公开(公告)号：CN1508869A

公开(公告)日：2004-06-30

申请号：CN03158757.7

申请日：2003-09-24

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 陈行聪 ,  蒂莫西·J·多尔顿 ,  肯尼思·M·戴维斯 ,  胡朝坤 ,  芬·F·杰米恩 ,  斯蒂芬·K·卡尔多 ,  马哈德韦耶·克里什南 ,  考希克·库马 ,  迈克尔·F·洛法罗 ,  桑德拉·G·马洛特拉 ,  钱德拉塞卡·纳拉延 ,  戴维·L·拉思 ,  朱迪思·M·鲁比诺 ,  凯瑟琳·L·萨恩格 ,  安德鲁·H·西蒙 ,  西恩·P·E·史密斯 ,  曾伟志

IPC: H01L23/525 ,  H01L27/04

CPC classification number: H01L21/76849 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76847 ,  H01L21/76883 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种集成电路结构，其具有一层逻辑和功能器件，以及位于逻辑和功能器件层上的互连层。该互连层具有衬底、衬底中的导电部件、以及仅沉积在导电部件上的帽层。

公开(公告)号：CN100428430C

公开(公告)日：2008-10-22

申请号：CN03158757.7

申请日：2003-09-24

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 陈行聪 ,  蒂莫西·J·多尔顿 ,  肯尼思·M·戴维斯 ,  胡朝坤 ,  芬·F·杰米恩 ,  斯蒂芬·K·卡尔多 ,  马哈德韦耶·克里什南 ,  考希克·库马 ,  迈克尔·F·洛法罗 ,  桑德拉·G·马洛特拉 ,  钱德拉塞卡·纳拉延 ,  戴维·L·拉思 ,  朱迪思·M·鲁比诺 ,  凯瑟琳·L·萨恩格 ,  安德鲁·H·西蒙 ,  西恩·P·E·史密斯 ,  曾伟志

IPC: H01L21/44 ,  H01L21/441 ,  H01L23/522 ,  H01L23/525 ,  H01L27/04

CPC classification number: H01L21/76849 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76847 ,  H01L21/76883 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种集成电路结构，其具有一层逻辑和功能器件，以及位于逻辑和功能器件层上的互连层。该互连层具有衬底、衬底中的导电部件、以及仅沉积在导电部件上的帽层。

公开(公告)号：CN1271703C

公开(公告)日：2006-08-23

申请号：CN200310123728.5

申请日：2003-12-23

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 阿尼尔·K·钦萨金迪 ,  郑淑珍 ,  迈克尔·F·洛法罗 ,  克里斯托弗·M·施纳贝尔 ,  肯尼思·J·斯坦

IPC: H01L21/70 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01C7/00 ,  H01G4/33

CPC classification number: H01L28/20 ,  H01L23/5223 ,  H01L27/0802 ,  H01L27/0805 ,  H01L28/40 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S438/97 ,  Y10T29/49082 ,  Y10T29/49155 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种在同一层次内制造MIMCAP和薄膜电阻器的方法，该MIMCAP为由顺序的金属、绝缘体、金属(MIM)层形成的电容器(CAP)。本发明该公开了一种在同一层次内制造MIMCAP和薄膜电阻器的方法，以及一种用于BEOL(后段工艺)薄膜电阻器的新颖集成设计，其使得电阻器更加靠近FEOL(前段工艺)器件。

公开(公告)号：CN1518088A

公开(公告)日：2004-08-04

申请号：CN200310123728.5

申请日：2003-12-23

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 阿尼尔·K·钦萨金迪 ,  郑淑珍 ,  迈克尔·F·洛法罗 ,  克里斯托弗·M·施纳贝尔 ,  肯尼思·J·斯坦

IPC: H01L21/70 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01C7/00 ,  H01G4/33

CPC classification number: H01L28/20 ,  H01L23/5223 ,  H01L27/0802 ,  H01L27/0805 ,  H01L28/40 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S438/97 ,  Y10T29/49082 ,  Y10T29/49155 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种在同一层次内制造MIMCAP和薄膜电阻器的方法，该MIMCAP为由顺序的金属、绝缘体、金属(MIM)层形成的电容器(CAP)。本发明该公开了一种在同一层次内制造MIMCAP和薄膜电阻器的方法，以及一种用于BEOL(后段工艺)薄膜电阻器的新颖集成设计，其使得电阻器更加靠近FEOL(前段工艺)器件。