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公开(公告)号：CN1427456A
公开(公告)日：2003-07-02
申请号：CN01143895.9
申请日：2001-12-18
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 蒂莫西·J·多尔顿 , 斯蒂芬·E·格雷科 , 杰弗里·C·赫德里克 , 萨泰亚纳雷亚纳·V·尼塔 , 桑佩思·珀鲁肖瑟曼 , 肯尼思·P·罗德贝尔 , 罗伯特·罗森堡
IPC: H01L21/31 , H01L21/768 , H01L21/283
Abstract: 本发明公开了一种在电子结构中形成多孔介电材料层的方法以及所形成的结构。在此方法中，半导体器件中的多孔介电层可以通过以下步骤形成：首先形成无孔介电层，然后局部固化，通过反应离子刻蚀构图，最后在比局部固化温度更高的温度下固化无孔介电层，用以将无孔介电材料转变成多孔介电材料，从而获得具有明显改善的介电常数，即小于2.6的介电材料。无孔介电材料可以通过以下方法形成：将第二相聚合材料埋入诸如甲基倍半硅氧烷、氢倍半硅氧烷、苯并环丁烯或芳香族热固性聚合物的热稳定介电材料内，使得在更高的固化温度，第二相聚合材料充分挥发而留下气孔，形成充满气孔的介电材料。
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公开(公告)号：CN100345277C
公开(公告)日：2007-10-24
申请号：CN200410077157.0
申请日：2004-09-10
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/768
CPC classification number: H01L21/02063 , H01L21/76814
Abstract: 一种制造包括一层多孔或致密低k电介质并具有低通道接触电阻的BEOL互连结构的方法，包括下述步骤：a)在一基片上形成一层多孔或致密的低k电介质层；b)在所述低k电介质中形成单或双镶嵌腐蚀开口；c)把所述基片放进一个处理室内，并放在约-200℃到约25℃温度的冷卡盘上；d)对所述处理室加进一种可凝结的清洗剂(CCA)，以在所述基片上的所述腐蚀开口内凝结一层CCA；以及e)当基片在约-200℃到约25℃的某个温度上仍保持着冷时进行激活步骤。通道接触在热周期和半导体器件工作期间是非常稳定的。
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公开(公告)号：CN1988132A
公开(公告)日：2007-06-27
申请号：CN200610166984.6
申请日：2006-12-13
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 考希克·A·库马尔 , 蒂莫西·J·多尔顿 , 尼古拉斯·C·M·富勒 , 陈行聪 , 海迪·L·贝克斯
IPC: H01L21/768 , H01L21/311
CPC classification number: H01L21/76802 , H01L21/31116 , H01L21/31138 , H01L21/31144 , H01L21/76811
Abstract: 本发明提供一种在有机硅酸盐玻璃层内形成镶嵌互连结构而不损坏有机硅酸盐玻璃材料的方法。所述方法包括在有机硅酸盐玻璃层上形成硬掩模层的叠层，利用等离子体蚀刻和等离子体光致抗蚀剂去除工艺的组合定义硬掩模和有机硅酸盐玻璃层中的开口，并执行不包括含氧物质的一个或多个另外的等离子体蚀刻工艺以将所述开口蚀刻至形成镶嵌互连结构所需的深度以及去除由于等离子体蚀刻和等离子体光致抗蚀剂去除工艺的组合所损坏的任何有机硅酸盐材料。
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公开(公告)号：CN1508869A
公开(公告)日：2004-06-30
申请号：CN03158757.7
申请日：2003-09-24
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 陈行聪 , 蒂莫西·J·多尔顿 , 肯尼思·M·戴维斯 , 胡朝坤 , 芬·F·杰米恩 , 斯蒂芬·K·卡尔多 , 马哈德韦耶·克里什南 , 考希克·库马 , 迈克尔·F·洛法罗 , 桑德拉·G·马洛特拉 , 钱德拉塞卡·纳拉延 , 戴维·L·拉思 , 朱迪思·M·鲁比诺 , 凯瑟琳·L·萨恩格 , 安德鲁·H·西蒙 , 西恩·P·E·史密斯 , 曾伟志
IPC: H01L23/525 , H01L27/04
CPC classification number: H01L21/76849 , H01L21/76834 , H01L21/76847 , H01L21/76883 , H01L23/53238 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种集成电路结构，其具有一层逻辑和功能器件，以及位于逻辑和功能器件层上的互连层。该互连层具有衬底、衬底中的导电部件、以及仅沉积在导电部件上的帽层。
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公开(公告)号：CN1925151A
公开(公告)日：2007-03-07
申请号：CN200610090871.2
申请日：2006-06-26
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 杨启超 , 劳伦斯·A·克莱文杰 , 许履尘 , 尼古拉斯·C·富勒 , 蒂莫西·J·多尔顿
IPC: H01L23/525 , H01L21/768
CPC classification number: H01L23/5252 , H01L21/76843 , H01L21/76844 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种反熔丝结构以及形成这样的反熔丝结构的方法，该反熔丝结构包括作为反熔丝材料的埋设导电例如金属层。根据本发明，发明的反熔丝结构包括互连之间漏电电介质的区域。当两个相邻互连被偏置时这些初始互连之间的电阻开始降低且导致时间相关的电介质击穿、TDDB现象发生。相邻互连之间电阻的降低还能通过增大局部温度而被加速。
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公开(公告)号：CN1236479C
公开(公告)日：2006-01-11
申请号：CN01143895.9
申请日：2001-12-18
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 蒂莫西·J·多尔顿 , 斯蒂芬·E·格雷科 , 杰弗里·C·赫德里克 , 萨泰亚纳雷亚纳·V·尼塔 , 桑佩思·珀鲁肖瑟曼 , 肯尼思·P·罗德贝尔 , 罗伯特·罗森堡
