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公开(公告)号：CN111293102A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN202010107752.3
申请日：2020-02-21
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
IPC: H01L23/498 , H01L23/495 , H01L23/60 , H01L21/48
Abstract: 本发明公开了一种基板混合薄膜多层布线制作方法，该制造方法包括以下步骤：提供一基板，薄膜沉积铝复合膜层，进行铝选择性阳极氧化，在多孔氧化铝结构中形成铝布线绝缘层，在铝膜中形成芯片散热结构和金属铝柱阵列；再次进行薄膜沉积铝膜，进行铝选择性阳极氧化，依次重复，制备出Al2O3/Al薄膜多层布线层；在其上薄膜沉积铜复合膜层，采用光刻工艺制作铜薄膜导带，制作BCB介质膜通孔；再采用薄膜沉积、光刻工艺制作顶层薄膜导带和焊盘，以制备出BCB/Cu薄膜多层布线层。克服薄膜布线层数无法增加，BCB应力累积造成的互连可靠性差、软基材组装困难等问题，并且在基板上进行高密度布线互连，可满足高功率芯片和大规模集成电路等小型化、高可靠集成需求。
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公开(公告)号：CN111293102B
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202010107752.3
申请日：2020-02-21
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
IPC: H01L23/498 , H01L23/495 , H01L23/60 , H01L21/48
Abstract: 本发明公开了一种基板混合薄膜多层布线制作方法，该制造方法包括以下步骤：提供一基板，薄膜沉积铝复合膜层，进行铝选择性阳极氧化，在多孔氧化铝结构中形成铝布线绝缘层，在铝膜中形成芯片散热结构和金属铝柱阵列；再次进行薄膜沉积铝膜，进行铝选择性阳极氧化，依次重复，制备出Al2O3/Al薄膜多层布线层；在其上薄膜沉积铜复合膜层，采用光刻工艺制作铜薄膜导带，制作BCB介质膜通孔；再采用薄膜沉积、光刻工艺制作顶层薄膜导带和焊盘，以制备出BCB/Cu薄膜多层布线层。克服薄膜布线层数无法增加，BCB应力累积造成的互连可靠性差、软基材组装困难等问题，并且在基板上进行高密度布线互连，可满足高功率芯片和大规模集成电路等小型化、高可靠集成需求。
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公开(公告)号：CN111613588A
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN202010175558.9
申请日：2020-03-13
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
IPC: H01L23/31 , H01L21/56 , H01L25/065
Abstract: 本发明公开了一种可重构三维微系统封装结构及封装方法，通过将可重构三维微系统封装结构的内部分为若干个相互电信号连通的二维子系统模块，并分别在二维子系统模块内设置包括有侧面互连部、面内通孔互连部和面内垂直互连部的测试互连结构，相邻的二维子系统模块通过各自的测试互连结构相连接实现电信号连接；且二维子系统模块可通过该测试互连结构进行独立测试和筛选，成为已知好的二维子系统模块，提高了三维微系统架构自由度和各子模块可测性，可避免子系统模块早期失效导致整个三维微系统无法使用，简单一体化设计不能兼顾通用性和特殊应用、高成本长周期微系统开发不匹配应用需求演进等问题，体现综合电子微系统的三维可重构要求。
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公开(公告)号：CN111613588B
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202010175558.9
申请日：2020-03-13
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
IPC: H01L23/31 , H01L21/56 , H01L25/065
Abstract: 本发明公开了一种可重构三维微系统封装结构及封装方法，通过将可重构三维微系统封装结构的内部分为若干个相互电信号连通的二维子系统模块，并分别在二维子系统模块内设置包括有侧面互连部、面内通孔互连部和面内垂直互连部的测试互连结构，相邻的二维子系统模块通过各自的测试互连结构相连接实现电信号连接；且二维子系统模块可通过该测试互连结构进行独立测试和筛选，成为已知好的二维子系统模块，提高了三维微系统架构自由度和各子模块可测性，可避免子系统模块早期失效导致整个三维微系统无法使用，简单一体化设计不能兼顾通用性和特殊应用、高成本长周期微系统开发不匹配应用需求演进等问题，体现综合电子微系统的三维可重构要求。
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