-
公开(公告)号:CN118231265A
公开(公告)日:2024-06-21
申请号:CN202410498300.0
申请日:2024-04-24
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
IPC: H01L21/48
Abstract: 本发明提供了一种高密度柔性基板的制备方法,包括如下步骤,在完成金属布线的第一LCP基板与第二LCP基板之间植入连接层,将第一LCP基板、第二LCP基板与连接层通过层压键合作业形成底板,并制备贯穿于底板的互连孔;在底板的一侧端面上通过层压键合与固化作业贴合第一ABF膜,并对第一ABF膜进行金属布线;在第一ABF膜的第一端面上进一步通过层压键合与固化作业贴合第二ABF膜,并对第二ABF膜进行金属布线;重复预设次数的在一ABF膜上通过层压键合与固化作业贴合另一ABF膜的步骤,得到目标ABF膜层数的预制基板;制备贯穿于预制基板的互连孔。通过本发明,可有效满足柔性基板的多功能化与轻薄化需求。
-
公开(公告)号:CN116299845A
公开(公告)日:2023-06-23
申请号:CN202310136894.6
申请日:2023-02-20
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
Abstract: 本发明提供了一种光波导与碳化硅小尺寸界面异质键合方法,包括:选择SiC晶片,在SiC晶片上制备SiO2钝化层;在所述SiC晶片侧边连接SiO2光波导,所述SiO2光波导进光的一侧镀空气与SiO2增透膜,与SiC晶片连接的一侧镀SiO2与SiC增透膜;将SiO2光波导与SiC晶片进行对位;通过SiO2光波导对SiC晶片相对的两侧同时加热且施加压力,以键合SiO2光波导;通过热压实现SiC上SiO2钝化层与增透膜上SiO2的原子间扩散互连。本发明能解决小尺寸半导体界面异质键合问题,提高了半导体器件的耐击穿强度。
-
公开(公告)号:CN110634792B
公开(公告)日:2023-01-24
申请号:CN201910922962.5
申请日:2019-09-26
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
IPC: H01L21/768
Abstract: 本申请提供了一种电气互连基板制造方法,该方法包括以下步骤:S1:根据通孔在布线层中的预设位置,在基板上开设通孔和定位标记;S2:在所述基板的第一表面设置金属层;S3:所述基板的金属层一面预留触点,在金属层表面设置介质保护层;S4:所述基板通过导电材料填充所述通孔;S5:在所述基板的第二表面设置金属层;S6:分别在所述基板的第一表面和第二表面设置单面电路布线层;其中,所述第一表面的电路通过通孔中的导电材料与所述第二表面的电路典型连接。本发明提供的基于激光纳米加工技术的电气互连LCP基板制造方法,制作流程简洁,加工精度高,通孔内部无空洞,互连可靠,有效提高了柔性基板三维封装的密度和可靠性。
-
公开(公告)号:CN111293102B
公开(公告)日:2022-07-05
申请号:CN202010107752.3
申请日:2020-02-21
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
IPC: H01L23/498 , H01L23/495 , H01L23/60 , H01L21/48
Abstract: 本发明公开了一种基板混合薄膜多层布线制作方法,该制造方法包括以下步骤:提供一基板,薄膜沉积铝复合膜层,进行铝选择性阳极氧化,在多孔氧化铝结构中形成铝布线绝缘层,在铝膜中形成芯片散热结构和金属铝柱阵列;再次进行薄膜沉积铝膜,进行铝选择性阳极氧化,依次重复,制备出Al2O3/Al薄膜多层布线层;在其上薄膜沉积铜复合膜层,采用光刻工艺制作铜薄膜导带,制作BCB介质膜通孔;再采用薄膜沉积、光刻工艺制作顶层薄膜导带和焊盘,以制备出BCB/Cu薄膜多层布线层。克服薄膜布线层数无法增加,BCB应力累积造成的互连可靠性差、软基材组装困难等问题,并且在基板上进行高密度布线互连,可满足高功率芯片和大规模集成电路等小型化、高可靠集成需求。
-
公开(公告)号:CN113965192A
公开(公告)日:2022-01-21
申请号:CN202111226679.2
申请日:2021-10-21
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
IPC: H03K17/94
Abstract: 本申请提供了一种低应力同面光导开关,所述开关包含:陶瓷底板,所述陶瓷底板的中心区域设置有透光孔;所述透光孔的上方对应位置设置有封装模块;所述封装模块上方设置有陶瓷上盖;所述封装模块的外围陶瓷底板上设置有储能电容,所述储能电容的外围设置有高压电极柱和接地电极柱;所述封装模块、储能电容以及高压电极柱和接地电极柱的上方设置有陶瓷上盖。封装结构采用模块化及柔性压接的方式,实现更宽的返修窗口及重构能力。
-
