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公开(公告)号：CN100492620C
公开(公告)日：2009-05-27
申请号：CN200380101053.2
申请日：2003-10-14
Applicant: 宋健民
Inventor： 宋健民
IPC: H01L23/34
CPC classification number: B22F3/10 , B22F2998/00 , C22C1/1036 , C22C26/00 , C22C2001/1073 , H01L23/373 , H01L23/3732 , H01L23/3733 , H01L24/29 , H01L2224/29021 , H01L2224/8384 , H01L2924/01322 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , B22F1/0014 , H01L2924/00
Abstract: 一种散热器，包括多个含碳颗粒，每个基本上与至少一个其它含碳颗粒接触。不含碳材料基本上与多个含碳颗粒结合成复合物块。含碳颗粒是金刚石颗粒。含碳颗粒的量占散热器的至少约体积50%。不含碳材料的量占散热器的至少约5体积%。不含碳材料包括选自如下的物质：Cu、Al和Ag。在另一个方案中，散热器包括多个金刚石颗粒，其中每个金刚石颗粒基本上与至少一个其它金刚石颗粒烧结。
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公开(公告)号：CN104576314A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201410524598.4
申请日：2014-10-08
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Inventor： S·R·耶杜拉 , K·H·加瑟 , S·韦勒特 , K·迈尔 , F·J·桑托斯罗德里奎兹
CPC classification number: H01L23/562 , H01L21/288 , H01L21/4814 , H01L21/6835 , H01L23/49838 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/30 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L24/94 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2224/03002 , H01L2224/04026 , H01L2224/0508 , H01L2224/05082 , H01L2224/05083 , H01L2224/05084 , H01L2224/05571 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05664 , H01L2224/05666 , H01L2224/05671 , H01L2224/05687 , H01L2224/27002 , H01L2224/27005 , H01L2224/2732 , H01L2224/2747 , H01L2224/29011 , H01L2224/29014 , H01L2224/29021 , H01L2224/29023 , H01L2224/29035 , H01L2224/29036 , H01L2224/29111 , H01L2224/29147 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/29294 , H01L2224/29339 , H01L2224/29347 , H01L2224/29393 , H01L2224/32245 , H01L2224/94 , H01L2924/12042 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/01023 , H01L2924/01015 , H01L2924/04941 , H01L2924/01014 , H01L2924/01029 , H01L2224/05155 , H01L2224/05166 , H01L2224/05124 , H01L2224/05187 , H01L2924/0665 , H01L2924/01006 , H01L2924/0105 , H01L2924/01047 , H01L2924/00012 , H01L2224/03 , H01L2224/27 , H01L2924/0781 , H01L2924/07802
Abstract: 本发明提供用于处理晶片的方法和晶片结构。根据各种实施例的用于处理晶片的方法可包括：从晶片的内部部分去除晶片材料，以在所述晶片的边缘区形成至少部分地包围所述晶片的内部部分的结构；以及使用所述结构作为印刷掩模，将材料印刷到所述晶片的内部部分中。根据各种实施例的用于处理晶片的方法可包括：提供托架和晶片，所述晶片具有第一面和与所述第一面相对的第二面，其中所述晶片的所述第一面附着于所述托架，所述第二面具有位于所述晶片的边缘区的结构，所述结构至少部分地包围所述晶片的内部部分；以及，将材料印刷到所述晶片的所述第二面的至少一部分上。
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公开(公告)号：CN104576314B
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201410524598.4
申请日：2014-10-08
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Inventor： S·R·耶杜拉 , K·H·加瑟 , S·韦勒特 , K·迈尔 , F·J·桑托斯罗德里奎兹
