公开(公告)号：CN106024611B

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201610544080.6

申请日：2013-05-20

Applicant: 新南创新私人有限公司

Inventor： 斯图尔特·罗斯·文哈姆 ,  菲利普·乔治·哈默 ,  布雷特·杰森·哈拉姆 ,  阿德莱恩·苏吉安托 ,  凯瑟琳·艾米丽·尚 ,  宋立辉 ,  吕珮玄 ,  艾利森·马里·文哈姆 ,  林·迈 ,  张子文 ,  徐光琦 ,  马修·布鲁斯·爱德华兹

IPC: H01L21/30 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/1868 ,  H01L21/3003 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67706 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/186 ,  H01L31/1864 ,  Y02B10/10 ,  Y02E10/50 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种用于处理半导体晶片的设备和方法，以用于制造光伏装置，所述设备包括：加热区，在氢源的存在下，能操作以将所述半导体晶片的至少一个区域加热至至少100℃；以及冷却区，包括第一照射器件，所述第一照射器件被配置为在所述半导体晶片的冷却期间利用光子照射所述半导体晶片的表面。

公开(公告)号：CN108076667A

公开(公告)日：2018-05-25

申请号：CN201580083172.2

申请日：2015-09-18

Applicant: 英特尔公司

Inventor： P.马吉 ,  G.A.格拉斯 ,  A.S.墨菲 ,  T.加尼 ,  A.S.基拉姆帕利 ,  M.R.巴拉齐尔 ,  J.P.古普塔

IPC: H01L21/30 ,  H01L29/775 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/1054 ,  H01L21/3003 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823821 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/775 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/785

Abstract: 公开了用于非平面晶体管界面的基于氘的钝化的技术。在某些情况下，该技术可以包括在包括氘的气氛中在一系列温度、压强和时间下对包括晶体管的集成电路结构进行退火。在某些情况下，该退火工艺可能在高达50个大气压的压强下执行以增加穿透集成电路结构并到达要被钝化的界面的氘的量。要被钝化的界面可以包括例如晶体管导电沟道和邻接晶体管栅极电介质之间的界面和/或子沟道半导体和邻接浅沟槽隔离氧化物之间的界面。这样的界面是可能包括例如杂质、不完整键悬空键和断裂键的陷阱位点的常见位置，并且因此这样的界面可以受益于基于氘的钝化以改进晶体管的性能和可靠性。

公开(公告)号：CN104054178B

公开(公告)日：2017-09-08

申请号：CN201380005432.5

申请日：2013-03-29

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 宫崎正行 ,  吉村尚 ,  泷下博 ,  栗林秀直

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/265 ,  H01L21/329 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/868

CPC classification number: H01L29/66348 ,  H01L21/26 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/3003 ,  H01L29/32 ,  H01L29/36 ,  H01L29/66128 ,  H01L29/66333 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/8611

Abstract: 在作为n‑漂移层的半导体基板的内部，在背面侧的表面层设置有p+集电极层，在比背面侧的p+集电极层深的区域设置有n+电场终止层。集电极与p+集电极层相接。形成p+集电极层和n+电场终止层时，在半导体基板的背面离子注入杂质离子(步骤S5)。接下来，通过第一退火使杂质离子活性化，形成p+集电极层(步骤S6)。接下来，对半导体基板的背面进行质子照射(步骤S7)。接下来，通过第二退火使质子施主化，形成电场终止层(步骤S8)。第一退火是在比第二退火高的退火温度下进行。之后，在半导体基板的背面形成集电极(步骤S9)。由此，能够避免电特性不良的产生。

公开(公告)号：CN104561934B

公开(公告)日：2017-06-06

申请号：CN201410576747.1

申请日：2014-10-24

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 巴德里·N·瓦拉达拉简 ,  龚波

IPC: C23C16/452

CPC classification number: H01J37/32449 ,  C23C16/30 ,  C23C16/325 ,  C23C16/36 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45502 ,  C23C16/505 ,  H01J37/32357 ,  H01J2237/327 ,  H01J2237/3321 ,  H01J2237/3326 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3003

Abstract: 本发明涉及含硅碳膜的化学气相沉积的基态氢自由基源，具体而言，通过下列步骤将薄层的含硅碳膜沉积在衬底上：从被提供给自由基发生室的氢气产生氢自由基；将氢自由基提供给经由多舱口气体分配器与衬底处理室分立的衬底处理室；以及使其中的氢自由基与同时被引入到衬底处理室的有机硅反应物作反应。在与有机硅反应物反应之前，氢自由基被允许在衬底处理室内的自由基弛豫区内弛豫到基态。

公开(公告)号：CN106571296A

公开(公告)日：2017-04-19

申请号：CN201510659200.2

申请日：2015-10-13

Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司

Inventor： 肖德元 ,  张汝京

IPC: H01L21/324

CPC classification number: H01L21/3003 ,  B24B7/228 ,  B24B9/065 ,  H01L21/324

Abstract: 本发明提出了一种晶圆的形成方法，在形成硅衬底后，对硅衬底在氘气下进行快速热退火处理，形成钝化层，钝化层能够使硅衬底表面的粗糙度降低，在后续栅氧化层的形成或界面的形成时，氘能够扩散出，并与界面处等悬空键进行结合，形成较为稳定的结构，从而避免载流子的穿透，提高器件的性能。

