公开(公告)号：CN1925151A

公开(公告)日：2007-03-07

申请号：CN200610090871.2

申请日：2006-06-26

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 杨启超 ,  劳伦斯·A·克莱文杰 ,  许履尘 ,  尼古拉斯·C·富勒 ,  蒂莫西·J·多尔顿

IPC: H01L23/525 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/5252 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76844 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种反熔丝结构以及形成这样的反熔丝结构的方法，该反熔丝结构包括作为反熔丝材料的埋设导电例如金属层。根据本发明，发明的反熔丝结构包括互连之间漏电电介质的区域。当两个相邻互连被偏置时这些初始互连之间的电阻开始降低且导致时间相关的电介质击穿、TDDB现象发生。相邻互连之间电阻的降低还能通过增大局部温度而被加速。

公开(公告)号：CN100524726C

公开(公告)日：2009-08-05

申请号：CN200610090871.2

申请日：2006-06-26

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 杨启超 ,  劳伦斯·A·克莱文杰 ,  许履尘 ,  尼古拉斯·C·富勒 ,  蒂莫西·J·多尔顿

IPC: H01L23/525 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/5252 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76844 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种反熔丝结构以及形成这样的反熔丝结构的方法，该反熔丝结构包括作为反熔丝材料的埋设导电例如金属层。根据本发明，发明的反熔丝结构包括互连之间漏电电介质的区域。当两个相邻互连被偏置时这些初始互连之间的电阻开始降低且导致时间相关的电介质击穿、TDDB现象发生。相邻互连之间电阻的降低还能通过增大局部温度而被加速。