CPC classification number: H01L23/562 , H01L21/288 , H01L21/4814 , H01L21/6835 , H01L23/49838 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/30 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L24/94 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2224/03002 , H01L2224/04026 , H01L2224/0508 , H01L2224/05082 , H01L2224/05083 , H01L2224/05084 , H01L2224/05571 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05664 , H01L2224/05666 , H01L2224/05671 , H01L2224/05687 , H01L2224/27002 , H01L2224/27005 , H01L2224/2732 , H01L2224/2747 , H01L2224/29011 , H01L2224/29014 , H01L2224/29021 , H01L2224/29023 , H01L2224/29035 , H01L2224/29036 , H01L2224/29111 , H01L2224/29147 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/29294 , H01L2224/29339 , H01L2224/29347 , H01L2224/29393 , H01L2224/32245 , H01L2224/94 , H01L2924/12042 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/01023 , H01L2924/01015 , H01L2924/04941 , H01L2924/01014 , H01L2924/01029 , H01L2224/05155 , H01L2224/05166 , H01L2224/05124 , H01L2224/05187 , H01L2924/0665 , H01L2924/01006 , H01L2924/0105 , H01L2924/01047 , H01L2924/00012 , H01L2224/03 , H01L2224/27 , H01L2924/0781 , H01L2924/07802
Abstract: 本发明提供用于处理晶片的方法和晶片结构。根据各种实施例的用于处理晶片的方法可包括：从晶片的内部部分去除晶片材料，以在所述晶片的边缘区形成至少部分地包围所述晶片的内部部分的结构；以及使用所述结构作为印刷掩模，将材料印刷到所述晶片的内部部分中。根据各种实施例的用于处理晶片的方法可包括：提供托架和晶片，所述晶片具有第一面和与所述第一面相对的第二面，其中所述晶片的所述第一面附着于所述托架，所述第二面具有位于所述晶片的边缘区的结构，所述结构至少部分地包围所述晶片的内部部分；以及，将材料印刷到所述晶片的所述第二面的至少一部分上。
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公开(公告)号：CN103426837B
公开(公告)日：2017-06-09
申请号：CN201310178073.5
申请日：2013-05-14
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/367 , H01L21/56
CPC classification number: H01L23/3107 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L23/4824 , H01L23/49537 , H01L23/49541 , H01L23/49568 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/96 , H01L25/072 , H01L29/0657 , H01L2224/02371 , H01L2224/0346 , H01L2224/04026 , H01L2224/04042 , H01L2224/04105 , H01L2224/05548 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/06102 , H01L2224/06181 , H01L2224/2518 , H01L2224/29021 , H01L2224/291 , H01L2224/2929 , H01L2224/293 , H01L2224/32245 , H01L2224/45014 , H01L2224/48245 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/73267 , H01L2224/96 , H01L2924/00014 , H01L2924/12032 , H01L2924/1301 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13062 , H01L2924/181 , H01L2224/03 , H01L2924/014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明公开了一种半导体封装及形成半导体封装的方法。在一个实施方式中，一种半导体封装包括竖直半导体芯片，该竖直半导体芯片具有位于竖直半导体芯片的一侧上的第一主表面以及位于竖直半导体芯片的相对侧上的第二主表面。第一主表面包括第一接触区，并且第二主表面包括第二接触区。竖直半导体芯片构造为调节沿电流方向从第一接触区到第二接触区的电流。在第二主表面的第二接触区处设置有背面导体。半导体封装进一步包括第一密封剂，在该第一密封剂中设置有竖直半导体芯片和背面导体。
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公开(公告)号：CN105280621A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201510154913.3
申请日：2015-04-02
Applicant: 意法半导体(格勒诺布尔2)公司 , 意法半导体股份有限公司 , 意法半导体(马耳他)有限公司
