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公开(公告)号：CN118335632A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410539576.9
申请日：2024-04-30
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
Abstract: 本发明公开了一种小尺寸基体芯片金球超声倒装焊接方法,属于芯片封装技术领域。由以下步骤组成：(1)基体清洁、检验；(2)将带有金球和通孔的基体放在平台上，预估位置后移去基体；(3)在平台上根据基体外形，用高温胶带或压块，在基体的预估位置固定若干基片；(4)将基体放在平台上与固定基片匹配的位置；(5)用倒装贴片机，将芯片超声倒装焊接在基体临界区。优点：有效地解决了含通孔的小尺寸基体上微小芯片金球超声倒装焊接在基体临界区的精度稳定性问题，该方法设计简单高效，能保证贴装稳定性，可操作性强。
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公开(公告)号：CN111463536A
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN202010271480.0
申请日：2020-04-08
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
IPC: H01P3/06
Abstract: 本发明提供了一种基于LCP柔性基板的微同轴电路的制造方法及微同轴电路，包括如下步骤：将若干LCP基板依次叠层、固定后进行多层层压制作出多层混压板，其中作为底座的LCP基板的外侧面具有一覆盖金属层；在所述多层混压板内制作出内导体空气孔和外导体空气圈；在所述内导体空气孔和所述外导体空气圈中电镀金属层；将所述覆盖金属层腐蚀掉，制成出同轴结构。本发明能够进行微同轴电路的制造，且制造出的微同轴电路能够埋置在高频介质基板内，并且制作工艺简单，可行性强。
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公开(公告)号：CN113179606A
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN202110470654.0
申请日：2021-04-28
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
Abstract: 本发明提供了一种低剖面TR组件，包括管壳、接口电路、LTCC基板、芯片电路、隔墙、内盖板以及外盖板；所述接口电路设置在所述管壳的两侧面上，所述LTCC基板设置在所述管壳的内侧面上；所述芯片电路和所述隔墙设置在LTCC基板上；所述内盖板设置在所述隔墙上；外盖板与所述管壳上端面连接，与所述管壳形成封闭腔体；LTCC基板、芯片电路、隔墙以及内盖板设置在封闭腔体内，管壳的内侧面和LTCC基板的接触面制作材料热膨胀系数小于预设置的系数阈值。本发明通过使用梯度铝硅管壳材料解决了管壳和外盖板热膨胀系数匹配问题，同时通过金丝键合、软金包焊等工艺实现信号传输软连接，提高了组件的可靠性，可广泛引用于空间飞行器领域。
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公开(公告)号：CN110337175A
公开(公告)日：2019-10-15
申请号：CN201910612427.X
申请日：2019-07-05
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
Abstract: 本发明提供了一种X波段四通道TR组件多层印制板，包括多层RO4350印制板和RO5880微波板，所述RO4350印制板和RO5880微波板通过焊料复合，组成X波段四通道T/R组件多层印制板。RO4350印制板主要实现电源层和信号层的布局，其上设有盲孔和地孔，RO4350印制板的表层用于放置元器件；RO5880微波板主要实现微波信号的传输，RO5880微波板板内需要挖槽，用于放置功分器，并且RO5880微波板上还留有四处定位孔，方便在焊接时对齐压准焊接。本发明可以保证RO5880微波板底层地的连续性，最大程度地降低干扰，特别适合于对接地要求较高的组件。
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公开(公告)号：CN110277970A
公开(公告)日：2019-09-24
申请号：CN201910575313.2
申请日：2019-06-28
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
Abstract: 本发明提供了一种输出功率可切换的X波段T/R组件，本发明的收发通道共用多功能芯片，实现6位移相和衰减功能，实现输入信号的放大功能，发射通道可以提供一大一小两路输出功率，由控制信号进行通道选择和切换；功率放大器，其连接多功能芯片，对多功能芯片的输出功率进行放大，以输出具有目标功率的放大信号，由控制信号选择不同放大通道进行功率放大，最终能分别产生两种不同功率的输出信号；限幅低噪放芯片，此器件在接收通道，对环隔器输出的信号进行检测和放大；盒体上设置有隔板和盖板，所述隔板置于驱动放大器和功率放大之间，防止功率放大器件之间相互影响产生自激，降低T/R组件的可靠性。盖板用来防止信号外泄，保证腔体内微波信号稳定。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117954812A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202410299612.9
