公开(公告)号：CN101438399A

公开(公告)日：2009-05-20

申请号：CN200780016238.1

申请日：2007-04-30

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 斯蒂芬·W·比德尔 ,  乔尔·P·德索扎 ,  任志斌 ,  亚历山大·雷兹尼塞克 ,  德文德拉·K·萨达纳 ,  凯瑟琳·L·萨恩格 ,  格瓦姆·沙希迪

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/26513 ,  H01L21/2658 ,  H01L21/324 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78684 ,  Y10S438/909 ,  Y10S438/943

Abstract: 本发明教导了这样的方法，将离子注入步骤与原位或移位热处理结合以避免和/或最小化注入诱导的非晶化(超薄绝缘体上硅层中的FET中的源极区/漏极区的潜在问题)以及注入诱导的应变源极区/漏极区的塑性松弛(通过与位于其下的衬底层不匹配的嵌入的源极区/漏极区晶格提供沟道应变的应变沟道FET的潜在问题)。在第一个实施例中，通过在高温下实施离子注入而使离子注入与原位热处理相结合。在第二个实施例中，在避免了对能够实施热注入的装置的需要的DDAB方案中，离子注入与移位热处理相结合。

公开(公告)号：CN1508869A

公开(公告)日：2004-06-30

申请号：CN03158757.7

申请日：2003-09-24

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 陈行聪 ,  蒂莫西·J·多尔顿 ,  肯尼思·M·戴维斯 ,  胡朝坤 ,  芬·F·杰米恩 ,  斯蒂芬·K·卡尔多 ,  马哈德韦耶·克里什南 ,  考希克·库马 ,  迈克尔·F·洛法罗 ,  桑德拉·G·马洛特拉 ,  钱德拉塞卡·纳拉延 ,  戴维·L·拉思 ,  朱迪思·M·鲁比诺 ,  凯瑟琳·L·萨恩格 ,  安德鲁·H·西蒙 ,  西恩·P·E·史密斯 ,  曾伟志

IPC: H01L23/525 ,  H01L27/04

CPC classification number: H01L21/76849 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76847 ,  H01L21/76883 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种集成电路结构，其具有一层逻辑和功能器件，以及位于逻辑和功能器件层上的互连层。该互连层具有衬底、衬底中的导电部件、以及仅沉积在导电部件上的帽层。

公开(公告)号：CN1650383A

公开(公告)日：2005-08-03

申请号：CN02829517.X

申请日：2002-08-26

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 克里斯托弗·V·扬斯 ,  珍妮弗·L·伦德 ,  凯瑟琳·L·萨恩格 ,  理查德·P·沃兰特

IPC: H01H57/00 ,  G02B26/00

CPC classification number: H01H59/0009 ,  H01H2057/006

Abstract: 一种设置有可弯曲隔膜(60)的微机电(MEM)RF开关，该隔膜促动开关触点或柱塞(40)。隔膜结合有叉指型金属电极(70)，所述电极在被DC电场促动时于隔膜中引起应力梯度。该应力梯度引起隔膜(60)的可预测弯曲或位移，并用于机械地移位开关触点(30)。位于空腔(250)内的RF间隙区域(25)与叉指型金属电极(70)之间的间隙(71)完全分离。隔膜在两个相反的方向上被静电移位，从而帮助促动和释放开关。所述微机电开关包括：空腔(250)；与作为空腔的边界的第一表面整合的至少一个导电路径(20)；与作为空腔(250)的边界的第一表面平行的柔性隔膜(60)，柔性隔膜(60)具有多个促动电极(70)；以及在离开所述促动电极(70)的方向上附着到柔性隔膜(60)上的柱塞(40)，柱塞(40)具有与导电路径电接触的导电表面，打开和闭合该开关。

公开(公告)号：CN1317727C

公开(公告)日：2007-05-23

申请号：CN02829517.X

申请日：2002-08-26

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 克里斯托弗·V·扬斯 ,  珍妮弗·L·伦德 ,  凯瑟琳·L·萨恩格 ,  理查德·P·沃兰特

IPC: H01H57/00 ,  G02B26/00

CPC classification number: H01H59/0009 ,  H01H2057/006

Abstract: 一种设置有可弯曲隔膜(60)的微机电(MEM)RF开关，该隔膜促动开关触点或柱塞(40)。隔膜结合有叉指型金属电极(70)，所述电极在被DC电场促动时于隔膜中引起应力梯度。该应力梯度引起隔膜(60)的可预测弯曲或位移，并用于机械地移位开关触点(30)。位于空腔(250)内的RF间隙区域(25)与叉指型金属电极(70)之间的间隙(71)完全分离。隔膜在两个相反的方向上被静电移位，从而帮助促动和释放开关。所述微机电开关包括：空腔(250)；与作为空腔的边界的第一表面整合的至少一个导电路径(20)；与作为空腔(250)的边界的第一表面平行的柔性隔膜(60)，柔性隔膜(60)具有多个促动电极(70)；以及在离开所述促动电极(70)的方向上附着到柔性隔膜(60)上的柱塞(40)，柱塞(40)具有与导电路径电接触的导电表面，打开和闭合该开关。

公开(公告)号：CN101438399B

公开(公告)日：2012-04-18

申请号：CN200780016238.1

申请日：2007-04-30

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 斯蒂芬·W·比德尔 ,  乔尔·P·德索扎 ,  任志斌 ,  亚历山大·雷兹尼塞克 ,  德文德拉·K·萨达纳 ,  凯瑟琳·L·萨恩格 ,  格瓦姆·沙希迪

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/26513 ,  H01L21/2658 ,  H01L21/324 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78684 ,  Y10S438/909 ,  Y10S438/943

Abstract: 本发明教导了这样的方法，将离子注入步骤与原位或移位热处理结合以避免和/或最小化注入诱导的非晶化(超薄绝缘体上硅层中的FET中的源极区/漏极区的潜在问题)以及注入诱导的应变源极区/漏极区的塑性松弛(通过与位于其下的衬底层不匹配的嵌入的源极区/漏极区晶格提供沟道应变的应变沟道FET的潜在问题)。在第一个实施例中，通过在高温下实施离子注入而使离子注入与原位热处理相结合。在第二个实施例中，在避免了对能够实施热注入的装置的需要的DDAB方案中，离子注入与移位热处理相结合。

公开(公告)号：CN100428430C

公开(公告)日：2008-10-22

申请号：CN03158757.7

申请日：2003-09-24

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 陈行聪 ,  蒂莫西·J·多尔顿 ,  肯尼思·M·戴维斯 ,  胡朝坤 ,  芬·F·杰米恩 ,  斯蒂芬·K·卡尔多 ,  马哈德韦耶·克里什南 ,  考希克·库马 ,  迈克尔·F·洛法罗 ,  桑德拉·G·马洛特拉 ,  钱德拉塞卡·纳拉延 ,  戴维·L·拉思 ,  朱迪思·M·鲁比诺 ,  凯瑟琳·L·萨恩格 ,  安德鲁·H·西蒙 ,  西恩·P·E·史密斯 ,  曾伟志

IPC: H01L21/44 ,  H01L21/441 ,  H01L23/522 ,  H01L23/525 ,  H01L27/04

CPC classification number: H01L21/76849 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76847 ,  H01L21/76883 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种集成电路结构，其具有一层逻辑和功能器件，以及位于逻辑和功能器件层上的互连层。该互连层具有衬底、衬底中的导电部件、以及仅沉积在导电部件上的帽层。