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公开(公告)号：CN116359679A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202310047133.3
申请日：2023-01-31
Applicant: 西安工程大学
IPC: G01R31/12
Abstract: 本发明公开了基于光电倍增管的紫外光扫描成像方法，通过紫外光成像光学系统实现了紫外光二维扫描成像，一幅图像的扫描时间和扫描精度可调，丰富了高压电气设施绝缘故障的检测手段，降低了紫外光成像系统的购置成本；本发明方法解决了电力系统现有绝缘故障检测技术中红外成像无法探测到微弱放电、无法定位放电点以及紫外光成像设备需要进口的问题；当高压设备出现绝缘故障时，系统会探测到紫外光信号，根据信号的强弱，显示对应的光斑面积；光斑面积越大代表放电越强烈，此处的绝缘故障越严重；在故障早期能及时发现绝缘放电部位并直观显示放电强弱，丰富电网安全运行保障手段。
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公开(公告)号：CN104677510A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201510043345.X
申请日：2015-01-28
Applicant: 西安工程大学
IPC: G01J11/00
Abstract: 本发明公开了一种多重高频量子拍动力学探测装置及其探测方法，探测装置将传统的激光泵浦探测法和光电探测器进行融合，包括光路设计及光学延迟器、量子拍激发器、量子拍探测及其动力学处理器；本发明利用超短激光脉冲的相干作用，造成原子和分子极化强度随时间作周期性变化，并转化为光信号传出；通过测量光信号强度随脉冲时间延迟的变化得到时域信号，并对时域信号进行含时傅里叶变换，能够实现量子拍及其动力学特性的探测；该装置及其探测方法非常适合于多重高频量子拍及其动力学的研究与应用。
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公开(公告)号：CN118198157A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410333960.3
申请日：2024-03-22
Applicant: 西安工程大学
IPC: H01L31/0232 , H01L31/107 , H01L31/18 , H01L31/115
Abstract: 本发明公开的提高硅光电倍增管光子探测效率的结构及其制作方法，包括设置于硅光电倍增管非光敏区表面的金属膜，金属膜和硅光电倍增管的光敏区上方共同设置有透明绝缘封装介质。本发明通过在硅光电倍增管的非光敏区表面即“死区”覆设一层高反射率的金属膜，从而利用高反射金属膜与透明封装层上表面之间光子的多次反射，使得更多的光子落在硅光电倍增管的光敏区上，能够增加硅光电倍增管的光子探测效率，还具有工艺简单、实用性强的优点。
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公开(公告)号：CN118151269A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202311550845.3
申请日：2023-11-20
Applicant: 西安工程大学
IPC: G02B3/00 , H01L31/0216 , H01L31/0232 , H01L31/102 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开的在硅光电倍增管表面制作自成形自对准微透镜阵列的方法，包括：在硅光电倍增管本体表面沉积金属薄膜层；通过光刻对准工艺形成要对金属薄膜层开窗口的光刻胶图形，窗口与硅光电倍增管本体的G‑APD单元光敏区一一对应且中心对齐；通过刻蚀工艺对金属薄膜层刻蚀形成网孔结构；在网孔结构上涂抹一层对透明绝缘封装介质不浸润的涂层；向网孔结构上表面滴入液态透明绝缘封装介质，使得每个网孔结构内液态透明绝缘封装介质的下表面向下形成凸面；固化得到位于硅光电倍增管表面的微透镜阵列。本发明解决了现有的将光子汇聚到SiPM芯片内G‑APD单元光敏区的方法成本高、耦合对准步骤繁琐的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117525091A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311395821.5
申请日：2023-10-25
Applicant: 西安工程大学
