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公开(公告)号：CN111254414B
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202010071226.6
申请日：2020-01-21
Applicant: 西安工程大学
Abstract: 本发明公开了一种柔性石墨烯基硅纳米线异质结的制备与转移方法，将石墨烯湿法转移至SiO2/Si上，采用金属催化VLS机制的CVD法(化学气相沉积法)，利用2nm厚Au作为催化剂，在石墨烯上直接生长Si纳米线。生长温度为500℃，源气体SiH4流量为10sccm，生长压力1.33×104Pa，生长时间10分钟。生长结束后，关闭SiH4气体阀门，在氩气保护下，CVD炉自然冷却后得到石墨烯基硅纳米线异质结。然后，将制备好的石墨烯基硅纳米线异质结，旋涂PMMA/PDMS双支撑膜，利用NaOH溶液刻蚀掉SiO2，实现石墨烯基硅纳米线异质结的整体转移，得到柔性、可移植的石墨烯基硅纳米线异质结。
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公开(公告)号：CN115752218A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211463364.4
申请日：2022-11-22
Applicant: 西安工程大学
IPC: G01B7/16 , C01B32/184 , A61B5/0205
Abstract: 本发明公开了三维石墨烯柔性应变传感器的制备方法，通过填充法制备多孔结构的柔性材料聚二甲基硅氧烷，然后将氧化石墨烯溶液装载到多孔聚二甲基硅氧烷上，干燥后将氧化石墨烯还原，最后使用导电银浆在三维石墨烯上印刷图形化电极，即得三维石墨烯柔性应变传感器。本发明提供的三维石墨烯柔性应变传感器的制备方法能制备出制备成本低廉、高灵敏度的可穿戴柔性石墨烯应变传感器，结合石墨烯的高柔韧性、载流子迁移率高、超宽的光谱响应以及其对微小应变的高敏感性实现对人体的生命特征的实时监测例如心跳、脉搏、呼吸等，本发明制备方法简便，成本低廉，可以大面积制备，更加适合工业化生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119995529A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202510118293.1
申请日：2025-01-24
Applicant: 西安工程大学
Abstract: 本发明公开了具有宽调谐范围的可变增益超宽带低噪声放大器，包括连接在一起的可调谐输入匹配电路和LNA核心放大电路，所述可调谐输入匹配电路用于输入阻抗和噪声匹配，所述LNA核心放大电路用于增益调谐，所述LNA核心放大电路包括两级级联的共源共栅电路，信号由所述可调谐输入匹配电路进入到LNA核心放大电路，经过第一级共源共栅放大器放大后，再经过第二级共源共栅放大器对信号进一步放大，最后由输出端输出。本发明解决了传统的VG‑LNA在宽带应用中增益调谐时，输入阻抗不稳定、增益调谐范围小和增益变化步长不一致的问题。
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公开(公告)号：CN116865691A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202310877262.5
申请日：2023-07-17
Applicant: 西安工程大学
Abstract: 本发明公开了具有带宽可重构技术的超宽带低噪声放大器，包括输入匹配级电路、增益放大级电路、第一级可调负载网络、第二级可调并联峰化负载网络以及输出缓冲级电路；信号从输入匹配级电路流入、经并联反馈网络拓展带宽、经第一级可调负载网络流入增益放大级、经增益放大级电路的进一步放大、经第二级可调并联峰化负载后到达输出缓冲级输出。本发明超宽带低噪声放大器采用的带宽可重构技术通过在负载端引入开关控制低频阻抗谐振点与增益极点实现频带切换，减小了芯片面积，控制了成本，实现了宽带与宽带之间的频率切换，保证了不同频带内的增益平坦度性能，减少了开关的插损对电路整体的噪声贡献。
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公开(公告)号：CN115881839A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202211473690.3
申请日：2022-11-22
Applicant: 西安工程大学
IPC: H01L31/028 , H01L31/109 , H01L31/18 , C23C14/18 , C23C14/28
Abstract: 本发明公开了柔性石墨烯/锗异质结的制备方法，以高纯Ge作为靶材，铜箔石墨烯作为衬底，激光作为粒子激发源，采用PLD法在铜箔石墨烯上沉积锗薄膜。本发明还公开了柔性石墨烯/锗异质结的转移方法，给制备好的柔性石墨烯/锗异质结旋涂PMMA支撑膜，然后用CuSO4溶液刻蚀掉铜箔，实现柔性石墨烯/锗异质结的整体转移。本发明提供的柔性石墨烯/锗异质结的制备方法及转移方法解决了石墨烯由于光吸收率低，导致石墨烯探测器的光响应度较低，石墨烯自身的光生载流子寿命短的问题，可以制备出近红外高响应、高速度的石墨烯基异质结。
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公开(公告)号：CN111254414A
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN202010071226.6
申请日：2020-01-21
Applicant: 西安工程大学
Abstract: 本发明公开了一种柔性石墨烯基硅纳米线异质结的制备与转移方法，将石墨烯湿法转移至SiO2/Si上，采用金属催化VLS机制的CVD法(化学气相沉积法)，利用2nm厚Au作为催化剂，在石墨烯上直接生长Si纳米线。生长温度为500℃，源气体SiH4流量为10sccm，生长压力1.33×104Pa，生长时间10分钟。生长结束后，关闭SiH4气体阀门，在氩气保护下，CVD炉自然冷却后得到石墨烯基硅纳米线异质结。然后，将制备好的石墨烯基硅纳米线异质结，旋涂PMMA/PDMS双支撑膜，利用NaOH溶液刻蚀掉SiO2，实现石墨烯基硅纳米线异质结的整体转移，得到柔性、可移植的石墨烯基硅纳米线异质结。
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