申请日：2024-03-15
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
Abstract: 本发明公开了一种共用谐振腔型介质填充滤波器，包括：一体化介质块，包括介质块本体，介质块本体表面设有镀银层以实现金属化；介质块本体包括第一单模谐振器、第二单模谐振器、由第三单模谐振器、第四单模谐振器、第五单模谐振器及第六单模谐振器构成的共用谐振腔，第一单模谐振器和第二单模谐振器分别设置在一体化介质块本体两侧，介质块本体内设有共用谐振腔，共用谐振腔与第一单模谐振器和第二单模谐振器通过耦合膜片进行耦合，共用谐振腔内的耦合结构为耦合膜片、通孔和盲孔结构三者结合的方式。共用谐振腔型介质填充滤波器具有质量轻、体积小、带外抑制度高的特点，可应用于通信系统。
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公开(公告)号：CN116298629A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310272690.5
申请日：2023-03-21
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
Abstract: 本发明提供了一种微波组件恒温老练系统，包括：若干快速装夹模块、若干加电老练模块和若干恒温控制模块；快速装夹模块包括翻转加压模组、定位模组和锁紧模组，翻转加压模组设置在定位模组上，翻转加压模组与定位模组固定连接形成一腔体，在腔体内设置微波组件，通过翻转加压模组和锁紧模组固定微波组件；恒温控制模块包括温度控制箱和恒温平台，恒温平台与温度控制箱电性连接，温度控制箱通过恒温平台对多个微波组件表面实施恒温控制；加电老练模块，与微波组件电性连接，向微波组件提供通电信号，从而完成对微波组件的老练，具有装拆效率高、温度调节稳定、装配过程微波组件无损伤、可靠性好、操作简单、适合大批量生产等优点。
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公开(公告)号：CN115714608A
公开(公告)日：2023-02-24
申请号：CN202211382195.1
申请日：2022-11-07
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
Abstract: 本发明涉及一种多通道底馈式T/R组件，包括多个通道，所述通道两端分别连接公共端和天线；每个所述通道包括依次连接的：一多功能幅相控制芯片(103)、一GaN功放芯片(104)、一环隔器(107)、一限幅器芯片(105)、一低噪声放大器芯片(106)，其中，所述低噪声放大器芯片(106)与所述多功能幅相控制芯片(103)连接；该所述通道中还包括，电源模块，所述电源模块与所述多功能幅相控制芯片(103)连接、所述低噪声放大器芯片(106)和所述GaN功放芯片(104)连接；所述组件还包括一公共端，分别与各通道中的所述多功能幅相控制芯片(103)连接。
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公开(公告)号：CN110277970B
公开(公告)日：2023-02-07
申请号：CN201910575313.2
申请日：2019-06-28
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
Abstract: 本发明提供了一种输出功率可切换的X波段T/R组件，本发明的收发通道共用多功能芯片，实现6位移相和衰减功能，实现输入信号的放大功能，发射通道可以提供一大一小两路输出功率，由控制信号进行通道选择和切换；功率放大器，其连接多功能芯片，对多功能芯片的输出功率进行放大，以输出具有目标功率的放大信号，由控制信号选择不同放大通道进行功率放大，最终能分别产生两种不同功率的输出信号；限幅低噪放芯片，此器件在接收通道，对环隔器输出的信号进行检测和放大；盒体上设置有隔板和盖板，所述隔板置于驱动放大器和功率放大之间，防止功率放大器件之间相互影响产生自激，降低T/R组件的可靠性。盖板用来防止信号外泄，保证腔体内微波信号稳定。
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公开(公告)号：CN114384399A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202210004724.8
申请日：2022-01-04
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
Abstract: 本发明提供了一种测试功率放大器芯片结温的方法，包括如下步骤：搭建测试平台，将T/R组件或者功率放大器固定在测试平台上，设置测试平台的测试参数；测试，在结温的极限值范围内，设置测试平台中的脉冲频率后，分别测试每个状态下功率放大器芯片的结温和输出功率顶降值；生成曲线图，获取结温和输出功率顶降值，生成描绘顶降值与结温关系的曲线图；获取一T/R组件输出的顶降值，根据顶降值与芯片结温的关系曲线图查找该T/R组件对应功率放大器芯片的结温。本发明提供的测试功率放大器芯片结温的方法，能够解决目前现有测试芯片结温繁琐、测试设备要求高等不足的问题。
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