公开(公告)号：CN1304168A

公开(公告)日：2001-07-18

申请号：CN99127776.7

申请日：1999-12-02

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 潘纳约蒂斯·C·安德里卡科斯 ,  小西里尔·卡布拉尔 ,  克里斯托弗·C·帕克斯 ,  肯尼思·P·罗德贝尔 ,  罗杰·延-吕·特赛

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/283 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532

Abstract: 公开了一种形成电子结构中铜导体的方法,首先将铜组分沉积到电子结构中形成的塞孔中,然后将杂质加入铜组分以改进其抗电迁移性。该方法中,通过如电镀、物理汽相沉积和化学汽相沉积的技术能沉积铜组分。可注入的杂质包括C、O、C1、S和N,适当的浓度范围在约0.01ppm重量与约1000ppm重量之间。该方法还包括步骤:在导体先整平后,离子注入至少一种元素到铜导体的表面层中。该表面层可具有约30埃到约500埃之间的厚度。该至少一种元素可从Co、Al、Sn、In、Ti与Cr中选择。

公开(公告)号：CN1427456A

公开(公告)日：2003-07-02

申请号：CN01143895.9

申请日：2001-12-18

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 蒂莫西·J·多尔顿 ,  斯蒂芬·E·格雷科 ,  杰弗里·C·赫德里克 ,  萨泰亚纳雷亚纳·V·尼塔 ,  桑佩思·珀鲁肖瑟曼 ,  肯尼思·P·罗德贝尔 ,  罗伯特·罗森堡

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/768 ,  H01L21/283

Abstract: 本发明公开了一种在电子结构中形成多孔介电材料层的方法以及所形成的结构。在此方法中，半导体器件中的多孔介电层可以通过以下步骤形成：首先形成无孔介电层，然后局部固化，通过反应离子刻蚀构图，最后在比局部固化温度更高的温度下固化无孔介电层，用以将无孔介电材料转变成多孔介电材料，从而获得具有明显改善的介电常数，即小于2.6的介电材料。无孔介电材料可以通过以下方法形成：将第二相聚合材料埋入诸如甲基倍半硅氧烷、氢倍半硅氧烷、苯并环丁烯或芳香族热固性聚合物的热稳定介电材料内，使得在更高的固化温度，第二相聚合材料充分挥发而留下气孔，形成充满气孔的介电材料。

公开(公告)号：CN103828025B

公开(公告)日：2017-03-22

申请号：CN201280044767.3

申请日：2012-07-18

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 小西里尔·卡布拉尔 ,  野上武史 ,  杰弗里·P·甘比诺 ,  黄强 ,  肯尼思·P·罗德贝尔

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L21/7684 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/76841 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76883 ,  H01L23/53233 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/535 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本申请公开了金属互连结构及制造该金属互连结构的方法。在铜（Cu）互连结构中加入锰Mn），以修改微结构从而实现90纳米以下的技术中的竹节状晶界。优选地，竹节状晶粒以小于“布雷希”长度的距离隔开，使得避免铜（Cu）扩散通过晶界。所添加的Mn也导致Cu晶粒向下生长至金属线的底表面，使得形成到达底表面的真实竹节状微结构，并消除沿金属线的长度定向的晶界的Cu扩散。

公开(公告)号：CN103828025A

公开(公告)日：2014-05-28

申请号：CN201280044767.3

申请日：2012-07-18

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 小西里尔·卡布拉尔 ,  野上武史 ,  杰弗里·P·甘比诺 ,  黄强 ,  肯尼思·P·罗德贝尔

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L21/7684 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/76841 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76883 ,  H01L23/53233 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/535 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本申请公开了金属互连结构及制造该金属互连结构的方法。在铜（Cu）互连结构中加入锰（Mn），以修改微结构从而实现90纳米以下的技术中的竹节状晶界。优选地，竹节状晶粒以小于“布雷希”长度的距离隔开，使得避免铜（Cu）扩散通过晶界。所添加的Mn也导致Cu晶粒向下生长至金属线的底表面，使得形成到达底表面的真实竹节状微结构，并消除沿金属线的长度定向的晶界的Cu扩散。

