公开(公告)号：CN1624869A

公开(公告)日：2005-06-08

申请号：CN200310116964.4

申请日：2003-12-02

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： D·库尔鲍 ,  E·E·埃斯楚恩 ,  J·F·小谢泼德 ,  K·J·施泰因 ,  K·韦埃特

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/70 ,  H01G4/10 ,  H01G4/008

Abstract: 本发明提供了一种含有高k介质的高性能金属－绝缘体金属(MIM)电容器，然而基本上没有观察到MIM电容器的短路。具体地，通过在高k介质层和每个电容器的电极之间形成钝化层，本发明基本上防止了MIM电容器的短路。本发明的MIM电容器包括第一导体；位于第一导体上的第一钝化层；位于第一钝化层上的高k介质层；位于高k介质层上的第二钝化层；以及位于第二钝化层上的第二导体。

公开(公告)号：CN1510760A

公开(公告)日：2004-07-07

申请号：CN200310121566.1

申请日：2003-12-22

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： L·A·克莱文杰 ,  L·L·休 ,  C·J·拉登斯 ,  J·F·小谢泼德

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L29/4983 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/28568 ,  H01L21/3003 ,  H01L21/76823 ,  H01L21/76895 ,  H01L29/517 ,  H01L29/7833

Abstract: 一种晶体管器件的结构和形成方法，包括在衬底中形成源区、漏区和沟槽区，在衬底上形成第一绝缘体，在第一绝缘体上形成栅电极，邻接电极形成一对绝缘间隔层，将部分第一绝缘体转化成金属膜，将金属膜转化成硅化物和自对准硅化物膜中的一种，在沟槽区上形成互连区，在第一绝缘体、沟槽区、栅电极以及该对绝缘间隔层上形成蚀刻终止层，在蚀刻终止层上形成第二绝缘体，以及在第二绝缘体中形成接触。第一绝缘体包括金属氧化物材料，该金属氧化物材料包括HfOx和ZrOx中的一种。

公开(公告)号：CN1292488C

公开(公告)日：2006-12-27

申请号：CN200310121566.1

申请日：2003-12-22

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： L·A·克莱文杰 ,  L·L·休 ,  C·J·拉登斯 ,  J·F·小谢泼德

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L29/4983 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/28568 ,  H01L21/3003 ,  H01L21/76823 ,  H01L21/76895 ,  H01L29/517 ,  H01L29/7833

Abstract: 一种晶体管器件的结构和形成方法，包括在衬底中形成源区、漏区和沟槽区，在衬底上形成第一绝缘体，在第一绝缘体上形成栅电极，邻接电极形成一对绝缘间隔层，将部分第一绝缘体转化成金属膜，将金属膜转化成硅化物和自对准硅化物膜中的一种，在沟槽区上形成互连区，在第一绝缘体、沟槽区、栅电极以及该对绝缘间隔层上形成蚀刻终止层，在蚀刻终止层上形成第二绝缘体，以及在第二绝缘体中形成接触。第一绝缘体包括金属氧化物材料，该金属氧化物材料包括HfOx和ZrOx中的一种。

公开(公告)号：CN1309073C

公开(公告)日：2007-04-04

申请号：CN200310116972.9

申请日：2003-12-03

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： M·P·胡齐克 ,  R·H·德纳尔德 ,  R·迪瓦卡茹尼 ,  B·K·弗曼 ,  R·詹米 ,  C·纳拉扬 ,  S·普鲁肖特哈曼 ,  J·F·小谢泼德 ,  A·W·托波尔

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/70 ,  H01L21/768 ,  H01L21/60

CPC classification number: H05K1/162 ,  H01L23/147 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/50 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01055 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/30105 ,  H05K1/167 ,  H05K3/4602 ,  H05K2201/09809

Abstract: 本发明提供一种用于半导体元件的载体，它具有集成在衬底中的无源元件。所述无源元件包括去耦元件，例如：电容器和电阻器。集成一组连接以提供到支持的元件的紧密的电接近。

公开(公告)号：CN1507046A

公开(公告)日：2004-06-23

申请号：CN200310116972.9

申请日：2003-12-03

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： M·P·胡齐克 ,  R·H·德纳尔德 ,  R·迪瓦卡茹尼 ,  B·K·弗曼 ,  R·詹米 ,  C·纳拉扬 ,  S·普鲁肖特哈曼 ,  J·F·小谢泼德 ,  A·W·托波尔

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/70 ,  H01L21/768 ,  H01L21/60

CPC classification number: H05K1/162 ,  H01L23/147 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/50 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01055 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/30105 ,  H05K1/167 ,  H05K3/4602 ,  H05K2201/09809

Abstract: 本发明提供一种用于半导体元件的载体，它具有集成在衬底中的无源元件。所述无源元件包括去耦元件，例如：电容器和电阻器。集成一组连接以提供到支持的元件的紧密的电接近。