公开(公告)号：CN116964736A

公开(公告)日：2023-10-27

申请号：CN202180083332.9

申请日：2021-11-11

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 朴灿鲁 ,  本山幸一 ,  郑镇权 ,  崔起植 ,  杨智超

IPC: H01L23/522

Abstract: 自对准顶部过孔本发明的实施例包括一种用于制造半导体器件的方法和所得结构。在衬里上图案化芯轴，其中衬里位于半导体衬底上。在芯轴的侧壁上形成隔离物。在衬里的暴露表面上并且在隔离物之间的多个间隙内形成电介质材料线。去除芯轴。从隔离物之间的多个间隙中的至少一个间隙内去除电介质材料线中的至少一个电介质材料线。在每个间隙内形成导电金属。导电金属被图案化以形成金属互连线和过孔。去除多个隔离物和剩余的电介质材料线。

公开(公告)号：CN103828026B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201280044778.1

申请日：2012-06-13

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 杨智超 ,  D·V·霍拉克 ,  查尔斯·W·库布尔格三世 ,  P·邵姆

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/42372 ,  H01L21/28247 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/7685 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/76888 ,  H01L21/76897 ,  H01L29/495 ,  H01L29/517 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明公开了形成使用在栅极之上的选择性形成的且至少部分氧化的金属罩的集成电路结构的方法，以及相关的结构。在一种实施例中，方法包括：提供包括晶体管的前体结构，晶体管具有金属栅极；在金属栅极的暴露部分之上形成止蚀层；至少部分氧化止蚀层；并且在至少部分氧化止蚀层之上形成介电层。

公开(公告)号：CN101490825B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN200780026288.8

申请日：2007-07-10

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 杨智超

IPC: H01L21/469 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L21/7682 ,  H01L21/76835

Abstract: 一种通过利用多相光致抗蚀剂材料在电介质层内提供气隙而具有改善的性能和电容的互连结构。互连特征嵌入在电介质层中，该电介质层在围绕互连特征的部分中具有柱形气隙结构。互连特征也可以嵌入在具有产生不同介电常数的两相或更多相的电介质层中。该互连结构与现有的后段处理兼容。

公开(公告)号：CN102456617A

公开(公告)日：2012-05-16

申请号：CN201110329923.8

申请日：2011-10-27

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： C·W·考伯格三世 ,  D·V·霍拉克 ,  S·波诺斯 ,  杨智超 ,  范淑贞 ,  S·K·卡纳卡萨巴帕西

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76885 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/76897 ,  H01L23/528 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的实施例提供了一种形成自对准局部互连的方法和由此形成的结构。所述方法包括：在一个或更多个半导体器件上沉积导电材料覆盖层；生成覆盖导电材料覆盖层的一部分的局部互连的图案；去除导电材料覆盖层的未被局部互连的图案覆盖的剩余部分；通过导电材料覆盖层的该部分形成局部互连以连接一个或更多个半导体器件。

公开(公告)号：CN101390203B

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN200680012049.2

申请日：2006-04-07

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 杨智超 ,  L·A·克莱文格 ,  A·P·考利 ,  T·J·达尔顿 ,  M·H·允

IPC: H01L21/4763

CPC classification number: H01L21/76849 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76843 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种镶嵌布线及形成所述布线的方法。所述方法包括：在介质层的顶表面上形成掩模层；在所述掩模层中形成开口；在所述介质层未被所述掩模层保护处的所述介质层中形成沟槽；凹入在所述掩模层之下的所述沟槽的侧壁；在所述沟槽和所述硬掩模层的所有暴露的表面上形成保形导电衬里；使用芯导体填充所述沟槽；去除在所述介质层的所述顶表面之上延伸的所述导电衬里的部分并去除所述掩模层；以及在所述芯导体的顶表面上形成导电帽。所述结构包括导电衬里中的芯导体覆层和与未被所述导电衬里所覆盖的所述芯导体的顶表面接触的导电盖帽层。

公开(公告)号：CN101410969B

公开(公告)日：2011-09-14

申请号：CN200780011319.2

申请日：2007-05-22

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： L·克莱文格 ,  T·J·多尔顿 ,  L·L-C·许 ,  C·J·雷登斯 ,  V·拉马钱德兰 ,  K·K·H·黄 ,  杨智超