IPC: H01L21/31 , H01L21/768 , H01L21/283
Abstract: 本发明公开了一种在半导体器件上形成多孔介电材料层的方法。在此方法中，半导体器件中的多孔介电层可以通过以下步骤形成：首先形成无孔介电层，然后局部固化，通过反应离子刻蚀构图，最后在比局部固化温度更高的温度下固化无孔介电层，用以将无孔介电材料转变成多孔介电材料，从而获得具有明显改善的介电常数，即小于2.6的介电材料。无孔介电材料可以通过以下方法形成：将第二相聚合材料埋入诸如甲基倍半硅氧烷、氢倍半硅氧烷、苯并环丁烯或芳香族热固性聚合物的热稳定介电材料内，使得在更高的固化温度，第二相聚合材料充分挥发而留下气孔，形成充满气孔的介电材料。
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公开(公告)号：CN1308375A
公开(公告)日：2001-08-15
申请号：CN01103434.3
申请日：2001-02-09
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 斯蒂芬·A·科恩 , 蒂莫西·J·多尔顿 , 约翰·A·费兹西蒙斯 , 斯蒂芬·M·盖兹 , 莱恩·M·基格纳克 , 保罗·C·詹米森 , 康-吾·李 , 辛帕斯·帕鲁舒塔曼 , 达尔·D·利斯坦诺 , 伊万·西蒙尼 , 霍雷肖·S·威尔德曼
IPC: H01L23/52 , H01L21/768 , H01L21/3205
CPC classification number: H01L21/76834 , H01L21/3185 , H01L21/76826 , H01L21/76832 , H01L23/53228 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 提供了一种带扩散阻挡层的半导体器件,该半导体器件包括,至少一个带导电金属元件的半导体衬底;还有加在至少一部分衬底上的一个扩散阻挡层,其接触导电金属元件,该扩散阻挡层有一个上表面、一个下表面和一个中间部分,由硅、碳、氮和氢形成,氮在整个扩散阻挡层中是非均匀分布的。因此,与扩散阻挡层的中间部分相比,氮在层的上表面和下表面附近浓度更大。还提供了制造这种半导体器件的方法。
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公开(公告)号：CN101443903B
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN200780017300.9
申请日：2007-05-16
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L23/00
CPC classification number: H01L25/0657 , H01L21/76895 , H01L23/481 , H01L23/522 , H01L23/5329 , H01L25/50 , H01L27/0688 , H01L2225/06513 , H01L2225/06527 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 半导体结构及该结构的制作方法。该方法包括将背面硅(110A和110B)分别从两个绝缘体上硅晶片(110A和100B)移除并采用掩埋氧化物层(115)将它们背对背结合，该两个绝缘体上硅晶片(110A和100B)分别具有形成在其中的器件(130A和130B)。然后至下晶片(100A)中的器件(130A)的接触(210)形成在上晶片(100B)中，并且布线级(170)形成在上晶片(100B)上。下晶片(100A)可以包括布线级(170)。下晶片(100A)可以包括接触的焊盘垫(230)。至下晶片(100A)的硅层(120)的接触可以被硅化。
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公开(公告)号：CN100530591C
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200610166984.6
申请日：2006-12-13
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 考希克·A·库马尔 , 蒂莫西·J·多尔顿 , 尼古拉斯·C·M·富勒 , 陈行聪 , 海迪·L·贝克斯
IPC: H01L21/768 , H01L21/311
CPC classification number: H01L21/76802 , H01L21/31116 , H01L21/31138 , H01L21/31144 , H01L21/76811
Abstract: 本发明提供一种在有机硅酸盐玻璃层内形成镶嵌互连结构而不损坏有机硅酸盐玻璃材料的方法。所述方法包括在有机硅酸盐玻璃层上形成硬掩模层的叠层，利用等离子体蚀刻和等离子体光致抗蚀剂去除工艺的组合定义硬掩模和有机硅酸盐玻璃层中的开口，并执行不包括含氧物质的一个或多个另外的等离子体蚀刻工艺以将所述开口蚀刻至形成镶嵌互连结构所需的深度以及去除由于等离子体蚀刻和等离子体光致抗蚀剂去除工艺的组合所损坏的任何有机硅酸盐材料。
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公开(公告)号：CN101443903A
公开(公告)日：2009-05-27
申请号：CN200780017300.9
申请日：2007-05-16
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L23/00
CPC classification number: H01L25/0657 , H01L21/76895 , H01L23/481 , H01L23/522 , H01L23/5329 , H01L25/50 , H01L27/0688 , H01L2225/06513 , H01L2225/06527 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 半导体结构及该结构的制作方法。该方法包括将背面硅(110A和110B)分别从两个绝缘体上硅晶片(110A和100B)移除并采用掩埋氧化物层(115)将它们背对背结合，该两个绝缘体上硅晶片(110A和100B)分别具有形成在其中的器件(130A和130B)。然后至下晶片(100A)中的器件(130A)的接触(210)形成在上晶片(100B)中，并且布线级(170)形成在上晶片(100B)上。下晶片(100A)可以包括布线级(170)。下晶片(100A)可以包括接触的焊盘垫(230)。至下晶片(100A)的硅层(120)的接触可以被硅化。
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