公开(公告)号：CN111254414B

公开(公告)日：2022-03-29

申请号：CN202010071226.6

申请日：2020-01-21

Applicant: 西安工程大学

Inventor： 李连碧 ,  臧源 ,  陈鸿 ,  胡继超 ,  林生晃 ,  张国青 ,  蒲红斌 ,  封先锋 ,  宋立勋 ,  涂喆研 ,  李泽斌 ,  徐永康 ,  王蓉

IPC: C23C16/24 ,  C23C16/44 ,  C23C16/56 ,  H01L31/18 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种柔性石墨烯基硅纳米线异质结的制备与转移方法，将石墨烯湿法转移至SiO2/Si上，采用金属催化VLS机制的CVD法(化学气相沉积法)，利用2nm厚Au作为催化剂，在石墨烯上直接生长Si纳米线。生长温度为500℃，源气体SiH4流量为10sccm，生长压力1.33×104Pa，生长时间10分钟。生长结束后，关闭SiH4气体阀门，在氩气保护下，CVD炉自然冷却后得到石墨烯基硅纳米线异质结。然后，将制备好的石墨烯基硅纳米线异质结，旋涂PMMA/PDMS双支撑膜，利用NaOH溶液刻蚀掉SiO2，实现石墨烯基硅纳米线异质结的整体转移，得到柔性、可移植的石墨烯基硅纳米线异质结。

公开(公告)号：CN111254414A

公开(公告)日：2020-06-09

申请号：CN202010071226.6

申请日：2020-01-21

Applicant: 西安工程大学

Inventor： 李连碧 ,  臧源 ,  陈鸿 ,  胡继超 ,  林生晃 ,  张国青 ,  蒲红斌 ,  封先锋 ,  宋立勋 ,  涂喆研 ,  李泽斌 ,  徐永康 ,  王蓉

IPC: C23C16/24 ,  C23C16/44 ,  C23C16/56 ,  H01L31/18 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种柔性石墨烯基硅纳米线异质结的制备与转移方法，将石墨烯湿法转移至SiO2/Si上，采用金属催化VLS机制的CVD法(化学气相沉积法)，利用2nm厚Au作为催化剂，在石墨烯上直接生长Si纳米线。生长温度为500℃，源气体SiH4流量为10sccm，生长压力1.33×104Pa，生长时间10分钟。生长结束后，关闭SiH4气体阀门，在氩气保护下，CVD炉自然冷却后得到石墨烯基硅纳米线异质结。然后，将制备好的石墨烯基硅纳米线异质结，旋涂PMMA/PDMS双支撑膜，利用NaOH溶液刻蚀掉SiO2，实现石墨烯基硅纳米线异质结的整体转移，得到柔性、可移植的石墨烯基硅纳米线异质结。