-
公开(公告)号：CN103887302B
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201310437086.X
申请日：2013-09-17
CPC classification number: H01L27/0248 , H01L21/26586 , H01L21/266 , H01L27/0255
Abstract: 一种用于在保护集成电路免受静电放电时使用的结二极管阵列可以被制作为包括各种尺寸的对称和/或不对称结二极管。二极管可以被配置为经由未封装的接触提供低电压和电流放电或者经由封装的接触提供高电压和电流放电。在制作结二极管阵列时使用倾斜注入允许使用单个硬掩模来注入多个离子种类。另外，可以为每个种类选择不同注入倾斜角度以及其它参数(例如注入能量、注入掩模厚度和掩模开口的尺度)以便精制注入区域的形状。如果希望则可以使用相同注入硬掩模在已经形成的二极管之间插入隔离区域。掩埋氧化物层可以用来防止掺杂物向衬底中扩散超出选择的深度。
-
公开(公告)号：CN103887302A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201310437086.X
申请日：2013-09-17
CPC classification number: H01L27/0248 , H01L21/26586 , H01L21/266 , H01L27/0255
Abstract: 一种用于在保护集成电路免受静电放电时使用的结二极管阵列可以被制作为包括各种尺寸的对称和/或不对称结二极管。二极管可以被配置为经由未封装的接触提供低电压和电流放电或者经由封装的接触提供高电压和电流放电。在制作结二极管阵列时使用倾斜注入允许使用单个硬掩模来注入多个离子种类。另外，可以为每个种类选择不同注入倾斜角度以及其它参数(例如注入能量、注入掩模厚度和掩模开口的尺度)以便精制注入区域的形状。如果希望则可以使用相同注入硬掩模在已经形成的二极管之间插入隔离区域。掩埋氧化物层可以用来防止掺杂物向衬底中扩散超出选择的深度。
-
公开(公告)号：CN103700646A
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201310381645.X
申请日：2013-08-26
IPC: H01L23/528 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76834 , H01L21/76831 , H01L23/5226 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种针对先进后段制程的新颖封装多金属分支足部结构的系统和方法。在集成电路裸片中堆叠的多个金属间电介质层中形成多个金属轨道。在金属轨道周围形成薄保护电介质层。保护电介质层充当用于在金属间电介质层中的金属轨道之间限定接触过孔的硬掩摸。
-
公开(公告)号：CN103700616A
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201310364376.6
申请日：2013-08-19
IPC: H01L21/768 , H01L23/535
CPC classification number: H01L21/76816 , H01L21/76807 , H01L21/76831 , H01L21/76834 , H01L21/76838 , H01L21/76897 , H01L23/5226 , H01L23/5283 , H01L23/53295
Abstract: 在集成电路裸片中在裸片内堆叠的三个金属层中形成多个金属轨道。在中间金属层的金属轨道周围形成保护电介质层。保护电介质层充当硬掩模以在所述中间金属层以上和以下的金属层中的金属轨道之间限定接触过孔。
-
公开(公告)号：CN103915375A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201310433537.2
申请日：2013-09-16
IPC: H01L21/768 , H01L23/522 , H01L23/528
CPC classification number: H01L23/5384 , H01L21/76807 , H01L21/7682 , H01L21/76883 , H01L21/76885 , H01L21/76897 , H01L23/5222 , H01L23/5226 , H01L23/5283 , H01L23/53238 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 通过组合大马士革工艺和减薄金属刻蚀来将金属互连形成在集成电路中。在电介质层中形成宽沟槽。在宽沟槽中沉积导电材料。在导电材料中刻蚀沟槽，以限定多个金属插塞，每个金属插塞包括被宽沟槽暴露出的相应的金属迹线。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN203503649U
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201320510434.7
申请日：2013-08-19
IPC: H01L23/535
CPC classification number: H01L21/76816 , H01L21/76807 , H01L21/76831 , H01L21/76834 , H01L21/76838 , H01L21/76897 , H01L23/5226 , H01L23/5283 , H01L23/53295