公开(公告)号:CN113225920A
公开(公告)日:2021-08-06
申请号:CN202110523519.8
申请日:2021-05-13
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
Abstract: 本发明公开了一种LCP柔性基板微流道制备方法,包括如下步骤:首先提供若干LCP基板及连接层,LCP基板包括顶层LCP基板、底层LCP基板及至少一片中间LCP基板;然后于顶层LCP基板及中间LCP基板的第一表面上分别预固化一层连接层,预固化温度为130℃~150℃,预固化时间为20s~40s;接着于至少一片中间LCP基板上激光加工微流道槽;最后将顶层LCP基板、若干中间LCP基板、底层LCP基板依次堆叠层压,各层LCP基板之间通过连接层进行键合连接,选用高频稳定性好损耗低且气密的LCP基板进行布线,并采用激光于中间LCP基板上加工微流道槽,解决LCP有机基板散热性差的问题,可实现基板与散热结构的一体化,提升柔性有机基板的散热性。
-
公开(公告)号:CN110349925B
公开(公告)日:2021-01-22
申请号:CN201910640860.4
申请日:2019-07-16
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
IPC: H01L23/367 , H01L23/498 , H01L23/522 , H01L23/528 , H01L21/48
Abstract: 本发明公开了一种叠层封装基板及其制备方法,该基板包括:导热衬底、若干薄膜电阻、若干薄膜电容、叠层布线、铝通柱、多孔介质、导带;其中,叠层布线为在导热衬底的抛光表面上阳极氧化制作而成,叠层布线包括从导热衬底上依次排布的第一层布线层、第二层布线层、第三层布线层…第n层布线层,薄膜电阻和薄膜电容均埋置于布线层内,铝通柱埋置于布线层内或者位于基板表面。本发明克服了现有封装基板中精度难以控制、散热性能差、工序复杂等问题。
-
公开(公告)号:CN112151512A
公开(公告)日:2020-12-29
申请号:CN202011029235.5
申请日:2020-09-25
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
IPC: H01L23/64
Abstract: 本发明公开了一种微型芯片电容及其制造方法。该芯片电容包括:依次层叠的预制焊料锡层、预制焊料金层、阻挡层、铝硅合金衬底、粘结层、导电层、介质层,电极层。其制造方法包括:S1:提供一铝硅合金衬底并前处理;S2:在所述铝硅合金衬底的第一表面制备阻挡层;在所述铝硅合金衬底的第二表面制备粘结层;S3:在所述阻挡层上镀金,形成预制焊料金层;在所述黏结层上镀上导电层;S4:在导电层上溅射介质层、电极层;S5:在所述预制焊料金层上通过电沉积锡,形成预制焊料锡层;S6:划片得到独立的微型芯片电容。本发明以铝硅合金作为衬底,衬底无需抛光、无需溅射打底层、电容面积大、制作周期短,降低了微型芯片电容的装配难度。
-
公开(公告)号:CN111952707A
公开(公告)日:2020-11-17
申请号:CN202010503676.8
申请日:2020-06-04
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
Abstract: 本发明提供了一种基于LCP的多层矩形微同轴射频传输线制造方法及传输线,包括:对多层LCP电路板进行光刻后层压生成目标多层LCP电路板,目标多层LCP电路板中的第一层LCP电路板的上表面具有第一金属区域,下表面具有第一金属层;对目标多层LCP电路板加工出沿厚度方向延伸的至少两沟槽,沟槽延伸至第一金属层;以第一金属层为阴极,沟槽为模具,对沟槽进行电铸填充至目标多层LCP电路板的上表面;在两沟槽与第一金属区域之间的目标多层LCP电路板进行切割形成支撑体和内腔体,用支撑用于支撑第一金属区域;将另一LCP电路板封盖内腔体后进行层压。本发明中金属侧壁,由层压后的多层板激光加工沟槽后,电铸铜填充形成,减少了层压次数,解决了叠层周期长的问题。
-
公开(公告)号:CN111463536A
公开(公告)日:2020-07-28
申请号:CN202010271480.0
申请日:2020-04-08
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
IPC: H01P3/06
Abstract: 本发明提供了一种基于LCP柔性基板的微同轴电路的制造方法及微同轴电路,包括如下步骤:将若干LCP基板依次叠层、固定后进行多层层压制作出多层混压板,其中作为底座的LCP基板的外侧面具有一覆盖金属层;在所述多层混压板内制作出内导体空气孔和外导体空气圈;在所述内导体空气孔和所述外导体空气圈中电镀金属层;将所述覆盖金属层腐蚀掉,制成出同轴结构。本发明能够进行微同轴电路的制造,且制造出的微同轴电路能够埋置在高频介质基板内,并且制作工艺简单,可行性强。
-
-
-
-
-
-
-
-
-