公开(公告)号：CN119769189A

公开(公告)日：2025-04-04

申请号：CN202380061644.9

申请日：2023-05-17

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 龚南博 ,  安藤崇志 ,  G·M·科恩 ,  宫副裕之

IPC: H10B51/00 ,  H10B53/00 ,  G11C11/22

Abstract: 一种半导体器件，包括铁电随机存取存储器(FeRAM)单元。所述FeRAM包括铁电电介质，所述铁电电介质通过引导的电流流动及加热过程进行退火，以达到其铁电相。电流流动可以被引导通过使所述FeRAM单元加热的临时导线。对所述铁电电介质产生的加热或退火可以使所述铁电电介质结晶，以体现或导致具有铁电性质。与其中整个半导体器件或半导体器件的相对更大的区域被加热到铁电电介质的退火温度的全局加热或退火过程不同，引导的电流流动和加热过程基本上局限于所述FeRAM单元以及其中的铁电电介质。

公开(公告)号：CN117120970A

公开(公告)日：2023-11-24

申请号：CN202280023227.0

申请日：2022-03-15

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： G·科恩 ,  安藤崇志 ,  龚南博 ,  李宇龙

IPC: G06F7/544

Abstract: 在用于形成非易失性可调谐电容器装置的方法中，第一电极层与第二电极层相对地向远侧形成，第一电极层被配置为形成第一电连接，第二电极层被配置为形成第二电连接。介电层设置在第一电极层之间并且与第二电极层相邻。相变材料(PCM)层邻近介电层设置在第一电极层与第二电极层之间。提供激励部件以加热PCM层以改变PCM层的相位。该激励部件可以包括与该PCM层直接接触的加热元件或电探针，当被激励时该加热元件或电探针被配置成用于向该PCM层施加热量。PCM层的相在非晶相与结晶相之间是可改变的。

公开(公告)号：CN116711478A

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN202180080583.1

申请日：2021-10-27

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 龚南博 ,  G·科恩 ,  安藤崇志

IPC: H10N70/20

Abstract: 一种装置，包括：相变材料；第一电极，位于所述相变材料的第一端；第二电极，位于所述相变材料的第二端；以及加热元件，耦合到所述相变材料的在所述第一端和所述第二端之间的至少给定部分。该装置还包括耦合到加热元件的第一输入端子、耦合到加热元件的第二输入端子和耦合到第二电极的输出端子。

公开(公告)号：CN116649003A

公开(公告)日：2023-08-25

申请号：CN202180083411.X

申请日：2021-11-19

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 龚南博 ,  安藤崇志 ,  G·M·科昂

IPC: H10B51/00

Abstract: 一种器件包括非易失性存储器和控制系统。该非易失性存储器包括非易失性存储器单元的阵列，其中至少一个非易失性存储器单元包括铁电场效应晶体管(FeFET)器件。FeFET器件包括第一和第二源极/漏极区，以及包括铁电层和设置在铁电层之上的栅极电极的栅极结构。铁电层包括邻近于第一源极/漏极区的第一区和邻近于第二源极/漏极区的第二区。控制系统可操作地耦合到所述非易失性存储器，以将FeFET器件编程为具有多个不同逻辑状态中的逻辑状态。多个不同逻辑状态中的至少一个逻辑状态对应于FeFET器件的极化状态，其中铁电层的第一区和第二区具有极性相反的相应剩余极化。

公开(公告)号：CN116548097A

公开(公告)日：2023-08-04

申请号：CN202180081224.8

申请日：2021-11-30

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： R·维加 ,  D·沃尔珀特 ,  安藤崇志 ,  P·阿杜苏米利 ,  池澄

IPC: H10N97/00 ,  H01L23/64

Abstract: 一种形成半导体设备的方法，其中该半导体设备包括第一电源轨(3A，3B)，该第一电源轨具有将该第一电源轨连接到第一去耦电容器的一部分的一个或多个竖直堆叠的接触通孔。该半导体设备包括在第一栅极切割沟槽中的半导体衬底的第一部分中的第一去耦电容器。

公开(公告)号：CN116250042A

公开(公告)日：2023-06-09

申请号：CN202180059343.3

申请日：2021-07-19

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： J-O·普卢查特 ,  D·法伊弗 ,  A·库马尔 ,  安藤崇志 ,  宋培林

