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公开(公告)号：CN101047230B
公开(公告)日：2010-07-28
申请号：CN200710089144.9
申请日：2007-03-20
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: H01L45/1675 , H01L45/06 , H01L45/122 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/144
Abstract: 一种PCM单元结构，其包括第一电极、相变元件和第二电极，其中该相变元件被插入第一电极与第二电极之间，并且只有第一电极和第二电极之一的周界边沿与相变元件接触，从而减少相变元件与电极之一的接触面积，从而增加了经过相变元件的电流密度并且有效地以第一编程功率引起相变。
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公开(公告)号：CN103887302B
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201310437086.X
申请日：2013-09-17
CPC classification number: H01L27/0248 , H01L21/26586 , H01L21/266 , H01L27/0255
Abstract: 一种用于在保护集成电路免受静电放电时使用的结二极管阵列可以被制作为包括各种尺寸的对称和/或不对称结二极管。二极管可以被配置为经由未封装的接触提供低电压和电流放电或者经由封装的接触提供高电压和电流放电。在制作结二极管阵列时使用倾斜注入允许使用单个硬掩模来注入多个离子种类。另外，可以为每个种类选择不同注入倾斜角度以及其它参数(例如注入能量、注入掩模厚度和掩模开口的尺度)以便精制注入区域的形状。如果希望则可以使用相同注入硬掩模在已经形成的二极管之间插入隔离区域。掩埋氧化物层可以用来防止掺杂物向衬底中扩散超出选择的深度。
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公开(公告)号：CN103700616A
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201310364376.6
申请日：2013-08-19
IPC: H01L21/768 , H01L23/535
CPC classification number: H01L21/76816 , H01L21/76807 , H01L21/76831 , H01L21/76834 , H01L21/76838 , H01L21/76897 , H01L23/5226 , H01L23/5283 , H01L23/53295
Abstract: 在集成电路裸片中在裸片内堆叠的三个金属层中形成多个金属轨道。在中间金属层的金属轨道周围形成保护电介质层。保护电介质层充当硬掩模以在所述中间金属层以上和以下的金属层中的金属轨道之间限定接触过孔。
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公开(公告)号：CN1761056A
公开(公告)日：2006-04-19
申请号：CN200510079823.9
申请日：2005-06-29
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L23/522 , H01L21/768 , H05K3/46
CPC classification number: H01L21/76802 , H01L21/76805 , H01L21/76843 , H01L21/76844 , H01L21/76847 , H01L21/76865 , H01L23/5226 , H01L23/53238 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/3011 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种可以在BEOL中制造的互连结构，该互连结构与上述常规的互连结构相比，在正常芯片操作中表现良好的机械接触，并在各种可靠性测试中不发生故障。本发明的互连结构在位于层间介质层中的过孔底部具有弯折界面。具体地，本发明的互连结构包括：第一介质层，其中嵌有至少一个金属互连；第二介质层，位于所述第一介质层上，其中所述第二介质层具有至少一个开口，所述开口具有上线路区域和下过孔区域，所述下过孔区域包括弯折界面；至少一对衬里，位于所述至少一个开口的至少垂直壁上；以及导电材料，填充所述至少一个开口。
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公开(公告)号：CN1510760A
公开(公告)日：2004-07-07
申请号：CN200310121566.1
申请日：2003-12-22
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/8234
CPC classification number: H01L29/4983 , H01L21/28194 , H01L21/28518 , H01L21/28568 , H01L21/3003 , H01L21/76823 , H01L21/76895 , H01L29/517 , H01L29/7833
Abstract: 一种晶体管器件的结构和形成方法，包括在衬底中形成源区、漏区和沟槽区，在衬底上形成第一绝缘体，在第一绝缘体上形成栅电极，邻接电极形成一对绝缘间隔层，将部分第一绝缘体转化成金属膜，将金属膜转化成硅化物和自对准硅化物膜中的一种，在沟槽区上形成互连区，在第一绝缘体、沟槽区、栅电极以及该对绝缘间隔层上形成蚀刻终止层，在蚀刻终止层上形成第二绝缘体，以及在第二绝缘体中形成接触。第一绝缘体包括金属氧化物材料，该金属氧化物材料包括HfOx和ZrOx中的一种。
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公开(公告)号：CN116547797A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202180078557.5
申请日：2021-10-27
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/82
Abstract: 一种非易失性存储单元包括串联、并且在顶部状态影响电极和顶部导线之间的薄膜电阻器(TFR)。TFR限制或通常减小来自顶部导线的顶部状态影响电极处的电流。这样，可以提高非易失性存储器单元耐久性，并且可以限制对与非易失性存储器单元相邻的(一个或多个)部件的不利影响。当形成与顶部导线的制造相关联的顶部导线沟槽时，TFR被附加的利用为蚀刻停止件。在需要单元对称性的一些非易失性存储器单元中，可以在底部导线与底部状态影响电极之间形成附加TFR。
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公开(公告)号：CN103915375A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201310433537.2
申请日：2013-09-16
IPC: H01L21/768 , H01L23/522 , H01L23/528
CPC classification number: H01L23/5384 , H01L21/76807 , H01L21/7682 , H01L21/76883 , H01L21/76885 , H01L21/76897 , H01L23/5222 , H01L23/5226 , H01L23/5283 , H01L23/53238 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 通过组合大马士革工艺和减薄金属刻蚀来将金属互连形成在集成电路中。在电介质层中形成宽沟槽。在宽沟槽中沉积导电材料。在导电材料中刻蚀沟槽，以限定多个金属插塞，每个金属插塞包括被宽沟槽暴露出的相应的金属迹线。
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公开(公告)号：CN100536124C
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200510079823.9
申请日：2005-06-29
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L23/522 , H01L21/768 , H05K3/46
CPC classification number: H01L21/76802 , H01L21/76805 , H01L21/76843 , H01L21/76844 , H01L21/76847 , H01L21/76865 , H01L23/5226 , H01L23/53238 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/3011 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种可以在BEOL中制造的互连结构，该互连结构与上述常规的互连结构相比，在正常芯片操作中表现良好的机械接触，并在各种可靠性测试中不发生故障。本发明的互连结构在位于层间介质层中的过孔底部具有弯折界面。具体地，本发明的互连结构包括：第一介质层，其中嵌有至少一个金属互连；第二介质层，位于所述第一介质层上，其中所述第二介质层具有至少一个开口，所述开口具有上线路区域和下过孔区域，所述下过孔区域包括弯折界面；至少一对衬里，位于所述至少一个开口的至少垂直壁上；以及导电材料，填充所述至少一个开口。
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公开(公告)号：CN1204629C
公开(公告)日：2005-06-01
申请号：CN01121726.X
申请日：2001-07-04
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/28
CPC classification number: H01L21/28044 , H01L29/4941
Abstract: 半导体器件，尤其是CMOS工艺这类应用中的MOSFET的一种栅极结构。栅极结构需要在半导体基片上的一个电绝缘层，在其上形成一个多晶硅栅极。该栅极结构还包括栅极导体，它通过具有半绝缘性质的扩散势垒层在电气上和栅极相连接。扩散势垒层的组分和厚度调节到能有效地阻止栅导体和多晶硅栅极之间的扩散和交互混合，但却提供足够的电容耦合及/或电流泄漏以便不明显地增加栅极结构的栅极传播延迟。
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