IPC: H01L27/142 , H01L31/107 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开的G‑APD单元增益一致性高的硅光电倍增管及制造方法，包括若干G‑APD单元阵列而成的硅光电倍增管本体，硅光电倍增管本体顶部位于G‑APD单元光敏区的间隔区域沉积有金属网格。本发明的G‑APD单元增益一致性高的硅光电倍增管，通过在硅光电倍增管高浓度离子掺杂层表面，G‑APD单元的间隔区域布满金属网格，使得位于中央区域的G‑APD单元与边缘区域的单元两端有一致的偏压，提高了单元间的增益一致性，进一步可提高硅光电倍增管的光子数分辩能力；本发明的制造方法工艺简单，适用于工业化批量生产。
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公开(公告)号：CN115752218A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211463364.4
申请日：2022-11-22
Applicant: 西安工程大学
IPC: G01B7/16 , C01B32/184 , A61B5/0205
Abstract: 本发明公开了三维石墨烯柔性应变传感器的制备方法，通过填充法制备多孔结构的柔性材料聚二甲基硅氧烷，然后将氧化石墨烯溶液装载到多孔聚二甲基硅氧烷上，干燥后将氧化石墨烯还原，最后使用导电银浆在三维石墨烯上印刷图形化电极，即得三维石墨烯柔性应变传感器。本发明提供的三维石墨烯柔性应变传感器的制备方法能制备出制备成本低廉、高灵敏度的可穿戴柔性石墨烯应变传感器，结合石墨烯的高柔韧性、载流子迁移率高、超宽的光谱响应以及其对微小应变的高敏感性实现对人体的生命特征的实时监测例如心跳、脉搏、呼吸等，本发明制备方法简便，成本低廉，可以大面积制备，更加适合工业化生产。
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公开(公告)号：CN105093569B
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201510562937.2
申请日：2015-09-07
Applicant: 西安工程大学
IPC: G02F1/015
Abstract: 本发明公开了一种双异质结PIN电光调制器结构，包括有N‑Sub型衬底，N‑Sub型衬底的上部设置有SiO2埋层，SiO2埋层上部的两侧分别设置有P+阱区、N+阱区，P+阱区、N+阱区之间设置有本征N型锗硅调制区，P+阱区的上部设置有第一电极，N+阱区的上部设置有第二电极，第一电极、本征N型锗硅调制区及第二电极的上部覆盖有SiO2覆盖层。本发明的双异质结PIN电光调制器结构是一种高载流子注入，低调制功耗的PIN电光调制器，可代替常规硅基PIN电光调制器结构，在电光调制时能够获得更小的调制功耗，提升了光电转换效率，减小了光电集成中电学元件的比重，便于光电集成向更小尺寸的发展。
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公开(公告)号：CN106706126B
公开(公告)日：2018-07-03
申请号：CN201710011138.5
申请日：2017-01-06
Applicant: 西安工程大学
IPC: G01J1/42
Abstract: 本发明公开的基于硅光电倍增器的脉冲光响应动态范围测量方法：记录的1个等效光子脉冲的幅度，除以高速放大器的放大倍数得到1p.e.原始脉冲的幅度；在弱光照射下，记录SiPM幅度并换算得到入射光脉冲的单脉冲平均光子数；撤掉高速放大器，将SiPM输出的信号通入数字示波器；逐步线性增加光强，记录各次SiPM输出电脉冲的幅度及对应的光源光强调节旋钮的刻度；换算出各次SiPM输出电脉冲的p.e.数及各次单个光脉冲的平均光子数；各次实验点画出曲线的p.e.数的渐近值即为动态范围。本发明提出的方法克服了现有的测量方法中存在的需标准探测器定标光强、对激光器重复频率要求高及装置复杂的问题。
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公开(公告)号：CN118670544A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410943765.2
申请日：2024-07-15
Applicant: 西安工程大学
IPC: G01J9/00
Abstract: 本发明公开的基于空间相干编码的相位超快测量系统，包括泵浦光源处理单元、待测信号处理单元与窄线宽参考光源单元，待测信号处理单元发出光线的路径与窄线宽参考光源单元发出光线的路径上共同设有偏振分束器，泵浦光源处理单元发出光线的路径与偏振分束器发出光线的路径上共同设有聚焦透镜，聚焦透镜发出的光线路径上依次设有BBO晶体、光阑、带通滤波器、反射式衍射光栅与CMOS相机。本发明的基于空间相干编码的相位超快测量系统，解决了现有技术无法实现超快相位信息实时检测的问题。
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