808 ,  H01L31/1868 ,  H01L31/1876

Abstract: 在此引入的各种技术的实例包括(但不限于)在浅沟槽隔离形成期间台面高度调节方法、晶体管通孔第一方法和多个吸收层方法。如下文中进一步描述，本文引入的技术包括多个方面，所述多个方面能单独地和/或共同地解决或缓解涉及在相同衬底上制造PD和晶体管的一个或多个传统限制，如在上文讨论的可靠性、性能和工艺温度问题。