公开(公告)号：CN1508869A

公开(公告)日：2004-06-30

申请号：CN03158757.7

申请日：2003-09-24

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 陈行聪 ,  蒂莫西·J·多尔顿 ,  肯尼思·M·戴维斯 ,  胡朝坤 ,  芬·F·杰米恩 ,  斯蒂芬·K·卡尔多 ,  马哈德韦耶·克里什南 ,  考希克·库马 ,  迈克尔·F·洛法罗 ,  桑德拉·G·马洛特拉 ,  钱德拉塞卡·纳拉延 ,  戴维·L·拉思 ,  朱迪思·M·鲁比诺 ,  凯瑟琳·L·萨恩格 ,  安德鲁·H·西蒙 ,  西恩·P·E·史密斯 ,  曾伟志

IPC: H01L23/525 ,  H01L27/04

CPC classification number: H01L21/76849 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76847 ,  H01L21/76883 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种集成电路结构，其具有一层逻辑和功能器件，以及位于逻辑和功能器件层上的互连层。该互连层具有衬底、衬底中的导电部件、以及仅沉积在导电部件上的帽层。

公开(公告)号：CN1507044A

公开(公告)日：2004-06-23

申请号：CN200310102425.5

申请日：2003-10-20

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 蒂莫西·J·达尔顿 ,  桑吉特·K·达斯 ,  布雷特·H·恩格尔 ,  布赖恩·W·赫布斯特 ,  哈比卜·希克里 ,  伯恩德·E·卡斯滕迈耶 ,  凯利·马隆 ,  杰弗里·R·马里诺 ,  阿瑟·马丁 ,  文森特·J·麦加海 ,  伊恩·D·梅尔维尔 ,  钱德拉塞卡·纳拉延 ,  凯文·S·佩特拉卡 ,  理查德·P·沃兰特

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76808 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76831 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种用于半导体器件的互连结构，该互连结构包括在下金属化层面上形成的有机低介电常数(低k)介电层。在该低k介电层中形成通孔，该通孔将在下金属化层面中形成的下金属化线与上金属化层面中形成的上金属化线连接起来。该通孔由结构环环绕，所述结构环选自其热膨胀系数(CTE)能保护通孔不被低k介电层热膨胀之后的剪切力损坏的材料。

公开(公告)号：CN100428430C

公开(公告)日：2008-10-22

申请号：CN03158757.7

申请日：2003-09-24

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 陈行聪 ,  蒂莫西·J·多尔顿 ,  肯尼思·M·戴维斯 ,  胡朝坤 ,  芬·F·杰米恩 ,  斯蒂芬·K·卡尔多 ,  马哈德韦耶·克里什南 ,  考希克·库马 ,  迈克尔·F·洛法罗 ,  桑德拉·G·马洛特拉 ,  钱德拉塞卡·纳拉延 ,  戴维·L·拉思 ,  朱迪思·M·鲁比诺 ,  凯瑟琳·L·萨恩格 ,  安德鲁·H·西蒙 ,  西恩·P·E·史密斯 ,  曾伟志

IPC: H01L21/44 ,  H01L21/441 ,  H01L23/522 ,  H01L23/525 ,  H01L27/04

CPC classification number: H01L21/76849 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76847 ,  H01L21/76883 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种集成电路结构，其具有一层逻辑和功能器件，以及位于逻辑和功能器件层上的互连层。该互连层具有衬底、衬底中的导电部件、以及仅沉积在导电部件上的帽层。

公开(公告)号：CN1297001C

公开(公告)日：2007-01-24

申请号：CN200310102425.5

申请日：2003-10-20

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 蒂莫西·J·达尔顿 ,  桑吉特·K·达斯 ,  布雷特·H·恩格尔 ,  布赖恩·W·赫布斯特 ,  哈比卜·希克里 ,  伯恩德·E·卡斯滕迈耶 ,  凯利·马隆 ,  杰弗里·R·马里诺 ,  阿瑟·马丁 ,  文森特·J·麦加海 ,  伊恩·D·梅尔维尔 ,  钱德拉塞卡·纳拉延 ,  凯文·S·佩特拉卡 ,  理查德·P·沃兰特

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76808 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76831 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种用于半导体器件的互连结构，该互连结构包括在下金属化层上形成的有机低介电常数(低k)介电层。在该低k介电层中形成通孔，该通孔将在下金属化层中形成的下金属化线与上金属化层中形成的上金属化线连接起来。该通孔由结构环环绕，所述结构环选自其热膨胀系数(CTE)能保护通孔不被低k介电层热膨胀之后的剪切力损坏的材料。