公开(公告)号：CN1204629C

公开(公告)日：2005-06-01

申请号：CN01121726.X

申请日：2001-07-04

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： L·A·克莱文杰 ,  J·A·曼德曼 ,  R·杰米 ,  O·格鲁斯辰科夫 ,  I·麦斯塔 ,  黄洸汉 ,  J·E·法特梅尔

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/28044 ,  H01L29/4941

Abstract: 半导体器件，尤其是CMOS工艺这类应用中的MOSFET的一种栅极结构。栅极结构需要在半导体基片上的一个电绝缘层，在其上形成一个多晶硅栅极。该栅极结构还包括栅极导体，它通过具有半绝缘性质的扩散势垒层在电气上和栅极相连接。扩散势垒层的组分和厚度调节到能有效地阻止栅导体和多晶硅栅极之间的扩散和交互混合，但却提供足够的电容耦合及/或电流泄漏以便不明显地增加栅极结构的栅极传播延迟。

公开(公告)号：CN1339827A

公开(公告)日：2002-03-13

申请号：CN01121726.X

申请日：2001-07-04

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： L·A·克莱文杰 ,  J·A·曼德曼 ,  R·杰米 ,  O·格鲁斯辰科夫 ,  I·麦斯塔 ,  黄洸汉 ,  J·E·法特梅尔

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/28044 ,  H01L29/4941

Abstract: 半导体器件,尤其是CMOS工艺这类应用中的MOSFET的一种栅极结构。栅极结构需要在半导体基片上的一个电绝缘层,在其上形成一个多晶硅栅极。该栅极结构还包括栅极导体,它通过具有半绝缘性质的扩散势垒层在电气上和栅极相连接。扩散势垒层的组分和厚度调节到能有效地阻止栅导体和多晶硅栅极之间的扩散和交互混合,但却提供足够的电容耦合及/或电流泄漏以便不明显地增加栅极结构的栅极传播延迟。