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公开(公告)号：CN116626467B
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202310630327.6
申请日：2023-05-31
Applicant: 西安工程大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开的快速检出硅光电倍增管芯片次品的检测方法，利用半导体精密参数分析仪与探针台测量SiPM芯片的伏安特性曲线，芯片无需切片封装，可以直接通过肉眼观察SiPM芯片的反向伏安特性曲线是否有两个凹拐点判断SiPM芯片是否能够正常工作，如果反向伏安特性曲线没有两个凹拐点，则可以判定为次品。本发明提出的检测方法也可以通过人工智能图像识别判断SiPM芯片的反向伏安(I‑V)特性曲线是否有两个凹拐点，进而判定待测SiPM芯片是否为次品，还可以通过本发明提出的算法利用计算机自动检出SiPM芯片中的次品。
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公开(公告)号：CN104330173B
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201410550259.3
申请日：2014-10-16
Applicant: 西安工程大学
Abstract: 本发明公开的基于波形积分的光子数分辨方法，具体按照以下步骤实施：1)将多像素光子计数器输出的雪崩信号通过同轴电缆输入到数字示波器中；2)对数字示波器中显示的波形数据对时间进行积分；3)对一系列波形积分值进行直方图统计分析，画出统计直方图；4)观察直方图即可直接获得最可几光子数或平均光子数信息；5)利用得到的最可几光子数或平均光子数除以探测器的光子探测效率即为入射光场的最可几光子数或平均光子数。本发明还公开了上述光子数分辨方法中采用的光子数分辨系统。本发明基于波形积分的光子数分辨方法及采用的分辨系统大大提高了光子数分辨能力、降低了成本，提高了测量速度。
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公开(公告)号：CN105181153A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201510611365.2
申请日：2015-09-23
Applicant: 西安工程大学
IPC: G01J11/00
Abstract: 本发明公开了基于波形面积的雪崩光探测器增益测量方法，具体为：1)将多像素光子探测器输出的雪崩信号通过高速放大器放大后输入到通用数字示波器中，由通用数字示波器显示出波形电压值；2)将通用数字示波器显示的波形电压值对时间进行积分求出波形面积值；3)在计算机内嵌入计算模块，利用计算模型对波形面积值进行处理获取增益值；4)重复1)～3)至少100次获得多个增益值；5)对经获取的所有增益值进行直方图统计，并绘制出统计直方图，该统计直方图的峰值对应的增益值为多像素光子探测器的平均增益。本发明的雪崩光探测器增益测量方法解决了现有雪崩光探测器增益测量方法中存在的系统复杂、通用性不强及测量便捷性差的问题。
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公开(公告)号：CN118198157A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410333960.3
申请日：2024-03-22
Applicant: 西安工程大学
IPC: H01L31/0232 , H01L31/107 , H01L31/18 , H01L31/115
Abstract: 本发明公开的提高硅光电倍增管光子探测效率的结构及其制作方法，包括设置于硅光电倍增管非光敏区表面的金属膜，金属膜和硅光电倍增管的光敏区上方共同设置有透明绝缘封装介质。本发明通过在硅光电倍增管的非光敏区表面即“死区”覆设一层高反射率的金属膜，从而利用高反射金属膜与透明封装层上表面之间光子的多次反射，使得更多的光子落在硅光电倍增管的光敏区上，能够增加硅光电倍增管的光子探测效率，还具有工艺简单、实用性强的优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118151269A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202311550845.3
申请日：2023-11-20
Applicant: 西安工程大学
