公开(公告)号：CN112310029A

公开(公告)日：2021-02-02

申请号：CN201910684109.4

申请日：2019-07-26

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 方杰 ,  汤翔 ,  曾雄 ,  姚卫刚 ,  常桂钦 ,  贺新强 ,  吴义伯 ,  李亮星 ,  彭勇殿 ,  徐凝华

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/367 ,  H01L25/18 ,  H01L21/48

Abstract: 本发明涉及一种衬板和基体集成的功率半导体器件及其制造方法，涉及功率模块的封装设计领域，用于解决现有技术中存在的工艺效率低、工艺成本高以及模块散热性差的技术问题。本发明的衬板和基体集成的功率半导体器件包括依次设置的基体、绝缘层和金属层，通过将基体、绝缘层和金属层设置为一体式的集成结构，从而取消了传统IGBT模块封装工艺流程中的衬板与基板焊接的操作以及衬板间通过引线互连的操作，从而提高了工艺效率，降低了工艺成本，也杜绝了衬板与基板大面积焊接时产生气泡从而影响散热的问题。