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公开(公告)号：CN100461438C
公开(公告)日：2009-02-11
申请号：CN200610071945.8
申请日：2006-04-03
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 安德烈斯·布赖恩特 , 杰弗里·P·甘比诺 , 约翰·埃利斯-莫纳汉 , 理查德·A·费尔普斯 , 马克·D·贾菲 , 杰罗姆·B·拉斯基 , 詹姆斯·W·阿基森
IPC: H01L27/146 , H01L21/8234
CPC classification number: H01L27/14689 , H01L27/14603 , H01L27/14609 , H01L31/0352
Abstract: 本发明公开了一种像素传感度单元结构及其制造方法。像素单元包括与传输栅极结构的第一侧相邻形成的掺杂层，用于耦合收集阱区和沟道区。减小了由钉扎层导致的对于电荷传输的势垒干扰。
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公开(公告)号：CN1801486A
公开(公告)日：2006-07-12
申请号：CN200510124766.1
申请日：2005-11-15
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 杰弗里·P·甘比诺 , 马克·D·贾菲 , 理查德·J·拉塞尔 , 詹姆斯·W·阿基森 , 埃蒙德·J·斯普罗吉斯
IPC: H01L23/488 , H01L21/60
CPC classification number: H01L24/02 , H01L23/3114 , H01L23/481 , H01L2224/0401 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01024 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01072 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01076 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2924/3011 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种实现与集成电路或电子封装的直通晶片连接的焊接垫及其制造方法。所述焊接垫包括大表面积的铝焊接垫，以实现焊接垫与电引线之间高可靠、低电阻的连接。
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公开(公告)号：CN1148791C
公开(公告)日：2004-05-05
申请号：CN00120498.X
申请日：2000-07-12
IPC: H01L21/336 , H01L21/265 , H01L29/786 , H01L21/82
CPC classification number: H01L21/76897 , H01L21/76895 , H01L21/823807 , H01L29/66492 , H01L29/66537 , H01L29/66583
Abstract: 修正半导体器件的工艺规则来提供双功函数掺杂，降低了热预算和硼渗透，缓解了对可高度回流介电材料的要求，方便了源-漏(S-D)和卤素注入剂的使用。在提供低的S-D结电容和漏电以及抗热载流子效应的情况下，还提供了能够抑制短沟道效应的横向掺杂分布的结构和工艺。能够制作无边界接触，可降低接触柱到栅导体的电容。能够与栅导体掺杂无关地对S-D结进行掺杂，更容易获得各种各样的MOSFET结构。
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公开(公告)号：CN103828025B
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201280044767.3
申请日：2012-07-18
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 小西里尔·卡布拉尔 , 野上武史 , 杰弗里·P·甘比诺 , 黄强 , 肯尼思·P·罗德贝尔
IPC: H01L21/28
CPC classification number: H01L21/7684 , H01L21/2885 , H01L21/76841 , H01L21/76873 , H01L21/76877 , H01L21/76883 , H01L23/53233 , H01L23/53238 , H01L23/535 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本申请公开了金属互连结构及制造该金属互连结构的方法。在铜（Cu）互连结构中加入锰Mn），以修改微结构从而实现90纳米以下的技术中的竹节状晶界。优选地，竹节状晶粒以小于“布雷希”长度的距离隔开，使得避免铜（Cu）扩散通过晶界。所添加的Mn也导致Cu晶粒向下生长至金属线的底表面，使得形成到达底表面的真实竹节状微结构，并消除沿金属线的长度定向的晶界的Cu扩散。
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公开(公告)号：CN103843121A
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201280045981.0
申请日：2012-09-11
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/4763
CPC classification number: H01L21/76802 , H01L21/7682 , H01L23/5222 , H01L23/53295 , H01L23/562 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本申请涉及用于减小垂直裂纹传播的结构与方法。一种设备包括绝缘体和在绝缘体上的各层。这些层中每一层都包括第一金属导体和位于所述第一金属导体附近的第二金属导体。第一金属导体包括第一垂直堆叠结构，以及第二金属导体包括第二垂直堆叠结构。至少一个空气间隙位于第一垂直堆叠的结构和第二垂直堆叠的结构之间。所述间隙可包括金属填充物。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101770962A
公开(公告)日：2010-07-07
申请号：CN200910212033.1
申请日：2009-11-06
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 蒂莫西·H·道本斯匹克 , 杰弗里·P·甘比诺 , 克里斯托弗·D·玛兹 , 沃尔夫冈·索特 , T·D·萨利文
IPC: H01L21/60 , H01L21/50 , H01L23/485