公开(公告)号：CN104488094B

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201380038918.9

申请日：2013-05-20

Applicant: 新南创新私人有限公司

Inventor： 斯图尔特·罗斯·文哈姆 ,  菲利普·乔治·哈默 ,  布雷特·杰森·哈拉姆 ,  阿德莱恩·苏吉安托 ,  凯瑟琳·艾米丽·尚 ,  宋立辉 ,  吕珮玄 ,  艾利森·马里·文哈姆 ,  林·迈 ,  张子文 ,  徐光琦 ,  马修·布鲁斯·爱德华兹

IPC: H01L31/18 ,  H01L21/30 ,  H01L31/036

CPC classification number: H01L31/1868 ,  H01L21/3003 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67706 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/186 ,  H01L31/1864 ,  Y02B10/10 ,  Y02E10/50 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 提供一种硅光伏结装置的氢化方法，硅光伏结装置包括形成至少一个p-n结的p-型硅半导体材料和n-型硅半导体材料。方法包括：i)确保氢必须从其扩散通过的任何硅表面磷扩散层具有1x1020原子/cm3或更小的峰值掺杂浓度以及氢必须从其扩散通过的硅表面硼扩散层具有1x1019原子/cm3或更小的峰值掺杂浓度；ii)提供装置的每个表面能获取的一个或多个氢源；以及iii)将所述装置或所述装置的局部区域加热至至少40℃，同时用至少一个光源同时照射装置的全部的至少一些和/或有利地装置的全部，借此，具有在硅内生成电子空穴对的足够能量的所有入射光子(换言之，能级在1.12eV的硅的带隙之上的光子)的累积功率为至少20mW/cm2。

公开(公告)号：CN106463460A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201580029094.8

申请日：2015-05-28

Applicant: 索尼公司

Inventor： 钉宫克尚 ,  村田顕一 ,  冈野仁志 ,  森茂贵 ,  川岛宽之 ,  松野琢磨

IPC: H01L21/8242 ,  H01L27/00 ,  H01L27/10 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L27/10847 ,  H01L21/3003 ,  H01L27/108 ,  H01L27/10808 ,  H01L27/10855 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/14634

Abstract: 一种制造半导体装置的方法，其中，具有第一表面的半导体衬底设置有该第一表面上的绝缘膜，该半导体衬底的第二表面设置有氢供应膜，所述第二表面在该第一表面的相反侧，该氢供应膜含有选自氧化硅、TEOS、BPSG、BSG、PSG、FSG、含碳氧化硅、氮化硅、含碳氮化硅、以及含氧碳化硅中的至少一种物质。

公开(公告)号：CN102412259B

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201110281239.7

申请日：2011-09-21

Applicant: 英飞凌科技奥地利有限公司

Inventor： R.约布 ,  F.J.尼德诺斯泰德 ,  H-J.舒尔策

IPC: H01L29/04 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/045 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/3003 ,  H01L29/267 ,  H01L29/7842

Abstract: 具有受应力区域的半导体本体。由半导体材料制成的半导体本体具有：沿参考方向具有第一晶格常数的半导体材料的第一单晶区域、沿参考方向具有不同于第一晶格常数的第二晶格常数的半导体材料的第二单晶区域、以及在第一区域和第二区域之间的第三受应力的单晶区域。

公开(公告)号：CN103985637A

公开(公告)日：2014-08-13

申请号：CN201410182783.X

申请日：2014-04-30

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司

Inventor： 田慧

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/324 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78675 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/02675 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/266 ,  H01L21/28158 ,  H01L21/3003 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/1274 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/786 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/6675 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/78672

Abstract: 本发明涉及显示技术领域，公开了一种低温多晶硅薄膜晶体管及其制作方法和一种显示装置，所述低温多晶硅薄膜晶体管的制作方法包括：在基板上形成多晶硅薄膜，并对所述多晶硅薄膜进行图案化处理，形成有源层；在所述有源层上形成栅绝缘层，并对所述栅绝缘层和有源层进行氢化处理。采用本发明技术方案，在栅绝缘层制作完成之后，直接对栅绝缘层和有源层进行氢化处理，氢只需穿过栅绝缘层到达栅绝缘层和有源层的界面对悬挂键进行钝化，并修补有源层的晶界缺陷，大大缩短了氢扩散的距离，减少了氢化工艺的时间，进而大大降低了薄膜晶体管的工艺成本。

公开(公告)号：CN100547726C

公开(公告)日：2009-10-07

申请号：CN200680018652.1

申请日：2006-06-02

Applicant: CSG索拉尔有限公司

Inventor： 马克·约翰·基费斯 ,  艾德里安·布鲁斯·特纳

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/205 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/67236 ,  H01L21/3003 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/6776 ,  H01L31/182 ,  Y02E10/546 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供了一种通过使用原子氢源(26)使靶(24)如玻璃基底上的多晶硅膜氢化的方法和装置。使靶经受所述源的原子氢场的间歇暴露，直至使靶的至少一个区域经受氢场达预定的最小周期。通过它的原子氢场所建立的所述源的处理区域小于靶，并且在将靶移动进入到高温处理区(14)以后，将该靶在高温处理区之内平移至靶的间歇处理连续区域，直至整个靶被处理达预定的最小周期。在整个靶被处理以后，将靶冷却至预定的低温，同时仍间歇地使靶经受原子氢。