CPC classification number: H01L25/18 , G01L19/0084 , G01L19/147 , G01L19/148 , H01L23/24 , H01L23/3157 , H01L24/10 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L25/0657 , H01L2224/10135 , H01L2224/10165 , H01L2224/1319 , H01L2224/16145 , H01L2224/26122 , H01L2224/26135 , H01L2224/29007 , H01L2224/29021 , H01L2224/29036 , H01L2224/32014 , H01L2224/32111 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/33181 , H01L2224/48106 , H01L2224/48145 , H01L2224/48225 , H01L2224/48227 , H01L2224/49175 , H01L2224/73207 , H01L2224/73257 , H01L2224/73265 , H01L2224/83192 , H01L2224/83855 , H01L2225/06506 , H01L2225/0651 , H01L2225/06568 , H01L2225/06575 , H01L2924/00014 , H01L2924/14 , H01L2924/146 , H01L2924/16151 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2924/00012
Abstract: 本公开涉及集成电路芯片的堆叠和电子器件，该堆叠由第一集成电路芯片和第二集成电路芯片形成。该芯片具有通过中介间隔物彼此分离的相对面。间隔物通过粘接至相对面中的仅一个面而被固定。相对面通过与间隔物分离的局部粘接剂彼此固定。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105097574B
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201510239111.2
申请日：2015-05-12
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01L21/60 , H01L25/065 , H01L23/48 , H01L23/488
CPC classification number: H01L23/564 , B81C1/00238 , B81C1/00269 , B81C2203/0118 , B81C2203/019 , H01L21/302 , H01L23/3157 , H01L23/3171 , H01L23/481 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/08 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/30 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/89 , H01L24/94 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/0311 , H01L2224/0331 , H01L2224/0401 , H01L2224/04026 , H01L2224/05567 , H01L2224/05571 , H01L2224/08111 , H01L2224/08146 , H01L2224/10145 , H01L2224/10175 , H01L2224/13021 , H01L2224/131 , H01L2224/13138 , H01L2224/1601 , H01L2224/16145 , H01L2224/16147 , H01L2224/16148 , H01L2224/26145 , H01L2224/26175 , H01L2224/29011 , H01L2224/29013 , H01L2224/29021 , H01L2224/291 , H01L2224/29138 , H01L2224/30131 , H01L2224/30135 , H01L2224/30136 , H01L2224/30177 , H01L2224/3201 , H01L2224/32145 , H01L2224/32147 , H01L2224/32148 , H01L2224/73103 , H01L2224/73204 , H01L2224/80001 , H01L2224/81193 , H01L2224/81203 , H01L2224/81365 , H01L2224/81385 , H01L2224/81801 , H01L2224/81805 , H01L2224/83193 , H01L2224/83203 , H01L2224/83365 , H01L2224/83385 , H01L2224/83801 , H01L2224/83805 , H01L2224/94 , H01L2225/06513 , H01L2225/06555 , H01L2924/163 , H01L2924/3511 , H01L2924/00012 , H01L2224/81 , H01L2924/00014 , H01L2924/01014 , H01L2924/013 , H01L2224/83 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种在两个半导体晶片的接合时使接合材料不易在水平方向上扩展的半导体装置的制造方法以及半导体装置。所述半导体装置具备互补型金属氧化膜半导体晶片与另外的半导体晶片，所述半导体装置的制作方法包括开口部形成工序、导通孔形成工序、配置工序、接合工序。在开口部形成工序中，在遍及作为互补型金属氧化膜半导体晶片的一部分的第一部分和作为半导体晶片的一部分的第二部分中的至少一个部分的内侧及外侧的范围内形成非贯穿的开口部。在导通孔形成工序中，在第一部分的内侧形成导通孔。在配置工序中，将第一接合材料配置在导通孔内及第一部分上，将第二接合材料配置在第二部分上。在接合工序中，将第一接合材料与第二接合材料接合。
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公开(公告)号：CN105097574A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201510239111.2
申请日：2015-05-12
