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公开(公告)号：CN111293102B
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202010107752.3
申请日：2020-02-21
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
IPC: H01L23/498 , H01L23/495 , H01L23/60 , H01L21/48
Abstract: 本发明公开了一种基板混合薄膜多层布线制作方法，该制造方法包括以下步骤：提供一基板，薄膜沉积铝复合膜层，进行铝选择性阳极氧化，在多孔氧化铝结构中形成铝布线绝缘层，在铝膜中形成芯片散热结构和金属铝柱阵列；再次进行薄膜沉积铝膜，进行铝选择性阳极氧化，依次重复，制备出Al2O3/Al薄膜多层布线层；在其上薄膜沉积铜复合膜层，采用光刻工艺制作铜薄膜导带，制作BCB介质膜通孔；再采用薄膜沉积、光刻工艺制作顶层薄膜导带和焊盘，以制备出BCB/Cu薄膜多层布线层。克服薄膜布线层数无法增加，BCB应力累积造成的互连可靠性差、软基材组装困难等问题，并且在基板上进行高密度布线互连，可满足高功率芯片和大规模集成电路等小型化、高可靠集成需求。
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公开(公告)号：CN110400741A
公开(公告)日：2019-11-01
申请号：CN201910681247.7
申请日：2019-07-25
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
IPC: H01L21/02 , H01L21/027 , H01L21/308 , H01L23/64
Abstract: 本发明提出了一种LCP柔性基板无源阻容元件的制备方法，在干净的LCP基板覆铜面电镀Ni/Pd/Au层，无覆铜表面溅射薄膜电阻层和导带层，进行电镀、光刻、湿法刻蚀，制备出电阻和导带，然后采用lift-off工艺，在LCP基板上制作出电容层，最后表面溅射薄膜导带层，并进行电镀、光刻、湿法刻蚀，制作出电容上电极和导带，完成LCP柔性基板无源阻容元件的制备。该制作方法利用薄膜溅射工艺，可一次性在LCP基板上同时制作出薄膜电阻和薄膜电容，并可制作薄膜阻容网络，实现阻容元件的薄膜集成化、高精度控制，应用在高频器件LCP系统级封装中进行无源阻容元件的埋置，可大大节约LCP柔性基板表面空间，提高基板组装密度。
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公开(公告)号：CN111293102A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN202010107752.3
申请日：2020-02-21
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
IPC: H01L23/498 , H01L23/495 , H01L23/60 , H01L21/48
Abstract: 本发明公开了一种基板混合薄膜多层布线制作方法，该制造方法包括以下步骤：提供一基板，薄膜沉积铝复合膜层，进行铝选择性阳极氧化，在多孔氧化铝结构中形成铝布线绝缘层，在铝膜中形成芯片散热结构和金属铝柱阵列；再次进行薄膜沉积铝膜，进行铝选择性阳极氧化，依次重复，制备出Al2O3/Al薄膜多层布线层；在其上薄膜沉积铜复合膜层，采用光刻工艺制作铜薄膜导带，制作BCB介质膜通孔；再采用薄膜沉积、光刻工艺制作顶层薄膜导带和焊盘，以制备出BCB/Cu薄膜多层布线层。克服薄膜布线层数无法增加，BCB应力累积造成的互连可靠性差、软基材组装困难等问题，并且在基板上进行高密度布线互连，可满足高功率芯片和大规模集成电路等小型化、高可靠集成需求。
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公开(公告)号：CN110400741B
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN201910681247.7
申请日：2019-07-25
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
IPC: H01L21/02 , H01L21/027 , H01L21/308 , H01L23/64
Abstract: 本发明提出了一种LCP柔性基板无源阻容元件的制备方法，在干净的LCP基板覆铜面电镀Ni/Pd/Au层，无覆铜表面溅射薄膜电阻层和导带层，进行电镀、光刻、湿法刻蚀，制备出电阻和导带，然后采用lift‑off工艺，在LCP基板上制作出电容层，最后表面溅射薄膜导带层，并进行电镀、光刻、湿法刻蚀，制作出电容上电极和导带，完成LCP柔性基板无源阻容元件的制备。该制作方法利用薄膜溅射工艺，可一次性在LCP基板上同时制作出薄膜电阻和薄膜电容，并可制作薄膜阻容网络，实现阻容元件的薄膜集成化、高精度控制，应用在高频器件LCP系统级封装中进行无源阻容元件的埋置，可大大节约LCP柔性基板表面空间，提高基板组装密度。
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