公开(公告)号：CN116547797A

公开(公告)日：2023-08-04

申请号：CN202180078557.5

申请日：2021-10-27

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： K·W·布雷弗 ,  安藤崇志 ,  M·里佐罗 ,  L·A·克莱文杰

IPC: H01L21/82

Abstract: 一种非易失性存储单元包括串联、并且在顶部状态影响电极和顶部导线之间的薄膜电阻器(TFR)。TFR限制或通常减小来自顶部导线的顶部状态影响电极处的电流。这样，可以提高非易失性存储器单元耐久性，并且可以限制对与非易失性存储器单元相邻的(一个或多个)部件的不利影响。当形成与顶部导线的制造相关联的顶部导线沟槽时，TFR被附加的利用为蚀刻停止件。在需要单元对称性的一些非易失性存储器单元中，可以在底部导线与底部状态影响电极之间形成附加TFR。

公开(公告)号：CN116472799A

公开(公告)日：2023-07-21

申请号：CN202180074882.4

申请日：2021-11-05

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： K·W·布雷弗 ,  玉仁祚 ,  I·R·萨拉夫 ,  N·索尔尼尔 ,  M·J·布里戈特斯基 ,  R·L·布鲁斯

IPC: H10N70/00 ,  H10B63/00

Abstract: 一种蘑菇型相变存储器(PCM)单元，包括位于PCM体积和底部电极之间的突出衬垫。突出衬垫从之前在PCM单元的制造期间和/或更高级IC器件的制造期间用作蚀刻停止层的层被保留。突出衬垫可以延伸超过PCM侧壁或侧边界。突出衬垫的该部分可以位于或掩埋在电介质或密封间隔件之下，并且可以增加位于PCM体积之下的突出衬垫的厚度均匀性。