公开(公告)号：CN105137620A

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201510603240.5

申请日：2015-09-21

Applicant: 西安工程大学

Inventor： 冯松 ,  薛斌 ,  李连碧 ,  雷倩倩 ,  宋立勋 ,  翟学军 ,  朱长军

IPC: G02F1/015

CPC classification number: G02F1/015 ,  G02F2001/0151

Abstract: 本发明公开的一种波状PIN电光调制器结构，包括有N-Sub型衬底，N-Sub型衬底的上部设置有SiO2埋层，SiO2埋层上部的两侧各设置分别设置有波状P+阱区、波状N+阱区，SiO2埋层上部的波状P+阱区、波状N+阱区之间设置有本征N型调制区，波状P+阱区的上部配设有第一电极，波状N+阱区的上部配设有第二电极，第一电极、本征N型调制区及第二电极的上部覆盖有SiO2覆盖层。本发明的波状PIN电光调制器结构，不仅有效降低PIN电光调制器的发热，抑制热光效应对PIN电光调制器的影响，还能高载流子注入，增强等离子色散效应。

公开(公告)号：CN101752778A

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200910254489.4

申请日：2009-12-24

Applicant: 西安工程大学

Inventor： 朱长军 ,  翟学军 ,  张崇辉 ,  高宾

IPC: H01S3/16 ,  H01S3/0943 ,  H01S3/082 ,  H01S3/10

Abstract: 本发明公开的一种双腔共振装置，包括聚焦透镜、球面反射腔镜a、钛宝石激光晶体和球面反射腔镜b，聚焦透镜的入射光侧设置有分束镜，球面反射腔镜b的反射光侧设置有输出耦合镜a和输出耦合镜b，输出耦合镜b上设置有压电传感器a，球面反射腔镜a的反射光侧设置有两条反射光路，一路为依次设置的平面反射腔镜b、声光调制器、狭缝a、平面反射腔镜a，另一路为依次设置的石英棱镜a、石英棱镜b、狭缝b、平面反射腔镜c，平面反射腔镜c上设置有压电传感器b。利用不同的色散补偿及精确的腔长匹配，可产生自同步输出的飞秒和皮秒脉冲。本发明装置及方法，自同步输出的飞秒和皮秒脉冲非常适合于选择性泵浦-探测实验的研究与应用。

公开(公告)号：CN108686641A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201810397496.9

申请日：2018-04-28

Applicant: 西安工程大学

Inventor： 卢定泽 ,  翟学军 ,  郝红娟 ,  吴琼 ,  李敏

IPC: B01J23/10 ,  B01J23/34 ,  B01J23/75 ,  B01J35/02

CPC classification number: B01J23/34 ,  B01J23/10 ,  B01J23/75 ,  B01J35/004 ,  B01J35/023

Abstract: 本发明公开了一种0D‑2D型金属氧化物/钛酸纳米片光催化剂的制备方法，步骤包括：1)在强烈搅拌下，将P25分散在强碱溶液中，得到搅拌均匀的悬浮液；2)搅拌条件下，将硝酸盐溶液缓慢滴入悬浮液中，在惰性气体保护下加热回流反应，得到混合物；3)将步骤2)中得到的混合物转移至高压反应釜中反应2～5小时；4)反应结束后，将高压反应釜冷却至室温，取出白色粉末；5)将步骤4)得到的白色粉末用去离子水冲洗直至中性；6)将步骤5)洗过的白色粉末在HCl溶液中进行质子交换；7)将步骤5)质子交换后的粉末用去离子水冲洗直至中性；8)干燥得到氧化物/钛酸纳米片光催化剂。本发明的方法简单，制作成本低。

