公开(公告)号：CN112447517B

公开(公告)日：2024-06-18

申请号：CN201910817583.X

申请日：2019-08-30

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 施剑华 ,  易九鹏

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明公开了一种栅极退火及侧墙形成方法，通过对预先进行刻蚀形成了栅极的栅极器件，在升温处理阶段进行第一氧化处理，在栅极器件的栅极表面生成第一厚度的栅极侧墙；其次，在升温至预设的退火温度时，对具有第一厚度的栅极侧墙的栅极器件同时进行第二氧化处理和第一热退火处理，以使栅极侧墙由第一厚度增加至第二厚度；最后，对具有第二厚度的栅极侧墙的栅极器件在氮气气氛下进行第二热退火处理。通过该方法可以实现同时进行栅极侧墙的氧化和退火，可减少工艺流程，降低工艺风险，提高生产效率，还可以有效避免多晶硅表面生成氮化物，致使光刻曝光时自对准偏差及刻蚀不净的问题。

公开(公告)号：CN113054014A

公开(公告)日：2021-06-29

申请号：CN201911366550.4

申请日：2019-12-26

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 郑昌伟 ,  刘坤 ,  施剑华 ,  焦莎莎 ,  刘启军 ,  丁杰钦 ,  赵艳黎 ,  周正东

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/16 ,  H01L21/336

Abstract: 本公开提供一种SiC沟槽氧化层和SiC MOSFET沟槽栅的制备方法及沟槽型SiC MOSFET器件。该方法包括：提供第一导电类型的SiC衬底；刻蚀所述衬底，在所述衬底内形成多个间隔设置的沟槽结构；以掩蔽层作为掩蔽，注入氧离子到所述衬底，以在所述衬底表面和所述沟槽结构的底部形成氧离子注入层；去除所述掩蔽层，对所述衬底进行热氧化处理，以分别在所述衬底的表面和所述沟槽结构的底部形成第一氧化层，在所述沟槽结构的侧壁形成第二氧化层；其中，所述第一氧化层的厚度大于或等于所述第二氧化层的厚度。不仅解决了现有技术中沟槽氧化层质量差、沟槽侧壁与沟槽底部氧化层厚度不受控制的问题，而且提高了氧化层的长期可靠性。

公开(公告)号：CN113053747B

公开(公告)日：2022-09-09

申请号：CN201911363839.0

申请日：2019-12-26

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 郑昌伟 ,  焦莎莎 ,  施剑华 ,  赵艳黎 ,  李诚瞻 ,  魏伟 ,  曾亮 ,  刘芹

IPC: H01L21/335 ,  H01L29/36

Abstract: 本公开提供一种改善SiC晶圆翘曲的方法及SiC半导体器件的制备方法。该改善SiC晶圆翘曲的方法包括：提供第一导电类型SiC晶圆，其中，所述晶圆由于正面离子注入形成正面掺杂区而发生翘曲，所述正面掺杂区为构成半导体器件所需的掺杂区；在所述晶圆的背面形成与所述正面掺杂区对应设置的第一背面掺杂区，以使背面离子注入与正面离子注入产生的应力相互抵消；对所述晶圆进行高温激活退火，以消除所述晶圆上的残余应力；刻蚀所述晶圆的整个背面；通过注入第一导电类型的高能离子形成覆盖所述晶圆的整个背面的第二背面掺杂区；对所述晶圆的背面进行金属化处理。通过改善晶圆翘曲的程度，提高器件加工工艺精度与一致性，进而提高产品稳定性，提升产品良率。

公开(公告)号：CN113053747A

公开(公告)日：2021-06-29

申请号：CN201911363839.0

申请日：2019-12-26

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 郑昌伟 ,  焦莎莎 ,  施剑华 ,  赵艳黎 ,  李诚瞻 ,  魏伟 ,  曾亮 ,  刘芹

IPC: H01L21/335 ,  H01L29/36

Abstract: 本公开提供一种改善SiC晶圆翘曲的方法及SiC半导体器件的制备方法。该改善SiC晶圆翘曲的方法包括：提供第一导电类型SiC晶圆，其中，所述晶圆由于正面离子注入形成正面掺杂区而发生翘曲，所述正面掺杂区为构成半导体器件所需的掺杂区；在所述晶圆的背面形成与所述正面掺杂区对应设置的第一背面掺杂区，以使背面离子注入与正面离子注入产生的应力相互抵消；对所述晶圆进行高温激活退火，以消除所述晶圆上的残余应力；刻蚀所述晶圆的整个背面；通过注入第一导电类型的高能离子形成覆盖所述晶圆的整个背面的第二背面掺杂区；对所述晶圆的背面进行金属化处理。通过改善晶圆翘曲的程度，提高器件加工工艺精度与一致性，进而提高产品稳定性，提升产品良率。

公开(公告)号：CN113035951A

公开(公告)日：2021-06-25

申请号：CN201911355637.1

申请日：2019-12-25

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 丁杰钦 ,  周正东 ,  施剑华 ,  焦莎莎 ,  罗烨辉 ,  刘启军 ,  周才能 ,  马亚超 ,  李诚瞻 ,  罗海辉

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  C23C16/02 ,  C23C16/24 ,  C23C16/56 ,  C23C16/455 ,  C23C16/40 ,  C23C16/44

Abstract: 本发明公开了一种MOSFET结构及其制备方法和应用。该MOSFET结构包括具有沟槽的碳化硅晶圆，以及沉积于所述沟槽的侧壁和底部的栅极氧化层，且沟槽底部的栅极氧化层厚度大于沟槽侧壁的栅极氧化层厚度。本发明的MOSFET结构能够避免底部栅极氧化层厚度偏薄导致器件提前击穿的问题，提高了半导体器件的可靠性。

公开(公告)号：CN112447517A

公开(公告)日：2021-03-05

申请号：CN201910817583.X

申请日：2019-08-30

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 施剑华 ,  易九鹏

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明公开了一种栅极退火及侧墙形成方法，通过对预先进行刻蚀形成了栅极的栅极器件，在升温处理阶段进行第一氧化处理，在栅极器件的栅极表面生成第一厚度的栅极侧墙；其次，在升温至预设的退火温度时，对具有第一厚度的栅极侧墙的栅极器件同时进行第二氧化处理和第一热退火处理，以使栅极侧墙由第一厚度增加至第二厚度；最后，对具有第二厚度的栅极侧墙的栅极器件在氮气气氛下进行第二热退火处理。通过该方法可以实现同时进行栅极侧墙的氧化和退火，可减少工艺流程，降低工艺风险，提高生产效率，还可以有效避免多晶硅表面生成氮化物，致使光刻曝光时自对准偏差及刻蚀不净的问题。