公开(公告)号：CN1155057C

公开(公告)日：2004-06-23

申请号：CN99127776.7

申请日：1999-12-02

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 潘纳约蒂斯·C·安德里卡科斯 ,  小西里尔·卡布拉尔 ,  克里斯托弗·C·帕克斯 ,  肯尼思·P·罗德贝尔 ,  罗杰·延-吕·特赛

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/283 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532

Abstract: 公开了一种形成电子结构中铜导体的方法，包括下列步骤：提供电子结构，形成用于电子结构中导体的塞孔，把阻挡层沉积到塞孔中，把掺杂物离子注入到阻挡层中，在阻挡层顶面上沉积铜籽晶层，以及对电子结构退火使掺杂物离子扩散到铜籽晶层中。可注入的掺杂物离子包括C、O、Cl、S和N，适当的浓度范围在约0.01ppm重量与约1000ppm重量之间。

公开(公告)号：CN101578605B

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：CN200780049110.5

申请日：2007-12-17

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 乔万尼·菲奥伦泽 ,  科纳尔·E·穆雷 ,  肯尼思·P·罗德贝尔 ,  亨利·唐

IPC: G06F17/50

CPC classification number: G06F17/5009 ,  G06F2217/16

Abstract: 本发明提供一种确定关于行进粒子的设计结构的停止功率的方法。此方法包含：(i)提供设计结构的设计信息，其包含具有N个互连层的后端线路层，其中N为正整数；(ii)将N个互连层中的每一互连层划分为多个像素；(iii)确定行进粒子在N个互连层的第一互连层中的第一路径；(iv)识别在行进粒子的第一路径上的第一互连层的多个像素中的M个路径像素，其中M为正整数；以及(v)确定由于行进粒子完全地通过M个路径像素中的第一像素而由行进粒子所损耗的第一损耗能量。

公开(公告)号：CN101578605A

公开(公告)日：2009-11-11

申请号：CN200780049110.5

申请日：2007-12-17

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 乔万尼·菲奥伦泽 ,  科纳尔·E·穆雷 ,  肯尼思·P·罗德贝尔 ,  亨利·唐

IPC: G06F17/50 ,  G06F19/00 ,  G06F7/62

CPC classification number: G06F17/5009 ,  G06F2217/16

Abstract: 本发明提供一种确定关于行进粒子的设计结构的停止功率的方法。此方法包含：(i)提供设计结构的设计信息，其包含具有N个互连层的后端线路层，其中N为正整数；(ii)将N个互连层中的每一互连层划分为多个像素；(iii)确定行进粒子在N个互连层的第一互连层中的第一路径；(iv)识别在行进粒子的第一路径上的第一互连层的多个像素中的M个路径像素，其中M为正整数；以及(v)确定由于行进粒子完全地通过M个路径像素中的第一像素而由行进粒子所损耗的第一损耗能量。

公开(公告)号：CN1236479C

公开(公告)日：2006-01-11

申请号：CN01143895.9

申请日：2001-12-18

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 蒂莫西·J·多尔顿 ,  斯蒂芬·E·格雷科 ,  杰弗里·C·赫德里克 ,  萨泰亚纳雷亚纳·V·尼塔 ,  桑佩思·珀鲁肖瑟曼 ,  肯尼思·P·罗德贝尔 ,  罗伯特·罗森堡

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/768 ,  H01L21/283

Abstract: 本发明公开了一种在半导体器件上形成多孔介电材料层的方法。在此方法中，半导体器件中的多孔介电层可以通过以下步骤形成：首先形成无孔介电层，然后局部固化，通过反应离子刻蚀构图，最后在比局部固化温度更高的温度下固化无孔介电层，用以将无孔介电材料转变成多孔介电材料，从而获得具有明显改善的介电常数，即小于2.6的介电材料。无孔介电材料可以通过以下方法形成：将第二相聚合材料埋入诸如甲基倍半硅氧烷、氢倍半硅氧烷、苯并环丁烯或芳香族热固性聚合物的热稳定介电材料内，使得在更高的固化温度，第二相聚合材料充分挥发而留下气孔，形成充满气孔的介电材料。