公开(公告)号：CN105181153A

公开(公告)日：2015-12-23

申请号：CN201510611365.2

申请日：2015-09-23

Applicant: 西安工程大学

Inventor： 张国青 ,  刘汉臣 ,  朱长军 ,  刘丽娜 ,  翟学军 ,  张英堂

IPC: G01J11/00

Abstract: 本发明公开了基于波形面积的雪崩光探测器增益测量方法，具体为：1)将多像素光子探测器输出的雪崩信号通过高速放大器放大后输入到通用数字示波器中，由通用数字示波器显示出波形电压值；2)将通用数字示波器显示的波形电压值对时间进行积分求出波形面积值；3)在计算机内嵌入计算模块，利用计算模型对波形面积值进行处理获取增益值；4)重复1)～3)至少100次获得多个增益值；5)对经获取的所有增益值进行直方图统计，并绘制出统计直方图，该统计直方图的峰值对应的增益值为多像素光子探测器的平均增益。本发明的雪崩光探测器增益测量方法解决了现有雪崩光探测器增益测量方法中存在的系统复杂、通用性不强及测量便捷性差的问题。

公开(公告)号：CN109116589A

公开(公告)日：2019-01-01

申请号：CN201811185140.5

申请日：2018-10-11

Applicant: 西安工程大学

Inventor： 冯松 ,  薛斌 ,  杨延飞 ,  涂喆研 ,  雷倩倩 ,  李连碧 ,  翟学军

IPC: G02F1/015

Abstract: 本发明公开了一种新型PIN电光调制器结构，包括N-Sub层，N-Sub层的顶部设置有SiO2埋层，SiO2埋层顶部的两侧分别设置有P+阱区、N+阱区，P+阱区、N+阱区之间设置有本征N型锗硅调制区，本征N型锗硅调制区与P+阱区、N+阱区接触位置处呈锯齿状配合接触形成横向双异质结，本征N型锗硅调制区呈脊型凸起状，P+阱区的顶部设置有第一电极，N+阱区的顶部设置有第二电极，第一电极、本征N型锗硅调制区及第二电极的上部均覆盖有SiO2覆盖层，本发明不仅能提高载流子浓度，增强等离子色散效应，而且可以抑制温升，削弱热光效应，提高调制效率。

公开(公告)号：CN105093569B

公开(公告)日：2018-12-07

申请号：CN201510562937.2

申请日：2015-09-07

Applicant: 西安工程大学

Inventor： 冯松 ,  薛斌 ,  李连碧 ,  张国青 ,  宋立勋 ,  翟学军 ,  朱长军

IPC: G02F1/015

Abstract: 本发明公开了一种双异质结PIN电光调制器结构，包括有N‑Sub型衬底，N‑Sub型衬底的上部设置有SiO2埋层，SiO2埋层上部的两侧分别设置有P+阱区、N+阱区，P+阱区、N+阱区之间设置有本征N型锗硅调制区，P+阱区的上部设置有第一电极，N+阱区的上部设置有第二电极，第一电极、本征N型锗硅调制区及第二电极的上部覆盖有SiO2覆盖层。本发明的双异质结PIN电光调制器结构是一种高载流子注入，低调制功耗的PIN电光调制器，可代替常规硅基PIN电光调制器结构，在电光调制时能够获得更小的调制功耗，提升了光电转换效率，减小了光电集成中电学元件的比重，便于光电集成向更小尺寸的发展。

公开(公告)号：CN101752778B

公开(公告)日：2011-06-22

申请号：CN200910254489.4

申请日：2009-12-24

Applicant: 西安工程大学

Inventor： 朱长军 ,  翟学军 ,  张崇辉 ,  高宾

IPC: H01S3/16 ,  H01S3/0943 ,  H01S3/082 ,  H01S3/10

Abstract: 本发明公开的一种双腔共振装置，包括聚焦透镜、球面反射腔镜a、钛宝石激光晶体和球面反射腔镜b，聚焦透镜的入射光侧设置有分束镜，球面反射腔镜b的反射光侧设置有输出耦合镜a和输出耦合镜b，输出耦合镜b上设置有压电传感器a，球面反射腔镜a的反射光侧设置有两条反射光路，一路为依次设置的平面反射腔镜b、声光调制器、狭缝a、平面反射腔镜a，另一路为依次设置的石英棱镜a、石英棱镜b、狭缝b、平面反射腔镜c，平面反射腔镜c上设置有压电传感器b。利用不同的色散补偿及精确的腔长匹配，可产生自同步输出的飞秒和皮秒脉冲。本发明装置及方法，自同步输出的飞秒和皮秒脉冲非常适合于选择性泵浦-探测实验的研究与应用。

