公开(公告)号：CN119447079A

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：CN202411582240.7

申请日：2024-11-07

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 秦光远 ,  石廷昌 ,  邹淅 ,  常桂钦 ,  肖睦仁 ,  肖强 ,  汤翔

IPC: H01L23/495

Abstract: 本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种功率模块，包括基板、衬板、作为上管的芯片单元一和作为下管的芯片单元二，芯片单元一布置在衬板靠近AC端子的一端，芯片单元二布置在衬板靠近DC端子的一端；芯片单元一和芯片单元二均包括两对以上的IGBT和二极管芯片，IGBT和二极管芯片均为一字型布置，且芯片单元二中的IGBT位于靠近芯片单元一的一侧；衬板位于芯片单元一和芯片单元二之间的区域设置有孤岛铜皮一，衬板上连接下管G极辅助端子的下管铜皮一位于AC端子所在的一端，芯片单元二中IGBT的门极均与孤岛铜皮一互连，孤岛铜皮一与下管铜皮一互连。本发明适用于低感封装，可减小电磁干扰和控制回路杂感，提高响应速度。

公开(公告)号：CN112310029A

公开(公告)日：2021-02-02

申请号：CN201910684109.4

申请日：2019-07-26

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 方杰 ,  汤翔 ,  曾雄 ,  姚卫刚 ,  常桂钦 ,  贺新强 ,  吴义伯 ,  李亮星 ,  彭勇殿 ,  徐凝华

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/367 ,  H01L25/18 ,  H01L21/48

Abstract: 本发明涉及一种衬板和基体集成的功率半导体器件及其制造方法，涉及功率模块的封装设计领域，用于解决现有技术中存在的工艺效率低、工艺成本高以及模块散热性差的技术问题。本发明的衬板和基体集成的功率半导体器件包括依次设置的基体、绝缘层和金属层，通过将基体、绝缘层和金属层设置为一体式的集成结构，从而取消了传统IGBT模块封装工艺流程中的衬板与基板焊接的操作以及衬板间通过引线互连的操作，从而提高了工艺效率，降低了工艺成本，也杜绝了衬板与基板大面积焊接时产生气泡从而影响散热的问题。