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公开(公告)号：CN1204629C
公开(公告)日：2005-06-01
申请号：CN01121726.X
申请日：2001-07-04
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/28
CPC classification number: H01L21/28044 , H01L29/4941
Abstract: 半导体器件，尤其是CMOS工艺这类应用中的MOSFET的一种栅极结构。栅极结构需要在半导体基片上的一个电绝缘层，在其上形成一个多晶硅栅极。该栅极结构还包括栅极导体，它通过具有半绝缘性质的扩散势垒层在电气上和栅极相连接。扩散势垒层的组分和厚度调节到能有效地阻止栅导体和多晶硅栅极之间的扩散和交互混合，但却提供足够的电容耦合及/或电流泄漏以便不明显地增加栅极结构的栅极传播延迟。
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公开(公告)号：CN1339827A
公开(公告)日：2002-03-13
申请号：CN01121726.X
申请日：2001-07-04
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/28
CPC classification number: H01L21/28044 , H01L29/4941
Abstract: 半导体器件,尤其是CMOS工艺这类应用中的MOSFET的一种栅极结构。栅极结构需要在半导体基片上的一个电绝缘层,在其上形成一个多晶硅栅极。该栅极结构还包括栅极导体,它通过具有半绝缘性质的扩散势垒层在电气上和栅极相连接。扩散势垒层的组分和厚度调节到能有效地阻止栅导体和多晶硅栅极之间的扩散和交互混合,但却提供足够的电容耦合及/或电流泄漏以便不明显地增加栅极结构的栅极传播延迟。
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公开(公告)号：CN101488520A
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200910003572.4
申请日：2009-01-15
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L29/49 , H01L21/288 , H01L21/28 , C25D3/56
CPC classification number: C25D3/567 , C25D5/02 , C25D7/12 , H01L21/28079 , H01L21/28088 , H01L21/28176 , H01L29/495 , H01L29/4966 , H01L29/517
Abstract: 公开了用于互补金属氧化物半导体(“CMOS”)应用的稳定金属栅极电极和制作稳定的金属栅极电极的方法。具体而言，通过合金化来稳定金属栅极电极，其中合金包括从Re、Ru、Pt、Rh、Ni、Al及其组合中选择的金属和从W、V、Ti、Ta及其组合中选择的元素。
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公开(公告)号：CN101097949A
公开(公告)日：2008-01-02
申请号：CN200710126817.3
申请日：2007-06-27
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： R·杰米 , S·扎法 , V·K·帕鲁丘里 , 张立伦 , 韩金平 , M·M·弗兰克 , E·古谢夫 , K·K·陈 , D·A·布坎南 , E·A·卡蒂尔 , C·P·德埃米克
IPC: H01L29/51 , H01L29/78 , H01L27/092 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L21/8238
CPC classification number: H01L21/823857 , H01L21/28167 , H01L21/28194 , H01L29/51 , H01L29/513 , H01L29/78
Abstract: 提供一种半导体结构及其形成方法，该半导体结构特别地是一种在场效应晶体管(FET)中有用的栅叠层，其中通过对栅电介质材料引入固定空间分布的电荷密度来控制其阈电压。公开nFET和/或pFET结构。按照本发明，栅叠层或FET的固定空间分布的电荷密度指示占据空间的电荷密度，它在器件操作条件下基本上保持为时间函数的常量，并且至少在电介质材料之内的一个位置处，或在它与沟道、栅电极、隔离件或器件的任何其他结构元件之间的界面处为非零。
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