公开(公告)号：CN116584168A

公开(公告)日：2023-08-11

申请号：CN202180079488.X

申请日：2021-10-18

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： P·阿杜苏米利 ,  A·钱德拉 ,  安藤崇志 ,  池澄 ,  R·维加

IPC: H10B63/10 ,  H10N70/20

Abstract: 一种蘑菇型相变存储器(PCM)器件，包括：衬底；下互连，被设置在衬底中；第一电介质层，被设置在衬底上；底电极，被设置在第一电介质层中并且在第一电介质层的上表面上方延伸；类型漂移减轻内衬，环绕在第一电介质层的上表面上方延伸的底电极的上部；PCM元件，被设置在内衬和底电极的上表面上；顶电极，被设置在PCM元件上；以及第二电介质层，被设置在第一电介质层的暴露部分和顶电极上，其中第二电介质层被设置在内衬、PCM元件和顶电极的侧壁上。

公开(公告)号：CN116711012A

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN202180088522.X

申请日：2021-11-12

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： R·维加 ,  安藤崇志 ,  池澄 ,  P·埃杜苏米利

IPC: G11C11/22

Abstract: 提供了一种场效应晶体管(FET)器件。该器件包括在支撑衬底上的隔离区域，其将第一背栅极与第二背栅极分离，以及在第一沟道区域和第二沟道区域上的栅极电介质层。该器件还包括在栅极电介质层上的具有功函数值的导电栅极层和铁电体层，其中第一背栅极能够调整第一沟道区的阈值电压，并且第二背栅极能够调整第二沟道区的阈值电压。

公开(公告)号：CN104659097A

公开(公告)日：2015-05-27

申请号：CN201410671056.X

申请日：2014-11-21

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： R·拉玛钱德兰 ,  H·K·尤托莫 ,  R·维加

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/785 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7848

Abstract: 本发明公开了一种FinFET器件和形成该FinFET器件的方法。所述FinFET器件包括：半导体基板；三维鳍片，其垂直于半导体基板定向；局部沟槽隔离，其在三维鳍片与相邻的三维鳍片之间；氮化物层，其在局部沟槽隔离上；栅极叠层，其围绕三维鳍片的中心部分卷绕，并且延伸通过氮化物层；侧壁间隔物，其与栅极叠层相邻，并且与氮化物层间接接触，三维鳍片的两端从侧壁间隔物延伸，第一端用于FET器件的源极，第二端用于FET器件的漏极；以及外延层，其覆盖三维鳍片的每端，并且在氮化物层上。还公开了制造FinFET器件的方法。

公开(公告)号：CN116548082A

公开(公告)日：2023-08-04

申请号：CN202180077627.5

申请日：2021-11-03

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： P·埃杜苏米利 ,  安藤崇志 ,  R·维加 ,  池澄

IPC: H10B63/00 ,  H10N70/20

Abstract: 提供了一种电阻随机存取存储器(ReRAM)器件。该ReRAM器件(100)包括堆叠结构，该堆叠结构包括第一电极(126)、与第一电极接触的金属氧化物层(128)、以及与金属氧化物(128)层接触的第二电极(130)。通过离子注入来修改堆叠结构的一部分，并且堆叠结构的修改部分从堆叠结构的边缘偏移。

公开(公告)号：CN116548081A

公开(公告)日：2023-08-04

申请号：CN202180077623.7

申请日：2021-10-11

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 安藤崇志 ,  P·埃杜苏米利 ,  R·维加 ,  池澄

IPC: H10B63/00 ,  H10N70/00

Abstract: 提供了一种电阻式随机存取存储器(ReRAM)器件。该ReRAM器件包括第一电极、与第一电极接触的第一电阻结构、与第一电阻结构接触的介电层、以及与介电层接触的第二电阻结构。第二电阻结构包括电阻材料层和高功函数金属芯。ReRAM器件还包括与第二电阻结构接触的第二电极。

