公开(公告)号：CN1503345A

公开(公告)日：2004-06-09

申请号：CN200310103454.3

申请日：2003-11-03

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 徐顺天 ,  曾伟志 ,  D·D·雷斯塔伊诺 ,  J·E·弗吕格尔 ,  R·O·亨利 ,  J·M·科特 ,  M·克里希南 ,  H·德利吉安尼 ,  P·M·韦雷肯 ,  S·E·格雷科

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L21/7684 ,  C25D5/18 ,  C25D7/123 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/32115 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/76879

Abstract: 本发明提供了一种在不使用化学机械抛光的情况下形成平坦的Cu互连的方法，即：控制铜互连结构的形状的方法，该方法具有以下步骤：使用第一镀覆方法在一镀液中以第一镀覆时间在铜籽晶层上镀覆具有预定最终形状的铜互连结构，其中第一镀覆时间小于镀覆全部最终形状所必需的总时间；以及在铜镀液中以第二时间段电处理镀覆的铜互连结构，第二时间段至少足够形成预定最终形状。

公开(公告)号：CN1508869A

公开(公告)日：2004-06-30

申请号：CN03158757.7

申请日：2003-09-24

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 陈行聪 ,  蒂莫西·J·多尔顿 ,  肯尼思·M·戴维斯 ,  胡朝坤 ,  芬·F·杰米恩 ,  斯蒂芬·K·卡尔多 ,  马哈德韦耶·克里什南 ,  考希克·库马 ,  迈克尔·F·洛法罗 ,  桑德拉·G·马洛特拉 ,  钱德拉塞卡·纳拉延 ,  戴维·L·拉思 ,  朱迪思·M·鲁比诺 ,  凯瑟琳·L·萨恩格 ,  安德鲁·H·西蒙 ,  西恩·P·E·史密斯 ,  曾伟志

IPC: H01L23/525 ,  H01L27/04

CPC classification number: H01L21/76849 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76847 ,  H01L21/76883 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种集成电路结构，其具有一层逻辑和功能器件，以及位于逻辑和功能器件层上的互连层。该互连层具有衬底、衬底中的导电部件、以及仅沉积在导电部件上的帽层。

公开(公告)号：CN1577830A

公开(公告)日：2005-02-09

申请号：CN200410054921.2

申请日：2004-07-21

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 李·M·尼科尔森 ,  曾伟志 ,  克里斯蒂·泰博格

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/31 ,  H01L21/312 ,  H01L21/4763 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/5329 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/7688 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/31663 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种衬底上的电互连结构，包括：第一低k电介质层；旋涂低k CMP保护层，该保护层与第一低k电介质层以共价键相结合；以及提供CVD沉积的硬掩模/CMP抛光停止层。在第一低k电介质层中可以制作电通路和衬里。旋涂的低k CMP保护层防止对低k电介质的破坏，这种破坏可能从中心到边缘或者在金属密度变化的区域内由于CMP处理过程中的不均匀而造成。低k CMP保护层的厚度可以在不显著地影响这种结构有效介电常数的情况下调节以适应CMP处理中的较大变化。

公开(公告)号：CN1792552A

公开(公告)日：2006-06-28

申请号：CN200510124680.9

申请日：2005-11-14

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 欧格内·J·奥苏利文 ,  绍姆·S·伯诺斯 ,  曾伟志

IPC: B24B37/04 ,  H01L21/304

CPC classification number: B24B37/013

Abstract: 本申请设计识别工件参数变化的系统和方法。具体地，公开了一种信号处理系统，对检测到的在化学机械抛光(CMP)过程中产生的机械、化学、光学、电学或者热信号进行收集、分析并相对于现场时间进行微分，以揭示CMP期间的不同阶段，以进行工艺控制和确定结束点。这种控制和/或结束点确定方案可以用来检测具有类似的特性的两个材料层之间的界面，比如用于半导体的低k电介质叠层的界面。

公开(公告)号：CN100428430C

公开(公告)日：2008-10-22

申请号：CN03158757.7

申请日：2003-09-24

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 陈行聪 ,  蒂莫西·J·多尔顿 ,  肯尼思·M·戴维斯 ,  胡朝坤 ,  芬·F·杰米恩 ,  斯蒂芬·K·卡尔多 ,  马哈德韦耶·克里什南 ,  考希克·库马 ,  迈克尔·F·洛法罗 ,  桑德拉·G·马洛特拉 ,  钱德拉塞卡·纳拉延 ,  戴维·L·拉思 ,  朱迪思·M·鲁比诺 ,  凯瑟琳·L·萨恩格 ,  安德鲁·H·西蒙 ,  西恩·P·E·史密斯 ,  曾伟志

IPC: H01L21/44 ,  H01L21/441 ,  H01L23/522 ,  H01L23/525 ,  H01L27/04

CPC classification number: H01L21/76849 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76847 ,  H01L21/76883 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种集成电路结构，其具有一层逻辑和功能器件，以及位于逻辑和功能器件层上的互连层。该互连层具有衬底、衬底中的导电部件、以及仅沉积在导电部件上的帽层。

公开(公告)号：CN1309074C

公开(公告)日：2007-04-04

申请号：CN200410054921.2

申请日：2004-07-21

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 李·M·尼科尔森 ,  曾伟志 ,  克里斯蒂·泰博格

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/31 ,  H01L21/312 ,  H01L21/4763 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/5329 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/7688 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/31663 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种衬底上的电互连结构，包括：第一低k电介质层；旋涂低k CMP保护层，该保护层与第一低k电介质层以共价键相结合；以及提供CVD沉积的硬掩模/CMP抛光停止层。在第一低k电介质层中可以制作电通路和衬里。旋涂的低k CMP保护层防止对低k电介质的破坏，这种破坏可能从中心到边缘或者在金属密度变化的区域内由于CMP处理过程中的不均匀而造成。低k CMP保护层的厚度可以在不显著地影响这种结构有效介电常数的情况下调节以适应CMP处理中的较大变化。

公开(公告)号：CN1292471C

公开(公告)日：2006-12-27

申请号：CN200310103454.3

申请日：2003-11-03

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 徐顺天 ,  曾伟志 ,  D·D·雷斯塔伊诺 ,  J·E·弗吕格尔 ,  R·O·亨利 ,  J·M·科特 ,  M·克里希南 ,  H·德利吉安尼 ,  P·M·韦雷肯 ,  S·E·格雷科

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L21/7684 ,  C25D5/18 ,  C25D7/123 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/32115 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/76879

Abstract: 本发明提供了一种在不使用化学机械抛光的情况下形成平坦的Cu互连的方法，即：控制铜互连结构的形状的方法，该方法具有以下步骤：使用第一镀覆方法在一镀液中以第一镀覆时间在铜籽晶层上镀覆具有预定最终形状的铜互连结构，其中第一镀覆时间小于镀覆全部最终形状所必需的总时间；以及在铜镀液中以第二时间段电处理镀覆的铜互连结构，第二时间段至少足够形成预定最终形状。