公开(公告)号：CN119968941A

公开(公告)日：2025-05-09

申请号：CN202380068530.7

申请日：2023-09-05

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： B·安德森 ,  朱文熙 ,  谢瑞龙 ,  王俊利

IPC: H10D84/03

Abstract: 在晶圆上提供第一VTFET。第二VTFET与晶圆上的第一VTFET相邻。背面电力递送网络位于晶圆的背面上。共享正面接触在晶圆的正面上。共享正面接触连接到第一VTFET的第一顶部源极/漏极区域、第二VTFET的第二顶部源极/漏极区域和背面电力递送网络。

公开(公告)号：CN118476022A

公开(公告)日：2024-08-09

申请号：CN202280086119.8

申请日：2022-11-22

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 谢瑞龙 ,  崔起植 ,  S·戈什 ,  S·穆克什 ,  朱文熙 ,  杨敏贤 ,  B·普拉纳萨蒂哈伦 ,  卜惠明 ,  赵凯 ,  J·C·阿诺德 ,  B·安德森 ,  郭德超

IPC: H01L23/528

Abstract: 一种装置包括第一互连结构、第二互连结构、包括第一晶体管的第一单元、包括第二晶体管的第二单元、将第一晶体管的源极/漏极元件连接到第一互连结构的第一接触、以及将第二晶体管的源极/漏极元件连接到第二互连结构的第二接触。第一单元被设置为与第二单元相邻，第一晶体管被设置为与第二晶体管相邻。第一和第二单元设置在第一和第二互连结构之间。

公开(公告)号：CN119949043A

公开(公告)日：2025-05-06

申请号：CN202380061558.8

申请日：2023-08-02

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： B·安德森 ,  H·贾甘纳坦 ,  王俊利 ,  朱文熙

IPC: H10D84/03 ,  H10D84/83 ,  H10D84/00

Abstract: 一种形成半导体结构的方法，该半导体结构由下层半导体层中的第一多个垂直传输场效应晶体管(11B)和上层半导体层中的第二多个垂直传输场效应晶体管(11A)组成。第二多个垂直传输场效应晶体管从第一多个垂直传输场效应晶体管水平偏移了相同半导体层中相邻垂直传输场效应晶体管之间的半个触式栅极间距。

公开(公告)号：CN120019730A

公开(公告)日：2025-05-16

申请号：CN202380070011.4

申请日：2023-08-31

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： B·A·安德森 ,  朱文熙 ,  N·A·兰齐洛 ,  谢瑞龙 ,  L·A·克莱文杰 ,  R·维加

IPC: H10D84/03

Abstract: 在晶片上提供VTFET。背侧电力输送网络位于晶片的背侧上。第一背侧触点连接到VTFET的底部源极/漏极区和背侧电力输送网络的第一部分。第二背侧触点连接到VTFET的顶部源极/漏极区和背侧电力输送网络的第二部分。

公开(公告)号：CN119968943A

公开(公告)日：2025-05-09

申请号：CN202380069615.7

申请日：2023-09-05

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： B·安德森 ,  朱文熙 ,  谢瑞龙 ,  N·朗西罗 ,  L·克莱文杰 ,  R·维加

IPC: H10D84/03

Abstract: VTFET在晶片上，并且背侧功率输送网络在晶片的背侧。第一背侧接触被连接到VTFET的栅极和背侧功率输送网络的第一部分。VTFET具有第一宽度，并且该第一宽度是接触式多晶间距(CPP)。第一背侧接触可以至少与VTFET相距第一宽度。第一背侧接触可以是与VTFET相距第一宽度的两倍。

公开(公告)号：CN119856590A

公开(公告)日：2025-04-18

申请号：CN202380063774.6

申请日：2023-08-08

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 谢瑞龙 ,  朱文熙 ,  C·雷登斯 ,  B·A·安德森

IPC: H10D84/83 ,  H10D62/10 ,  H10D30/43

Abstract: 提供了一种具有改进性能的半导体结构，其包括局部扩大的过孔至背侧电源轨道(VBPR)接触结构，该VBPR接触结构将一个场效应晶体管(FET)的源极/漏极区连接到背侧电源轨道。

公开(公告)号：CN119856579A

公开(公告)日：2025-04-18

申请号：CN202380064054.1

申请日：2023-08-14

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： B·A·安德森 ,  朱文熙 ,  王俊利 ,  C·拉登斯 ,  谢瑞龙

IPC: H10B10/00

Abstract: 提供一种集成电路(IC)的场效应晶体管(FET)单元结构。该FET单元结构包括第一和第二相邻单元。第一和第二相邻单元中的每一个跨越第一层和第二层。第二层垂直堆叠在第一层上。第一单元包括在第一和第二层中的一层上的n掺杂FET(NFET)和在第一和第二层中的另一层上的p掺杂FET(PFET)。第二单元包括在第一和第二层中的一层上的与第一单元中的NFET的数量不同的多个NFET和在第一和第二层中的另一层上的与第一单元中的PFET的数量不同的多个PFET中的至少一个。