IPC: H01L21/8242 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/84 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L23/5223 ,  H01L27/1203 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S438/957 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供了用于制造具有高Q片上电容器的半导体IC(集成电路)芯片的方法，在所述芯片背面上形成所述高Q片上电容器并使用穿晶片互连将所述高Q片上电容器连接到在所述芯片正面上的集成电路。在一方面，半导体器件包括半导体衬底，所述半导体衬底具有正面、背面、和在所述衬底的所述正面与背面之间插入的掩埋绝缘层。在所述半导体衬底的所述正面上形成集成电路，在所述半导体衬底的所述背面上形成集成电容器，以及形成穿过所述掩埋绝缘层的互连结构以将所述集成电容器连接到所述集成电路。

公开(公告)号：CN101438404B

公开(公告)日：2011-05-04

申请号：CN200780015989.1

申请日：2007-05-11

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 杨智超 ,  O·范德斯特拉滕

IPC: H01L23/52 ,  H01L23/48 ,  H01L29/40

CPC classification number: H01L21/76834 ,  H01L21/288 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76852 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供了一种可靠的和机械强度高的互连结构，所述互连结构不包括在开口的底部中的刨槽特征。替代地，本发明的互连结构利用了包含Co的缓冲层，所述包含Co的缓冲层被选择性地淀积在下互连层中的导电特征的暴露表面上。通过存在于上互连层的介质材料中的至少一个开口进行所述选择性淀积。所述包含Co的缓冲层包括Co和至少P和B中的一种。可选地在所述包含Co的缓冲层中还存在W。

公开(公告)号：CN100583427C

公开(公告)日：2010-01-20

申请号：CN200680034290.5

申请日：2006-09-06

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 杨智超 ,  K·占达 ,  L·克莱文格 ,  王允愈 ,  D·杨

IPC: H01L23/532 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76834 ,  H01L21/76832 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供了一种互连结构以及制造所述互连结构的方法。所述互连结构包括具有构图的开口的介质层、在所述构图的开口中设置的金属特征、以及覆盖所述金属特征的介质帽。所述介质帽具有内部拉伸应力，所述应力有助于避免产生沿离开所述金属线路的方向的电迁徙，特别是当所述金属线路具有拉伸应力时。

公开(公告)号：CN101496220A

公开(公告)日：2009-07-29

申请号：CN200680038047.0

申请日：2006-08-30

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 路易斯·C·许 ,  L·A·克莱温格 ,  T·J·达尔顿 ,  C·J·雷登斯 ,  凯斯·洸·汉·黄 ,  杨智超

IPC: H01P1/10

CPC classification number: H01H50/005 ,  H01H2050/007 ,  Y10T29/4902 ,  Y10T29/49105 ,  Y10T29/49147

Abstract: 本发明提供一种MEM开关，具有在微腔(40)内自由移动的元件(140)，并被至少一个电感元件所引导。开关包括：上电感线圈(170)；非必需的下电感线圈(190)，每个电感线圈都具有优选地由透磁合金制成的磁芯(180，200)；微腔(40)；和自由移动的开关元件(140)，该开关元件也由磁性材料制成。通过使电流流过上线圈，在线圈元件中感应出磁场来实现开关。磁场向上吸引自由移动的磁性元件，将两根开路的导线(M_l，M_r)短路，从而闭合开关。当电流停止或反向时，自由移动的磁性元件由于重力而落到微腔的底部，并且将导线开路。当无法利用重力时，就必需有下线圈，以拉回自由移动的开关元件并将它保持在其原来位置。

公开(公告)号：CN101490825A

公开(公告)日：2009-07-22

申请号：CN200780026288.8

申请日：2007-07-10

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 杨智超

IPC: H01L21/469 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L21/7682 ,  H01L21/76835

Abstract: 一种通过利用多相光致抗蚀剂材料在电介质层内提供气隙而具有改善的性能和电容的互连结构。互连特征嵌入在电介质层中，该电介质层在围绕互连特征的部分中具有柱形气隙结构。互连特征也可以嵌入在具有产生不同介电常数的两相或更多相的电介质层中。该互连结构与现有的后段处理兼容。