公开(公告)号：CN1501471A

公开(公告)日：2004-06-02

申请号：CN200310102969.1

申请日：2003-10-31

Applicant: 国际商业机器公司 ,  联华电子公司

Inventor： 拉里·克莱文格 ,  斯坦利·J·克莱佩斯 ,  陆晓玲 ,  杰弗里·R·马里诺 ,  安德鲁H·西蒙 ,  王允愈 ,  黄洸汉 ,  杨启超

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种互连结构及其形成方法。在铜后端集成电路技术中，采用低k有机物基层间电介质的先进技术存在碳污染的问题，该问题在采用氧化物作为电介质的电路中不会出现。用于铜线的复合衬垫层使用Ti作为底层，其具有吸收碳和其它污染物的性能。通过增加隔离Ti和铜的TiN层，避免了Ti与铜反应形成高电阻化合物的公知问题。

公开(公告)号：CN1925151A

公开(公告)日：2007-03-07

申请号：CN200610090871.2

申请日：2006-06-26

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 杨启超 ,  劳伦斯·A·克莱文杰 ,  许履尘 ,  尼古拉斯·C·富勒 ,  蒂莫西·J·多尔顿

IPC: H01L23/525 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/5252 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76844 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种反熔丝结构以及形成这样的反熔丝结构的方法，该反熔丝结构包括作为反熔丝材料的埋设导电例如金属层。根据本发明，发明的反熔丝结构包括互连之间漏电电介质的区域。当两个相邻互连被偏置时这些初始互连之间的电阻开始降低且导致时间相关的电介质击穿、TDDB现象发生。相邻互连之间电阻的降低还能通过增大局部温度而被加速。

公开(公告)号：CN101188223B

公开(公告)日：2010-12-15

申请号：CN200710186781.8

申请日：2007-11-16

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 威廉·R·汤蒂 ,  杰克·A·曼德尔曼 ,  杨启超 ,  许履尘

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76834 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76883 ,  H01L21/76885

Abstract: 本发明提供一种互连结构，包括与至少相邻的绝缘层以及嵌入在该绝缘层内的导电部件上的至少一盖层非平面的衬层。该互连结构包括具有顶表面以及顶表面和衬底之间的底表面的电介质材料的绝缘层。诸如沟槽的开口具有从绝缘层的顶表面朝着底表面延伸的侧壁并至少部分地由导电部件填充。盖层至少设置在导电部件的顶表面上。导电衬层至少沿着开口的侧壁设置在绝缘层和导电部件之间。导电衬层具有突出在与开口的侧壁相邻的绝缘层的顶表面之上的侧壁部分。

公开(公告)号：CN100524726C

公开(公告)日：2009-08-05

申请号：CN200610090871.2

申请日：2006-06-26

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 杨启超 ,  劳伦斯·A·克莱文杰 ,  许履尘 ,  尼古拉斯·C·富勒 ,  蒂莫西·J·多尔顿

IPC: H01L23/525 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/5252 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76844 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种反熔丝结构以及形成这样的反熔丝结构的方法，该反熔丝结构包括作为反熔丝材料的埋设导电例如金属层。根据本发明，发明的反熔丝结构包括互连之间漏电电介质的区域。当两个相邻互连被偏置时这些初始互连之间的电阻开始降低且导致时间相关的电介质击穿、TDDB现象发生。相邻互连之间电阻的降低还能通过增大局部温度而被加速。

公开(公告)号：CN1258217C

公开(公告)日：2006-05-31

申请号：CN200310102969.1

申请日：2003-10-31

Applicant: 国际商业机器公司 ,  联华电子公司

Inventor： 拉里·克莱文格 ,  斯坦利·J·克莱佩斯 ,  陆晓玲 ,  杰弗里·R·马里诺 ,  安德鲁H·西蒙 ,  王允愈 ,  黄洸汉 ,  杨启超

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种互连结构及其形成方法。在铜后端集成电路技术中，采用低k有机物基层间电介质的先进技术存在碳污染的问题，该问题在采用氧化物作为电介质的电路中不会出现。用于铜线的复合衬垫层使用Ti作为底层，其具有吸收碳和其它污染物的性能。通过增加隔离Ti和铜的TiN层，避免了Ti与铜反应形成高电阻化合物的公知问题。

公开(公告)号：CN101188223A

公开(公告)日：2008-05-28

申请号：CN200710186781.8

申请日：2007-11-16

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 威廉·R·汤蒂 ,  杰克·A·曼德尔曼 ,  杨启超 ,  许履尘

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76834 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76883 ,  H01L21/76885

Abstract: 本发明提供一种互连结构，包括与至少相邻的绝缘层以及嵌入在该绝缘层内的导电部件上的至少一盖层非平面的衬层。该互连结构包括具有顶表面以及顶表面和衬底之间的底表面的电介质材料的绝缘层。诸如沟槽的开口具有从绝缘层的顶表面朝着底表面延伸的侧壁并至少部分地由导电部件填充。盖层至少设置在导电部件的顶表面上。导电衬层至少沿着开口的侧壁设置在绝缘层和导电部件之间。导电衬层具有突出在与开口的侧壁相邻的绝缘层的顶表面之上的侧壁部分。