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01L21/60 , H01L25/065 , H01L23/48 , H01L23/488
CPC classification number: H01L23/564 , B81C1/00238 , B81C1/00269 , B81C2203/0118 , B81C2203/019 , H01L21/302 , H01L23/3157 , H01L23/3171 , H01L23/481 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/08 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/30 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/89 , H01L24/94 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/0311 , H01L2224/0331 , H01L2224/0401 , H01L2224/04026 , H01L2224/05567 , H01L2224/05571 , H01L2224/08111 , H01L2224/08146 , H01L2224/10145 , H01L2224/10175 , H01L2224/13021 , H01L2224/131 , H01L2224/13138 , H01L2224/1601 , H01L2224/16145 , H01L2224/16147 , H01L2224/16148 , H01L2224/26145 , H01L2224/26175 , H01L2224/29011 , H01L2224/29013 , H01L2224/29021 , H01L2224/291 , H01L2224/29138 , H01L2224/30131 , H01L2224/30135 , H01L2224/30136 , H01L2224/30177 , H01L2224/3201 , H01L2224/32145 , H01L2224/32147 , H01L2224/32148 , H01L2224/73103 , H01L2224/73204 , H01L2224/80001 , H01L2224/81193 , H01L2224/81203 , H01L2224/81365 , H01L2224/81385 , H01L2224/81801 , H01L2224/81805 , H01L2224/83193 , H01L2224/83203 , H01L2224/83365 , H01L2224/83385 , H01L2224/83801 , H01L2224/83805 , H01L2224/94 , H01L2225/06513 , H01L2225/06555 , H01L2924/163 , H01L2924/3511 , H01L24/11 , H01L2924/00012 , H01L2224/81 , H01L2924/00014 , H01L2924/01014 , H01L2924/013 , H01L2224/83 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种在两个半导体晶片的接合时使接合材料不易在水平方向上扩展的半导体装置的制造方法以及半导体装置。所述半导体装置具备互补型金属氧化膜半导体晶片与另外的半导体晶片，所述半导体装置的制作方法包括开口部形成工序、导通孔形成工序、配置工序、接合工序。在开口部形成工序中，在遍及作为互补型金属氧化膜半导体晶片的一部分的第一部分和作为半导体晶片的一部分的第二部分中的至少一个部分的内侧及外侧的范围内形成非贯穿的开口部。在导通孔形成工序中，在第一部分的内侧形成导通孔。在配置工序中，将第一接合材料配置在导通孔内及第一部分上，将第二接合材料配置在第二部分上。在接合工序中，将第一接合材料与第二接合材料接合。
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公开(公告)号：CN108292637A
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201680068468.1
申请日：2016-10-13
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/373
CPC classification number: H01L23/3675 , H01L21/4871 , H01L21/4882 , H01L23/10 , H01L23/3735 , H01L23/42 , H01L23/433 , H01L24/16 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L25/0652 , H01L25/0655 , H01L25/18 , H01L2224/16145 , H01L2224/16227 , H01L2224/27334 , H01L2224/27848 , H01L2224/29019 , H01L2224/29021 , H01L2224/29022 , H01L2224/29082 , H01L2224/29083 , H01L2224/29101 , H01L2224/29109 , H01L2224/29111 , H01L2224/29113 , H01L2224/29116 , H01L2224/29118 , H01L2224/2912 , H01L2224/29124 , H01L2224/29139 , H01L2224/29144 , H01L2224/29147 , H01L2224/29149 , H01L2224/29155 , H01L2224/29157 , H01L2224/2916 , H01L2224/29163 , H01L2224/29164 , H01L2224/29166 , H01L2224/29169 , H01L2224/29171 , H01L2224/29172 , H01L2224/29176 , H01L2224/2918 , H01L2224/29181 , H01L2224/29184 , H01L2224/29187 , H01L2224/2919 , H01L2224/29294 , H01L2224/293 , H01L2224/32058 , H01L2224/32245 , H01L2224/32257 , H01L2224/48145 , H01L2224/48227 , H01L2224/73253 , H01L2224/83191 , H01L2224/83193 , H01L2224/83201 , H01L2224/8321 , H01L2224/83801 , H01L2224/83825 , H01L2224/92225 , H01L2924/10253 , H01L2924/10329 , H01L2924/1304 , H01L2924/1434 , H01L2924/15311 , H01L2924/157 , H01L2924/15787 , H01L2924/1579 , H01L2924/16153 , H01L2924/16251 , H01L2924/1659 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/19105 , H01L2924/00014 , H01L2924/0532 , H01L2924/01004 , H01L2924/0103 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/01048 , H01L2924/01072 , H01L2924/00012
Abstract: 描述了帮助冷却半导体封装（诸如多芯片封装（MCP））的方法、系统和装置。一种半导体封装包括衬底上的部件。该部件可以包括一个或多个半导体管芯。该封装还可以包括多基准集成式散热器（IHS）解决方案（也被称为智能IHS解决方案），在这里该智能IHS解决方案包括智能IHS盖。该智能IHS盖包括在智能盖的中心区域中形成的腔。该智能IHS盖可以在部件上，以使得该腔对应于该部件。第一热界面材料层（TIM层1）可以在部件上。单独IHS盖（IHS块）可以在TIM层1上。该IHS块可以被插入腔中。此外，中间热界面材料层（TIM-1A层）可以在IHS块和腔之间。
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公开(公告)号：CN103426837A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201310178073.5
申请日：2013-05-14
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/367 , H01L21/56
CPC classification number: H01L23/3107 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L23/4824 , H01L23/49537 , H01L23/49541 , H01L23/49568 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/96 , H01L25/072 , H01L29/0657 , H01L2224/02371 , H01L2224/0346 , H01L2224/04026 , H01L2224/04042 , H01L2224/04105 , H01L2224/05548 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/06102 , H01L2224/06181 , H01L2224/2518 , H01L2224/29021 , H01L2224/291 , H01L2224/2929 , H01L2224/293 , H01L2224/32245 , H01L2224/45014 , H01L2224/48245 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/73267 , H01L2224/96 , H01L2924/00014 , H01L2924/12032 , H01L2924/1301 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13062 , H01L2924/181 , H01L2224/03 , H01L2924/014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明公开了一种半导体封装及形成半导体封装的方法。在一个实施方式中，一种半导体封装包括竖直半导体芯片，该竖直半导体芯片具有位于竖直半导体芯片的一侧上的第一主表面以及位于竖直半导体芯片的相对侧上的第二主表面。第一主表面包括第一接触区，并且第二主表面包括第二接触区。竖直半导体芯片构造为调节沿电流方向从第一接触区到第二接触区的电流。在第二主表面的第二接触区处设置有背面导体。半导体封装进一步包括第一密封剂，在该第一密封剂中设置有竖直半导体芯片和背面导体。
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公开(公告)号：CN1703776A
公开(公告)日：2005-11-30
申请号：CN200380101053.2
申请日：2003-10-14
Applicant: 宋简民
Inventor： 宋简民
IPC: H01L23/34
CPC classification number: B22F3/10 , B22F2998/00 , C22C1/1036 , C22C26/00 , C22C2001/1073 , H01L23/373 , H01L23/3732 , H01L23/3733 , H01L24/29 , H01L2224/29021 , H01L2224/8384 , H01L2924/01322 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , B22F1/0014 , H01L2924/00
Abstract: 一种散热器，包括多个含碳颗粒，每个基本上与至少一个其它含碳颗粒接触。不含碳材料基本上与多个含碳颗粒结合成复合物块。含碳颗粒是金刚石颗粒。含碳颗粒的量占散热器的至少约体积50％。不含碳材料的量占散热器的至少约5体积％。不含碳材料包括选自如下的元素：Cu、Al和Ag。在另一个方案中，散热器包括多个金刚石颗粒，其中每个金刚石颗粒基本上与至少一个其它金刚石颗粒烧结。
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