IPC: G02B3/00 , H01L31/0216 , H01L31/0232 , H01L31/102 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开的在硅光电倍增管表面制作自成形自对准微透镜阵列的方法，包括：在硅光电倍增管本体表面沉积金属薄膜层；通过光刻对准工艺形成要对金属薄膜层开窗口的光刻胶图形，窗口与硅光电倍增管本体的G‑APD单元光敏区一一对应且中心对齐；通过刻蚀工艺对金属薄膜层刻蚀形成网孔结构；在网孔结构上涂抹一层对透明绝缘封装介质不浸润的涂层；向网孔结构上表面滴入液态透明绝缘封装介质，使得每个网孔结构内液态透明绝缘封装介质的下表面向下形成凸面；固化得到位于硅光电倍增管表面的微透镜阵列。本发明解决了现有的将光子汇聚到SiPM芯片内G‑APD单元光敏区的方法成本高、耦合对准步骤繁琐的问题。
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公开(公告)号：CN106706126B
公开(公告)日：2018-07-03
申请号：CN201710011138.5
申请日：2017-01-06
Applicant: 西安工程大学
IPC: G01J1/42
Abstract: 本发明公开的基于硅光电倍增器的脉冲光响应动态范围测量方法：记录的1个等效光子脉冲的幅度，除以高速放大器的放大倍数得到1p.e.原始脉冲的幅度；在弱光照射下，记录SiPM幅度并换算得到入射光脉冲的单脉冲平均光子数；撤掉高速放大器，将SiPM输出的信号通入数字示波器；逐步线性增加光强，记录各次SiPM输出电脉冲的幅度及对应的光源光强调节旋钮的刻度；换算出各次SiPM输出电脉冲的p.e.数及各次单个光脉冲的平均光子数；各次实验点画出曲线的p.e.数的渐近值即为动态范围。本发明提出的方法克服了现有的测量方法中存在的需标准探测器定标光强、对激光器重复频率要求高及装置复杂的问题。
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公开(公告)号：CN118730296A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410759671.X
申请日：2024-06-13
Applicant: 西安工程大学
IPC: G01J1/44
Abstract: 本发明公开的正面照射式单光子成像的多像素光子计数器及其制造方法，包括衬底及其上方依次设置的外延层和金属网格层，外延层上对应金属网格层的开口区域阵列设置有若干第一富掺杂区，其上方共同设置有与其形成PN结且连接至金属网格层的第二富掺杂区，衬底内对应若干第一富掺杂区间隔区域通过开设隔离沟槽形成有阵列设置的若干柱状结构，其底端分别通过电极共同连接有信号读出电路。本发明中雪崩电流脉冲通过G‑APD单元下方衬底的柱状结构传输至信号读出电路，实现了正面入射模拟型MPPC的单光子探测与成像。由于探测器芯片表面无需电路结构与淬灭电阻，不占用面积，因此实现了高的填充因子，从而提高了探测器的探测效率。
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公开(公告)号：CN118367038A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410333965.6
申请日：2024-03-22
Applicant: 西安工程大学
IPC: H01L31/0232 , H01L31/107 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开的提高硅光电倍增管近红外波段光谱响应范围的结构及方法，包括设置于硅光电倍增管光敏面的上转换层，上转换层由液态透明封装介质中均匀掺入上转换纳米荧光材料固化而成。本发明通过在SiPM光敏面的透明封装介质中掺入上转换纳米荧光材料将近红外波段光子转换为可见波段光子进行探测，缓解了现有近红外单光子探测器性能较差、利用非线性晶体上转换进行近红外探测的方法系统复杂且集成度低的问题，实现了SiPM间接探测波长大于1100nm的红外光，扩展了SiPM的光谱响应范围，且便于生产，能够大幅度降低探测器的制造成本。
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公开(公告)号：CN116626467A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310630327.6
申请日：2023-05-31
Applicant: 西安工程大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开的快速检出硅光电倍增管芯片次品的检测方法，利用半导体精密参数分析仪与探针台测量SiPM芯片的伏安特性曲线，芯片无需切片封装，可以直接通过肉眼观察SiPM芯片的反向伏安特性曲线是否有两个凹拐点判断SiPM芯片是否能够正常工作，如果反向伏安特性曲线没有两个凹拐点，则可以判定为次品。本发明提出的检测方法也可以通过人工智能图像识别判断SiPM芯片的反向伏安(I‑V)特性曲线是否有两个凹拐点，进而判定待测SiPM芯片是否为次品，还可以通过本发明提出的算法利用计算机自动检出SiPM芯片中的次品。
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