IPC: G11C13/00

Abstract: 通过在集成电路上面部分的金属布线层之间放置固态存储器阵列来形成防篡改存储器(后端生产线)。金属层形成围绕存储器阵列的网格，以保护其免受皮秒成像电路分析、旁道攻击和电测量的去层级化。存储器单元及其测量电路之间的互连被设计成保护下方的每一层，即特定金属层中的互连金属部分不小于下一个下面层中的互连金属部分。测量电路被金属网覆盖。衬底、金属层和存储器阵列是单个单片结构一部分。适用于芯片标识协议的存储器阵列包含唯一标识防篡改集成电路的物理不可克隆功能标识符、对称加密密钥和释放密钥。

公开(公告)号：CN115191030A

公开(公告)日：2022-10-14

申请号：CN202180017547.0

申请日：2021-03-19

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： A·库玛尔 ,  安藤崇志 ,  D·菲弗

IPC: H01L23/58 ,  H01L21/66

Abstract: 一种技术涉及使用控制系统(220)在中间范围条件下偏置电阻处理单元(102)的交叉阵列(100)，所述中间范围条件使得所述电阻处理单元(102)的电阻产生具有大约相等的比例的低值和高值的随机输出。控制系统(220)通过将电阻处理单元(102)的电阻设置为迫使低值和高值已经由中间范围条件导致的状态来加强随机输出的低值和高值。加强低值和高值使得即使当电阻处理单元(102)的交叉阵列(100)未在中间范围条件下被偏置时，随机输出也是永久的。控制系统(220)响应于加强随机输出的低值和高值而记录随机输出的低值和高值的序列。

公开(公告)号：CN111295747B

公开(公告)日：2024-03-22

申请号：CN201880070633.6

申请日：2018-10-12

Applicant: 国际商业机器公司 ,  株式会社爱发科

Inventor： J·罗泽恩 ,  安藤崇志 ,  V·纳拉雅南 ,  鲍如强 ,  小川洋平 ,  畠中正信

IPC: H01L21/8238

Abstract: 一种用于半导体器件的有效功函数调节的栅极结构，该栅极结构包括在半导体器件的沟道区域上的栅极电介质；与栅极电介质直接接触的第一金属氮化物；铝含量大于30原子％的铝的保形碳化物材料层；与含保形铝(Al)和碳(C)的材料层直接接触的第二金属氮化物层。铝(Al)的共形碳化物层包括碳化铝或Al4C3，在厚度小于2.5nm时，铝(Al)含量最高为57原子百分比(原子％)，功函数设定为3.9eV至5.0eV。与现有技术的功函数电极相比，这样的结构可以呈现低于25nm的金属栅极长度缩放和电阻的益处。

公开(公告)号：CN117203768A

公开(公告)日：2023-12-08

申请号：CN202280017918.X

申请日：2022-02-22

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 安藤崇志 ,  谢瑞龙 ,  A·雷茨尼采克 ,  张婧芸

IPC: H01L27/092

Abstract: 一种半导体结构及其制造方法，包括位于半导体衬底上的沟道纳米片之间的内间隔物，位于半导体结构的第一侧上的内间隔物的第一部分和位于与第一侧相对的第二侧上的内间隔物的第二部分，第一侧上的内间隔物的第一部分包括从内间隔物的第一部分的中间顶表面向外延伸的突出区域，以及与内间隔物直接接触的金属栅极堆叠，内间隔物的第一部分包括夹断金属栅极堆叠以增加第一侧上的阈值电压的突出区域。

公开(公告)号：CN116830201A

公开(公告)日：2023-09-29

申请号：CN202180083147.X

申请日：2021-11-10

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 龚南博 ,  安藤崇志 ,  R·L·布鲁斯 ,  A·雷茨尼采克 ,  B·赫克马绍尔塔巴里

IPC: G11C13/00

Abstract: 一种结构，包括底部电极(104)、垂直对准的相变材料层(106)和在所述相变材料层(106)上方垂直对准的双向阈值切换层(106)。一种结构，包括底部电极(104)、相变材料层(106)和在所述相变材料层(106)上方垂直对准的双向阈值切换层(118)、以及第二阻挡层(120，所述第二阻挡层将所述双向阈值切换层(118)与顶部电极(122)物理地分离。一种方法，包括：形成包括衬里的结构，所述衬里在第一阻挡层(108)上方垂直对准，所述第一阻挡层(108)在相变材料层(106)上方垂直对准，所述相变材料层(106)在底部电极(104)上方垂直对准；形成围绕所述结构的电介质(114)；以及在所述第一阻挡层(108)上形成双向阈值切换层(118)，所述双向阈值切换层(118)的垂直侧表面与所述第一阻挡层(108)、所述相变材料层(106)和所述底部电极(104)垂直对准。