公开(公告)号：CN111254414B

公开(公告)日：2022-03-29

申请号：CN202010071226.6

申请日：2020-01-21

Applicant: 西安工程大学

Inventor： 李连碧 ,  臧源 ,  陈鸿 ,  胡继超 ,  林生晃 ,  张国青 ,  蒲红斌 ,  封先锋 ,  宋立勋 ,  涂喆研 ,  李泽斌 ,  徐永康 ,  王蓉

IPC: C23C16/24 ,  C23C16/44 ,  C23C16/56 ,  H01L31/18 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种柔性石墨烯基硅纳米线异质结的制备与转移方法，将石墨烯湿法转移至SiO2/Si上，采用金属催化VLS机制的CVD法(化学气相沉积法)，利用2nm厚Au作为催化剂，在石墨烯上直接生长Si纳米线。生长温度为500℃，源气体SiH4流量为10sccm，生长压力1.33×104Pa，生长时间10分钟。生长结束后，关闭SiH4气体阀门，在氩气保护下，CVD炉自然冷却后得到石墨烯基硅纳米线异质结。然后，将制备好的石墨烯基硅纳米线异质结，旋涂PMMA/PDMS双支撑膜，利用NaOH溶液刻蚀掉SiO2，实现石墨烯基硅纳米线异质结的整体转移，得到柔性、可移植的石墨烯基硅纳米线异质结。

公开(公告)号：CN115881839A

公开(公告)日：2023-03-31

申请号：CN202211473690.3

申请日：2022-11-22

Applicant: 西安工程大学

Inventor： 李连碧 ,  丁斌斌 ,  李蕾 ,  贡楷文 ,  王蓉 ,  李泽斌 ,  张国青 ,  夏蔡娟 ,  宋立勋 ,  曹得重 ,  臧源 ,  胡继超 ,  林生晃

IPC: H01L31/028 ,  H01L31/109 ,  H01L31/18 ,  C23C14/18 ,  C23C14/28

Abstract: 本发明公开了柔性石墨烯/锗异质结的制备方法，以高纯Ge作为靶材，铜箔石墨烯作为衬底，激光作为粒子激发源，采用PLD法在铜箔石墨烯上沉积锗薄膜。本发明还公开了柔性石墨烯/锗异质结的转移方法，给制备好的柔性石墨烯/锗异质结旋涂PMMA支撑膜，然后用CuSO4溶液刻蚀掉铜箔，实现柔性石墨烯/锗异质结的整体转移。本发明提供的柔性石墨烯/锗异质结的制备方法及转移方法解决了石墨烯由于光吸收率低，导致石墨烯探测器的光响应度较低，石墨烯自身的光生载流子寿命短的问题，可以制备出近红外高响应、高速度的石墨烯基异质结。

公开(公告)号：CN111254414A

公开(公告)日：2020-06-09

申请号：CN202010071226.6

申请日：2020-01-21

Applicant: 西安工程大学

Inventor： 李连碧 ,  臧源 ,  陈鸿 ,  胡继超 ,  林生晃 ,  张国青 ,  蒲红斌 ,  封先锋 ,  宋立勋 ,  涂喆研 ,  李泽斌 ,  徐永康 ,  王蓉

IPC: C23C16/24 ,  C23C16/44 ,  C23C16/56 ,  H01L31/18 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种柔性石墨烯基硅纳米线异质结的制备与转移方法，将石墨烯湿法转移至SiO2/Si上，采用金属催化VLS机制的CVD法(化学气相沉积法)，利用2nm厚Au作为催化剂，在石墨烯上直接生长Si纳米线。生长温度为500℃，源气体SiH4流量为10sccm，生长压力1.33×104Pa，生长时间10分钟。生长结束后，关闭SiH4气体阀门，在氩气保护下，CVD炉自然冷却后得到石墨烯基硅纳米线异质结。然后，将制备好的石墨烯基硅纳米线异质结，旋涂PMMA/PDMS双支撑膜，利用NaOH溶液刻蚀掉SiO2，实现石墨烯基硅纳米线异质结的整体转移，得到柔性、可移植的石墨烯基硅纳米线异质结。