公开(公告)号：CN105552121A

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：CN201610083760.2

申请日：2016-02-14

Applicant: 西安工程大学

Inventor： 冯松 ,  薛斌 ,  李连碧 ,  雷倩倩 ,  宋立勋 ,  翟学军 ,  朱长军

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/08 ,  H01L29/16

CPC classification number: H01L29/739 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/161

Abstract: 本发明公开的基于锗硅集电区的IGBT结构，包括有P+锗硅集电区，P+锗硅集电区的下部设有第一电极，P+锗硅集电区的上部设有复合区，复合区的上部靠近边缘处对称的设置有两个SiO2栅氧层，两个SiO2栅氧层之间的复合区上部设有第三电极，每个SiO2栅氧层的上部依次设有多晶硅栅及第二电极；复合区包括紧贴P+锗硅集电区设置的N-漂移区，N-漂移区的上部内嵌有P基区，P基区内靠近顶部处内嵌有两个N+发射区。本发明的IGBT结构具有集电极电流大及关断时间短的优点，改善了IGBT的电流传输能力，以及关断特性，提升了IGBT芯片面积的使用率，减小了IGBT的关断损耗，便于IGBT向尺寸小、功耗低的方向发展。

公开(公告)号：CN105181153B

公开(公告)日：2018-09-11

申请号：CN201510611365.2

申请日：2015-09-23

Applicant: 西安工程大学

Inventor： 张国青 ,  刘汉臣 ,  朱长军 ,  刘丽娜 ,  翟学军 ,  张英堂

IPC: G01J11/00

Abstract: 本发明公开了基于波形面积的雪崩光探测器增益测量方法，具体为：1)将多像素光子探测器输出的雪崩信号通过高速放大器放大后输入到通用数字示波器中，由通用数字示波器显示出波形电压值；2)将通用数字示波器显示的波形电压值对时间进行积分求出波形面积值；3)在计算机内嵌入计算模块，利用计算模型对波形面积值进行处理获取增益值；4)重复1)～3)至少100次获得多个增益值；5)对经获取的所有增益值进行直方图统计，并绘制出统计直方图，该统计直方图的峰值对应的增益值为多像素光子探测器的平均增益。本发明的雪崩光探测器增益测量方法解决了现有雪崩光探测器增益测量方法中存在的系统复杂、通用性不强及测量便捷性差的问题。

公开(公告)号：CN105137620B

公开(公告)日：2018-05-18

申请号：CN201510603240.5

申请日：2015-09-21

Applicant: 西安工程大学

Inventor： 冯松 ,  薛斌 ,  李连碧 ,  雷倩倩 ,  宋立勋 ,  翟学军 ,  朱长军

IPC: G02F1/015

Abstract: 本发明公开的一种波状PIN电光调制器结构，包括有N‑Sub型衬底，N‑Sub型衬底的上部设置有SiO2埋层，SiO2埋层上部的两侧各设置分别设置有波状P+阱区、波状N+阱区，SiO2埋层上部的波状P+阱区、波状N+阱区之间设置有本征N型调制区，波状P+阱区的上部配设有第一电极，波状N+阱区的上部配设有第二电极，第一电极、本征N型调制区及第二电极的上部覆盖有SiO2覆盖层。本发明的波状PIN电光调制器结构，不仅有效降低PIN电光调制器的发热，抑制热光效应对PIN电光调制器的影响，还能高载流子注入，增强等离子色散效应。