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公开(公告)号：CN114121639A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202010881132.5
申请日：2020-08-27
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L21/3065 , H01L21/306 , H01L21/308 , H01L21/762 , H01L29/06 , H01L21/28 , H01L29/423
Abstract: 本发明提供了一种圆滑沟槽的制作方法及圆滑沟槽结构，所述制作方法包括：首先由经所述掩膜层，利用以各向异性为主的第一次干法刻蚀蚀刻所述半导体晶圆，以形成侧壁陡直和底部平滑的沟槽结构，然后去除所述第一层掩膜，并在没有掩膜层的保护情况下，利用以各向同性为主的第二次干法刻蚀蚀刻所述半导体晶圆，以圆滑所述沟槽的顶部和底部，最终形成侧壁陡直、顶部和底部圆滑的沟槽。因此，本发明提供的沟槽制作方法工艺步骤简单，能够极大地提高工艺效率和节约成本，本发明提供的圆滑沟槽结构既能够提升器件性能和可靠性，又可以为后续沟槽内的生长及填充工艺带来便捷。
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公开(公告)号：CN113035951A
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN201911355637.1
申请日：2019-12-25
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , C23C16/02 , C23C16/24 , C23C16/56 , C23C16/455 , C23C16/40 , C23C16/44
Abstract: 本发明公开了一种MOSFET结构及其制备方法和应用。该MOSFET结构包括具有沟槽的碳化硅晶圆，以及沉积于所述沟槽的侧壁和底部的栅极氧化层，且沟槽底部的栅极氧化层厚度大于沟槽侧壁的栅极氧化层厚度。本发明的MOSFET结构能够避免底部栅极氧化层厚度偏薄导致器件提前击穿的问题，提高了半导体器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN112614879A
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：CN202011354573.6
申请日：2020-11-27
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/786 , H01L21/336
Abstract: 本公开提供一种碳化硅器件的元胞结构、其制备方法及碳化硅器件，所述元胞结构包括：多个间隔设置于所述漂移层表面内的第二导电类型阱区；位于所述阱区表面内的源区；位于相邻两个所述阱区之间的栅极沟槽；位于所述漂移层内且纵向间隔设置于所述栅极沟槽下方的第二导电类屏蔽区；其中，所述屏蔽区的顶部与所述栅极沟槽的底部和所述阱区的底部接触。通过在栅极沟槽底部设置纵向间隔的第二导电类型的屏蔽区，可大幅降低阻断状态下器件的栅极介质层的电场应力，大幅提高器件的长期使用可靠性；所述屏蔽区与源极金属层电连接，可以提高器件的开关频率，降低开关损耗。
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公开(公告)号：CN112083305A
公开(公告)日：2020-12-15
申请号：CN202010739182.X
申请日：2020-07-28
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: G01R31/26
Abstract: 本公开提供一种SiC MOSFET器件结温的测量方法、装置、电子设备及存储介质，所述方法包括对处于不同测试温度下的参考SiC MOSFET器件施加预设栅源负电压和预设源漏电流，以测量所述参考SiC MOSFET器件在不同测试温度下的源‑漏二极管结电压；对所有测试温度及其对应的所述参考SiC MOSFET器件的源‑漏二极管结电压进行线性拟合，得到源‑漏二极管结电压与温度的线性关系；对待测SiC MOSFET器件施加所述预设栅源负电压和所述预设源漏电流，以测量所述待测SiC MOSFET器件的源‑漏二极管结电压；利用所述线性关系，根据所述待测SiC MOSFET器件的源‑漏二极管结电压确定其结温。该方法利用SiC MOSFET器件的结电压在一定的栅源负电压下具有良好线性温敏特性的特点，能够实现器件结温的准确测量。
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