CPC classification number: H01L24/05 , H01L23/3192 , H01L24/03 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2224/03452 , H01L2224/0401 , H01L2224/05017 , H01L2224/05019 , H01L2224/05027 , H01L2224/05088 , H01L2224/05096 , H01L2224/05098 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05166 , H01L2224/05181 , H01L2224/05187 , H01L2224/05564 , H01L2224/05568 , H01L2224/05647 , H01L2224/05671 , H01L2224/13006 , H01L2224/13023 , H01L2224/13111 , H01L2224/16238 , H01L2924/00013 , H01L2924/0002 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01022 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01093 , H01L2924/01327 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/14 , H01L2924/30105 , H01L2924/01028 , H01L2924/00014 , H01L2224/13099 , H01L2224/05099 , H01L2224/13599 , H01L2224/05599 , H01L2224/29099 , H01L2224/29599 , H01L2224/05552
Abstract: 本发明提供具有改进的焊接凸块连接的结构以及制备此类结构的方法。方法包括在电介质层中形成上布线层以及在该上布线层之上沉积一个或更多个电介质层。该方法还包括在一个或更多个电介质层中形成多个延伸到上布线层的离散沟槽。该方法还包括将球限冶金层或凸块下冶金层沉积于多个离散沟槽中以形成与上布线层接触的离散金属岛状体。焊料凸块被形成为与多个离散的金属岛状体电连接。
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公开(公告)号：CN100568507C
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200480028257.2
申请日：2004-09-30
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 道格拉斯·D·库尔鲍 , 埃比尼泽·E·埃施安 , 杰弗里·P·甘比诺 , 何忠祥 , 维德亚·拉马钱德兰
IPC: H01L27/108 , H01L29/76 , H01L29/94 , H01L31/119
CPC classification number: H01L21/7687 , H01L23/5223 , H01L23/53238 , H01L28/75 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种用于MIM电容器的方法和结构，所述结构包括：电子器件，其包括：在半导体衬底上形成的层间介电层；在层间介电层中形成的铜底部电极，所述底部电极的上表面与所述层间介电层的上表面共面；直接与所述底部电极的上表面接触的导电扩散阻挡层；直接与导电扩散阻挡层的上表面接触的MIM电介质；以及直接与MIM电介质的上表面接触的顶部电极。所述导电扩散阻挡层可以凹进所述铜底部电极中，或者可以提供附加的凹陷导电扩散阻挡层。还公开了相容电阻器和对齐标志结构。
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公开(公告)号：CN101183671A
公开(公告)日：2008-05-21
申请号：CN200710165797.0
申请日：2007-11-09
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L23/522 , H01L27/146 , H01L21/82 , H01L21/768
CPC classification number: H01L27/14636 , H01L27/14603 , H01L27/14621 , H01L27/14623 , H01L27/14627 , H01L27/14632 , H01L27/14645 , H01L27/14687
Abstract: 本发明公开了一种互连布图，一种包括该互连布图的图像传感器和制造该图像传感器的方法，该图像传感器分别使用在有效像素区内的第一电有效物理互连布图图案和在暗像素区内的第二电有效物理互连布图图案，第二电有效物理互连布图图案在空间上与所述第一电有效物理互连布图图案不同。所述第二电有效物理互连图案包括至少一夹置于光屏蔽层和在其下对准的光传感器区之间的电有效互连层，因而通常提供较高的布线密度。在所述第二布局图案内较高的布线密度提供了可以用提高的制造效率和减少的金属化层来制造图像传感器。
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公开(公告)号：CN1150609C
公开(公告)日：2004-05-19
申请号：CN00120190.5
申请日：2000-07-20
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/70
CPC classification number: H01L21/823443 , H01L21/82345 , H01L21/823462
Abstract: 制作半导体器件的方法包含：制作具有存储器阵列区和逻辑器件区的衬底；在衬底上生长厚的栅介质；在存储器阵列区的厚的栅介质上制作包括第一多晶硅层的栅叠层；在逻辑器件区上的衬底上制作薄的栅介质；在逻辑器件区中制作栅叠层的第二多晶硅层以产生得到的结构，其中第二多晶硅层的厚度至少与存储器阵列区中的栅叠层一样厚；用化学机械抛光(CMP)整平此结构；以及对所述存储器阵列区和逻辑器件区中的栅叠层进行图形化。
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公开(公告)号：CN103843121B
公开(公告)日：2016-11-02
申请号：CN201280045981.0
申请日：2012-09-11
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/4763
CPC classification number: H01L21/76802 , H01L21/7682 , H01L23/5222 , H01L23/53295 , H01L23/562 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本申请涉及用于减小垂直裂纹传播的结构与方法。一种设备包括绝缘体和在绝缘体上的各层。这些层中每一层都包括第一金属导体和位于所述第一金属导体附近的第二金属导体。第一金属导体包括第一垂直堆叠结构，以及第二金属导体包括第二垂直堆叠结构。至少一个空气间隙位于第一垂直堆叠的结构和第二垂直堆叠的结构之间。所述间隙可包括金属填充物。
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