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公开(公告)号：CN111239576B
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN201811445962.2
申请日：2018-11-29
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种基于功率损耗线性控制的恒定功率循环测试电路及方法，该恒定功率循环测试电路包括恒流源、第一和第二待测半导体功率器件、第一和第二驱动单元、第一和第二温控单元、电压测量与存储单元。本发明还提供了基于该恒定功率循环测试电路的测试方法。本发明的恒定功率循环测试电路和测试方法可以使待测功率器件的结温度摆幅仅与导通时间成单一的正比例关系，简化了功率循环测试的控制方法，消除了待测功率器件在长期功率循环测试当中结温度不可精确控制的问题。
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公开(公告)号：CN112687644A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202011489643.9
申请日：2020-12-16
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L23/48 , H01L23/367 , H01L25/11 , H01R9/24
Abstract: 本发明提供一种具有低感复合母排结构的集成散热器IGBT功率器件，包括：散热器、衬板、PCB电路、端子以及低感复合母排，衬板与所述散热器互联，衬板上布置有所述PCB电路和端子，低感复合母排与所述端子连接；低感复合母排包括：相对设置的半桥IGBT器件的DC+级和半桥IGBT器件的DC‑级、以及设置在半桥IGBT器件的DC+和半桥IGBT器件的DC‑级的一侧的半桥IGBT器件的AC级。本发明集成低感复合母排，IGBT器件更为紧凑，空间占用少，能有效降低器件因连接产生的接触热阻和电阻；低感复合母排设计自由度大，寄生参数较小；由该型器件组装而成的功率组件，空间排布的自由度大，寄生参数也可以减小；杂散电感低，电流路径短，能有效降低芯片所受的应力，有利于提高器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN111223838A
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN202010026532.8
申请日：2020-01-10
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/473
Abstract: 本发明提出了一种高效散热绝缘衬板，包括依次层叠设置的上金属层、陶瓷层和下金属层，所述陶瓷层内设置有流道结构，所述流道结构布满半导体芯片的发热区域。本发明的绝缘衬板陶瓷层内部设置有通道结构，使得高效散热效果的绝缘衬板设计不再受限于材料特性的选择，可以实现从半导体芯片到冷却液之间的直接散热，改善了模块内部散热路径，增强了模块散热效率，提高功率模块的热稳定性及长期可靠性。
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公开(公告)号：CN113035790B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN201911347198.X
申请日：2019-12-24
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L23/13 , H01L23/498
Abstract: 本申请提供了一种焊接底座及功率半导体模块，涉及功率模块制造技术领域。该焊接底座包括管状的主体，主体的第一端和第二端分别设置有垂直于主体外壁向外延伸的第一环形凸缘和第二环形凸缘，其特征在于，第一环形凸缘和第二环形凸缘中的至少一个的远离主体的凸缘表面上设置有环状凸台。该焊接底座的端面上设置有环状凸台，从而增大焊接底座与衬板上覆铜层的焊接结合面面积，有利于避免焊接底座的脱落。该功率半导体模块包括上述的焊接底座。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112993616B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN201911290617.0
申请日：2019-12-16
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
Abstract: 本发明涉及一种功率模块结构，涉及半导体器件技术领域，用于改善端子与内部电路板之间的硬连接并提升功率模块的可靠性。本发明的功率模块结构，包括盖板、散热基板和弹性导电元件，由于在端子与内部电路板之间设置了弹性导电元件，并且仅弹性导电元件与内部电路板之间的连接为硬连接，而弹性导电元件与端子之间的连接为接触连接，因此在实现电气导通的前提下，使二者之间具有缓冲的余量，避免了现有技术中的硬连接及由此引入的不确定性，有利于功率模块结构在该连通界面可靠性的提升。
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公开(公告)号：CN113053831A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN201911381706.6
申请日：2019-12-27
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L23/043 , H01L25/07
Abstract: 本申请提供了一种压接式IGBT模块，包括多个能够相对于管壳上下移动的子模组，子模组包括：并排间隔设置在导电基板上的多个芯片；能够容置在管壳中或者延伸出管壳的下表面的承压件；设置在芯片的上方的旁路母排，且其上部抵接在承压件的上表面；设置在旁路母排和所述导电盖板之间的弹性件；当压装力不大于弹性件的弹力时，导电盖板延伸出所述管壳的上表面，导电基板和承压件均延伸出管壳的下表面，且导电基板的下表面和承压件的下表面齐平，当压装力大于弹性件的弹力时，导电基板的下表面和承压件的下表面与管壳的下表面齐平，导电盖板的上表面与管壳的上表面齐平。本申请的压接式IGBT模块能够保证芯片受力的均匀性。
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公开(公告)号：CN112993616A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN201911290617.0
申请日：2019-12-16
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
Abstract: 本发明涉及一种功率模块结构，涉及半导体器件技术领域，用于改善端子与内部电路板之间的硬连接并提升功率模块的可靠性。本发明的功率模块结构，包括盖板、散热基板和弹性导电元件，由于在端子与内部电路板之间设置了弹性导电元件，并且仅弹性导电元件与内部电路板之间的连接为硬连接，而弹性导电元件与端子之间的连接为接触连接，因此在实现电气导通的前提下，使二者之间具有缓冲的余量，避免了现有技术中的硬连接及由此引入的不确定性，有利于功率模块结构在该连通界面可靠性的提升。
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公开(公告)号：CN112635404A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202011355642.5
申请日：2020-11-27
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
Abstract: 本发明涉及一种功率子模块、其制作方法以及转模压接式功率模块，涉及电力电子技术领域，用于解决结构复杂、封装可靠性较差的技术问题。本发明的功率子单元包括绝缘胶框以及芯片，由于绝缘胶框是用胶体在所述芯片组件上以直接转模的方式而形成，避免了现有技术中将单个的芯片、上钼片和下钼片等部件逐一地放入侧框中并对其一一进行定位的多道工序，因此不仅简化了定位工序；还由于绝缘胶框为一体形成的，因此其并不存在装配缝隙，也无需后续的涂胶处理，从而也简化了涂胶工序，因此本发明的功率子单元的工序简单易操作；并且使功率子单元能够实现功率子单元一体化绝缘的保护方式，从而保证良好的绝缘效果和封装可靠性。
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公开(公告)号：CN112310029A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN201910684109.4
申请日：2019-07-26
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L23/367 , H01L25/18 , H01L21/48
Abstract: 本发明涉及一种衬板和基体集成的功率半导体器件及其制造方法，涉及功率模块的封装设计领域，用于解决现有技术中存在的工艺效率低、工艺成本高以及模块散热性差的技术问题。本发明的衬板和基体集成的功率半导体器件包括依次设置的基体、绝缘层和金属层，通过将基体、绝缘层和金属层设置为一体式的集成结构，从而取消了传统IGBT模块封装工艺流程中的衬板与基板焊接的操作以及衬板间通过引线互连的操作，从而提高了工艺效率，降低了工艺成本，也杜绝了衬板与基板大面积焊接时产生气泡从而影响散热的问题。
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