公开(公告)号：CN108516541B

公开(公告)日：2021-06-04

申请号：CN201810320411.7

申请日：2018-04-02

Applicant: 西安工程大学 ,  西安理工大学

Inventor： 李连碧 ,  臧源 ,  胡继超 ,  林生晃 ,  贺小敏 ,  褚庆 ,  冯松 ,  蒲红斌 ,  封先锋 ,  宋立勋 ,  雷倩倩 ,  涂喆研

IPC: C01B32/194 ,  C01B32/186

Abstract: 本发明公开了一种CVD石墨烯干法转移方法，在石墨烯/铜箔上依次旋涂配置的PVP胶和PVA胶，烘箱烘干；将所得的PVA/PVP/石墨烯/铜箔取出，剥离PVA/PVP/石墨烯薄膜，然后将剥离的薄膜转移至两片透明载玻片中间，预热，使薄膜自然舒展后，浸入温热的无水乙醇中5s后取出，粘附在清洗过后的衬底上，待自然晾干后，置于75℃的水蒸气中10min，置于烘箱烘干；将PVA/PVP/石墨烯/衬底取出，置于75℃的去离子水中，清除PVA/PVP胶体后，去离子水清洗5次，烘箱烘干。本发明具有保护胶残留较少，无重金属残留，有机溶剂残留少、转移石墨烯用时少、成本低，转移墨烯质量较高等优点。

公开(公告)号：CN108516541A

公开(公告)日：2018-09-11

申请号：CN201810320411.7

申请日：2018-04-02

Applicant: 西安工程大学 ,  西安理工大学

Inventor： 李连碧 ,  臧源 ,  胡继超 ,  林生晃 ,  贺小敏 ,  褚庆 ,  冯松 ,  蒲红斌 ,  封先锋 ,  宋立勋 ,  雷倩倩 ,  涂喆研

IPC: C01B32/194 ,  C01B32/186

Abstract: 本发明公开了一种新型CVD石墨烯干法转移方法，在石墨烯/铜箔上依次旋涂配置的PVP胶和PVA胶，烘箱烘干；将所得的PVA/PVP/石墨烯/铜箔取出，剥离PVA/PVP/石墨烯薄膜，然后将剥离的薄膜转移至两片透明载玻片中间，预热，使薄膜自然舒展后，浸入温热的无水乙醇中5s后取出，粘附在清洗过后的衬底上，待自然晾干后，置于75℃的水蒸气中10min，置于烘箱烘干；将PVA/PVP/石墨烯/衬底取出，置于75℃的去离子水中，清除PVA/PVP胶体后，去离子水清洗5次，烘箱烘干。本发明具有保护胶残留较少，无重金属残留，有机溶剂残留少、转移石墨烯用时少、成本低，转移墨烯质量较高等优点。

公开(公告)号：CN107579129B

公开(公告)日：2019-03-26

申请号：CN201710803903.7

申请日：2017-09-04

Applicant: 西安工程大学

Inventor： 李连碧 ,  臧源 ,  胡继超 ,  林生晃 ,  贺小敏 ,  韩雨凌 ,  褚庆 ,  蒲红斌 ,  封先锋 ,  冯松 ,  宋立勋 ,  雷倩倩

IPC: H01L31/0392 ,  H01L31/028 ,  H01L31/109 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明公开一种碳化硅/晶体‑锗/石墨烯异质结光电器件及其制造方法，该光电器件包括两电极，两电极之间从上往下依次连接有石墨烯层、晶体锗薄膜层、单晶碳化硅衬底，所述石墨烯层为单原子层厚或者多原子层厚，晶体锗薄膜层的厚度为0.5‑5微米，单晶碳化硅衬底的厚度为100‑400微米。本发明利用石墨烯的高透过率和高载流子迁移率，Ge对近红外光的高敏感度，与SiC形成新型的SiC基Ge/石墨烯异质结，得到了一种可应用于大功率、高温环境的高速、高响应的近红外光控器件。