公开(公告)号：CN119301753A

公开(公告)日：2025-01-10

申请号：CN202380043739.8

申请日：2023-06-29

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 谢瑞龙 ,  R·维加 ,  D·沃尔珀特 ,  崔起植

IPC: H01L21/768 ,  H10D84/03 ,  H10D64/27 ,  H01L23/48 ,  H01L23/485 ,  H01L23/528

Abstract: 一种半导体阵列结构包括：衬底；多个场效应晶体管FET，其被布置成行并且位于所述衬底上，每个FET包括第一源极‑漏极区、第二源极‑漏极区、联接所述源极‑漏极区的至少一个通道、以及与所述至少一个通道相邻的栅极。多个前侧信号线在所述FET的前侧上；多个背侧功率轨在所述FET的背侧上；多个背侧信号导线位于背侧上。前侧信号连接从所述前侧信号导线延伸到所述第一源极‑漏极区；功率连接从所述背侧功率轨延伸到所述第二源极‑漏极区；并且背侧栅极触点连接从背侧信号导线延伸到栅极。背侧栅极触点连接各自具有大于栅极长度的底部尺寸。

公开(公告)号：CN117397041A

公开(公告)日：2024-01-12

申请号：CN202280038833.X

申请日：2022-06-20

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 张婧芸 ,  谢瑞龙 ,  R·维加 ,  程慷果 ,  于澜

IPC: H01L29/775

Abstract: 在此披露的实施例包括一种用于减小寄生电容的纳米片晶体管。该纳米片晶体管可以包括在高k金属栅极堆叠(142)与外延层(136)之间的间隔区。该间隔区可以包括具有第一纳米片和第二纳米片(102)的第一纳米片堆叠。该间隔区可以包括位于该第一纳米片与该第二纳米片之间的内部间隔区、以及沿该第一纳米片、该内部间隔区以及该第二纳米片的边缘定位的侧通道区域(160)。

公开(公告)号：CN116548097A

公开(公告)日：2023-08-04

申请号：CN202180081224.8

申请日：2021-11-30

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： R·维加 ,  D·沃尔珀特 ,  安藤崇志 ,  P·阿杜苏米利 ,  池澄

IPC: H10N97/00 ,  H01L23/64

Abstract: 一种形成半导体设备的方法，其中该半导体设备包括第一电源轨(3A，3B)，该第一电源轨具有将该第一电源轨连接到第一去耦电容器的一部分的一个或多个竖直堆叠的接触通孔。该半导体设备包括在第一栅极切割沟槽中的半导体衬底的第一部分中的第一去耦电容器。

公开(公告)号：CN120019730A

公开(公告)日：2025-05-16

申请号：CN202380070011.4

申请日：2023-08-31

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： B·A·安德森 ,  朱文熙 ,  N·A·兰齐洛 ,  谢瑞龙 ,  L·A·克莱文杰 ,  R·维加

IPC: H10D84/03

Abstract: 在晶片上提供VTFET。背侧电力输送网络位于晶片的背侧上。第一背侧触点连接到VTFET的底部源极/漏极区和背侧电力输送网络的第一部分。第二背侧触点连接到VTFET的顶部源极/漏极区和背侧电力输送网络的第二部分。

公开(公告)号：CN119968943A

公开(公告)日：2025-05-09

申请号：CN202380069615.7

申请日：2023-09-05

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： B·安德森 ,  朱文熙 ,  谢瑞龙 ,  N·朗西罗 ,  L·克莱文杰 ,  R·维加

IPC: H10D84/03

Abstract: VTFET在晶片上，并且背侧功率输送网络在晶片的背侧。第一背侧接触被连接到VTFET的栅极和背侧功率输送网络的第一部分。VTFET具有第一宽度，并且该第一宽度是接触式多晶间距(CPP)。第一背侧接触可以至少与VTFET相距第一宽度。第一背侧接触可以是与VTFET相距第一宽度的两倍。