Abstract: 本实用新型的一个实施例涉及一种半导体器件，包括：衬底；在所述衬底上的第一金属轨道；在所述衬底和所述第一金属轨道上的第一金属间电介质层；在所述第一金属间电介质层上的第二金属轨道；封装所述第二金属轨道的电介质封装层；在所述第一金属间电介质层和所述电介质封装层上的第二金属间电介质层；以及在所述第一金属间电介质层和所述第二金属间电介质层中的过孔，所述第一金属间电介质层和所述第二金属间电介质层相对于所述电介质封装层选择性地可蚀刻，所述电介质封装层限定所述过孔的宽度。
-
公开(公告)号：CN203536430U
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201320583017.5
申请日：2013-09-16
IPC: H01L23/538
CPC classification number: H01L23/5384 , H01L21/76807 , H01L21/7682 , H01L21/76883 , H01L21/76885 , H01L21/76897 , H01L23/5222 , H01L23/5226 , H01L23/5283 , H01L23/53238 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 根据本实用新型的一个方面，提供一种集成电路裸片，包括：半导体衬底；所述半导体衬底中的多个晶体管；位于所述半导体衬底之上的第一金属迹线和第二金属迹线；在所述第一金属迹线和所述第二金属迹线之上的第一金属间电介质层；在所述第一金属间电介质层中的第一孔隙；在所述第一孔隙中的导电材料；以及在所述导电材料中的第二孔隙，所述第二孔隙通过所述导电材料限定彼此隔离的第一导电插塞和第二导电插塞，所述第一导电插塞与所述第一金属迹线电接触，所述第二导电插塞与所述第二金属迹线电接触。
-
公开(公告)号：CN203589026U
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201320587792.8
申请日：2013-09-17
IPC: H01L27/02
CPC classification number: H01L27/0248 , H01L21/26586 , H01L21/266 , H01L27/0255
Abstract: 本实用新型涉及一种用于集成电路的静电放电器件及二极管阵列。一种用于在保护集成电路免受静电放电时使用的结二极管阵列可以被制作为包括各种尺寸的对称和/或不对称结二极管。二极管可以被配置为经由未封装的接触提供低电压和电流放电或者经由封装的接触提供高电压和电流放电。在制作结二极管阵列时使用倾斜注入允许使用单个硬掩模来注入多个离子种类。另外，可以为每个种类选择不同注入倾斜角度以及其它参数(例如注入能量、注入掩模厚度和掩模开口的尺度)以便精制注入区域的形状。如果希望则可以使用相同注入硬掩模在已经形成的二极管之间插入隔离区域。掩埋氧化物层可以用来防止掺杂物向衬底中扩散超出选择的深度。
-
公开(公告)号：CN203659847U
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201320529439.4
申请日：2013-08-26
IPC: H01L23/522
CPC classification number: H01L21/76834 , H01L21/76831 , H01L23/5226 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本实用新型公开了一种集成电路器件。在集成电路裸片中堆叠的多个金属间电介质层中形成多个金属轨道。在金属轨道周围形成薄保护电介质层。保护电介质层充当用于在金属间电介质层中的金属轨道之间限定接触过孔的硬掩模。
-
公开(公告)号：CN101939253A
公开(公告)日：2011-01-05
申请号：CN200980104087.4
申请日：2009-02-03
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: B82B3/00
CPC classification number: H01L21/0338 , B81B2203/0369 , B81C1/00031 , B81C2201/0149 , B81C2201/0198 , B82Y30/00 , H01L21/0337 , H01L51/0017 , Y10S977/882 , Y10S977/887 , Y10S977/888 , Y10T428/24479 , Y10T428/2457 , Y10T428/24612 , Y10T428/24736 , Y10T428/24802
Abstract: 在一个实施例中，包围大区域的六边形瓦片被分为三个群组，每个群组含有彼此分离的所有六边形瓦片的三分之一。在模板层(2OA，2OB，20C)中形成每个群组(01，02，03)中的六边形瓦片的开口，且在每个开口内施加并构图自组装嵌段共聚物的组。重复该过程三次以涵盖所有三个群组，产生遍布宽广区域的自对准图形。在另一实施例中，该大区域被分为两个不重迭且互补的群组的矩形瓦片。每个矩形区域的宽度小于自组装嵌段共聚物的有序范围。以顺序方式在每一群组中形成自组装自对准的线与间隔结构(4OA，5OA；4OB，5OB；4OC，50C)，从而线与间隔图形形成为遍及了延伸超出有序范围的大区域。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
29
records
(took 0.025 seconds)
